V2: Усиление излучения в активной среде
I: К=В
S: Коэффициент усиления сигнала в инверсной среде определяется как отношение
-: величины выходного сигнала к мощности накачки
+: величины выходного сигнала к входному
-: величины входного сигнала к выходному
-: мощности накачки к величине выходного сигнала
I: К=В
S: При усилении электромагнитного излучения активной средой коэффициент поглощения среды
-: больше 0
-: равен 0
+: меньше 0
-: больше или равен 0
I: К=А
S: Условием усилении электромагнитного излучения активной является
-: равенство коэффициента усиления и коэффициента потерь
+: превышение коэффициента усиления над коэффициентом потерь
-: превышение коэффициента потерь над коэффициентом усиления
-: отсутствие потерь в активной среде
I: К=В
S: Разница между энергетическими уровнями частицы определяет
+: частоту излучения
-: скорость фотона
-: количество излучаемых фотонов
-: фазу излучения
I: К=С
S: Распределение Больцмана - это распределение частиц (атомов, молекул)
-: в реальном газе по энергиям
-: в реальном газе по размерам
+: в идеальном газе по энергиям
-: в идеальном газе по размерам
I: К=С
S: Распределение Больцмана справедливо для системы
-: в неравновесном состоянии
-: в которой создана инверсия населенностей
+: находящейся в термодинамическом равновесии
-: поглощающей электромагнитное излучение
I: К=С
S: Функция, входящая в выражения, описывающие распределение Больцмана, является
-: линейной
-: степенной
-: логарифмической
+: экспоненциальной
I: К=С
S: Что препятствует использованию двухуровневой квантовой системы для усиления оптических излучений?
-: сложность конструкции
+: невозможность достижения инверсии населенностей оптической накачкой
-: низкий коэффициент полезного действия
-: необходимость высокой плотности оптической накачки
I: К=В
S: В трехуровневом лазере используются
-: два быстрых перехода с излучением
+: один быстрый переход без излучения и один медленный переход с излучением
-: один быстрый переход с излучением и один медленный переход с излучением
-: два медленных перехода с излучением
I: К=В
S: Недостатком трехуровневого лазера является
-: сложность конструкции
-: невозможность достижения инверсии населенностей оптической накачкой
-: необходимость принудительного охлаждения активного вещества
+: необходимость высокой энергии накачки
I: К=В
S: В четырехуровневом лазере используются
-: три быстрых перехода с излучением
+: два быстрых перехода без излучения и один медленный переход с излучением
-: два быстрых перехода с излучением и один медленный переход с излучением
-: один быстрый переход без излучения и два медленных перехода с излучением
I: К=В
S: Потери в активной среде лазера приводят к
-: образованию неаксиальных электромагнитных волн в оптическом резонаторе
-: дифракции электромагнитных волн в оптическом резонаторе
+: нагреву вещества активной среды
-: изменению фазы электромагнитных колебаний в резонаторе
I: К=А
S: В качестве активной среды для газовых лазеров пригодны
-: только многоатомные газы
-: только газы с большой молекулярной массой
+: все газообразные при комнатной температуре вещества
-: только парообразные вещества
I: К=В
S: Оптическая накачка – это возбуждение активного вещества
+: путем облучения активной среды электромагнитным излучением
-: тлеющим или дуговым разрядами
-: путем пропускания электронного пучка
-: при протекании химических реакций с образованием возбужденных продуктов
I: К=В
S: Газодинамическая накачка – это возбуждение активного вещества
-: путем облучения активной среды электромагнитным излучением
-: тлеющим или дуговым разрядами в газе
+: путем дросселирования высокотемпературного газового потока
-: при протекании химических реакций с образованием возбужденных продуктов
I: К=В
S: Для полупроводниковых лазеров в качестве накачки целесообразно использовать
-: тлеющие или дуговые разряды
+: инжекцию неосновных носителей заряда через n-p переход
-: облучение активной среды электромагнитным излучением
-: химических реакций с образованием возбужденных продуктов
V1: Физические принципы и основные элементы для регистрации, модуляции и трансформации, излучения
V2: Физические основы взаимодействия оптического излучения с веществом
I: К=А
S: Фотогальванический эффект в полупроводниках – это
-: преобразование тепловой энергии в электрическую
+: преобразование световой энергии в электрическую
-: преобразование электрической энергии в тепловую
-: преобразование электрической энергии в световую
I: К=В
S: При взаимодействии оптического излучения с кристаллом полупроводника не происходит
-: частичное поглощение излучения
-: частичное отражение излучения поверхностью кристалла
+: частичное отражение излучения объемом кристалла
-: частичное прохождение излучения сквозь кристалл
I: К=В
S: Спектром поглощения вещества называется зависимость
-: длины волны излучения от коэффициента поглощения
+: коэффициента поглощения от длины волны излучения
-: коэффициента поглощения от мощности излучения
-: мощности излучения от коэффициента поглощения
I: К=В
S: Мощность излучения по мере прохождения через кристалл убывает по … закону
-: линейному
-: логарифмическому
+: экспоненциальному
-: степенному
I: К=С
S: Механизм собственного поглощения светового излучения полупроводником представляет собой
-: образование под действием кванта света пары: возбужденный электрон – дырка на основе кулоновского взаимодействия
+: разрыв валентной связи и переход электрона в зону проводимости под действием кванта света
-: ионизацию атома примеси под действием кванта света
-: поглощение энергии кванта света свободным носителем заряда
I: К=С
S: Механизм экситонного поглощения светового излучения полупроводником представляет собой
+: образование под действием кванта света пары: возбужденный электрон – дырка на основе кулоновского взаимодействия
-: разрыв валентной связи и переход электрона в зону проводимости под действием кванта света
-: ионизацию атома примеси под действием кванта света
-: поглощение энергии кванта света свободным носителем заряда
I: К=В
S: Механизм примесного поглощения светового излучения полупроводником представляет собой
-: образование под действием кванта света пары: возбужденный электрон – дырка на основе кулоновского взаимодействия
-: разрыв валентной связи и переход электрона в зону проводимости под действием кванта света
+: ионизацию атома примеси под действием кванта света
-: поглощение энергии кванта света свободным носителем заряда
I: К=А
S: Фоторезистивный эффект заключается в изменении
-: коэффициента поглощения полупроводника под действием света
+: электропроводности полупроводника под действием света
-: температуры полупроводника под действием света
-: коэффициента отражения полупроводника под действием света
I: К=В
S: Электрооптический эффект — это
-: явления дифракции, преломления, отражения или рассеяния света на периодических неоднородностях среды, вызванных упругими деформациями при прохождении ультразвука
+: изменение коэффициента преломления вещества под действием электрического поля
-: изменение оптических свойств вещества в зависимости от напряженности приложенного к нему магнитного поля
-: изменение цвета вещества под действием электрического поля, при облучении светом или пучком электронов
I: К=А
S: Акустооптический эффект — это
+: явления дифракции, преломления, отражения или рассеяния света на периодических неоднородностях среды, вызванных упругими деформациями при прохождении ультразвука
-: изменение коэффициента преломления вещества под действием электрического поля
-: изменение оптических свойств вещества в зависимости от напряженности приложенного к нему магнитного поля
-: изменение цвета вещества под действием электрического поля, при облучении светом или пучком электронов
I: К=В
S: Магнитооптический эффект — это
-: явления дифракции, преломления, отражения или рассеяния света на периодических неоднородностях среды, вызванных упругими деформациями при прохождении ультразвука
-: изменение коэффициента преломления вещества под действием электрического поля
+: изменение оптических свойств вещества в зависимости от напряженности приложенного к нему магнитного поля
-: изменение цвета вещества под действием электрического поля, при облучении светом или пучком электронов
I: К=С
S: Нелинейно-оптический эффект — это
-: нарушение линейного характера зависимостей изменения оптических свойств вещества от частоты облучения
+: нарушение линейного характера зависимостей изменения оптических свойств вещества от интенсивности облучения
-: нарушение линейного характера зависимостей изменения оптических свойств вещества от длины волны облучения
-: нарушение линейного характера зависимостей изменения оптических свойств вещества от температуры
I: К=С
S: Одним из проявлений нелинейно-оптического эффекта является
-: генерация излучения с половинной частотой при облучении вещества лазерным излучением исходной частоты
+: генерация излучения с двойной частотой при облучении вещества лазерным излучением исходной частоты
-: наличие локальных фазовых переходов в веществе при лазерном облучении
-: наличие локальных химических реакций в веществе при лазерном облучении
I: К=В
S: Хромизм — это
-: явления дифракции, преломления, отражения или рассеяния света на периодических неоднородностях среды, вызванных упругими деформациями при прохождении ультразвука
-: изменение коэффициента преломления вещества под действием электрического поля
-: изменение оптических свойств вещества в зависимости от напряженности приложенного к нему магнитного поля
+: изменение цвета вещества под действием электрического поля, при облучении светом или пучком электронов
I: К=В
S: Электропроводность полупроводников
-: уменьшается с ростом температуры
+: увеличивается с ростом температуры
-: не зависит от температуры
-: изменяется с ростом температуры экстремально
I: К=С
S: Эффект Рамана заключается в
-: рассеянии оптического излучения на молекулах вещества, не сопровождающимся изменением частоты излучения
+: рассеянии оптического излучения на молекулах вещества, сопровождающимся изменением частоты излучения
-: ослаблении оптического излучения по мере распространения в веществе
-: отражении оптического излучения от поверхности раздела фаз
I: К=С
S: Рэлеевским рассеянием называется
+: рассеяние оптического излучения на молекулах вещества, не сопровождающееся изменением частоты излучения
-: рассеяние оптического излучения на молекулах вещества, сопровождающееся изменением частоты излучения
-: ослабление оптического излучения по мере распространения в веществе
-: отражение оптического излучения от поверхности раздела фаз
I: К=С
S: В полупроводнике в результате воздействия оптического излучения возможен переход электрона
-: из зоны проводимости в валентную зону
+: из валентной зоны в зону проводимости
-: из зоны проводимости за пределы полупроводника
-: из окружающего пространства в валентную зону полупроводника
I: К=С
S: При облучении светом идеализированного n-p перехода диффузионный ток основных носителей заряда и фототок
-: однонаправленны
+: направленны встречно
-: направленны перпендикулярно друг другу
-: отсутствуют
I: К=В
S: Гомопереход – это
-: контакт двух различных по химическому составу материалов
+: переход, образованный одинаковыми материалами с различной проводимостью
-: переход, образованный различными по химическому составу материалами с одинаковой проводимостью
-: переход, образованный одинаковыми материалами с одинаковой проводимостью
I: К=В
S: Гетеропереход – это
+: контакт двух различных по химическому составу материалов
-: переход, образованный одинаковыми материалами с различной проводимостью
-: переход, образованный различными по химическому составу материалами с одинаковой проводимостью
-: переход, образованный одинаковыми материалами с одинаковой проводимостью
I: К=В
S: При облучении светом идеализированного n-p перехода его потенциальный барьер
+: снижается
-: увеличивается
-: остается неизменным
-: меняется во времени
I: К=В
S: Напряжением холостого хода n-p перехода, облучаемого световым потоком, называется
-: разность потенциалов на переходе при подключении его во внешнюю электрическую цепь
+: величина фотоЭДС
-: фототок короткого замыкания
-: контактная разность потенциалов
I: К=С
S: При больших световых потоках зависимость напряжения холостого хода n-p перехода от светового потока является
-: линейной
+: логарифмической
-: экспоненциальной
-: степенной
I: К=В
S: При фотовентильном режиме работы фотоэлектрического прибора с n-p переходом
-: на переход подается обратное напряжение и освещение вызывает увеличение тока
+: внешнее напряжение отсутствует и происходит генерация фотоЭДС
-: на переход подается прямое напряжение и освещение вызывает увеличение тока
-: на переход подается обратное напряжение и освещение вызывает уменьшение тока
I: К=С
S: При фотодиодном режиме работы фотоэлектрического прибора с n-p переходом
+: на переход подается обратное напряжение и освещение вызывает увеличение тока
-: внешнее напряжение отсутствует и происходит генерация фотоЭДС
-: на переход подается прямое напряжение и освещение вызывает увеличение тока
-: на переход подается обратное напряжение и освещение вызывает уменьшение тока
I: К=С
S: При увеличении интенсивности освещения вольт-амперная характеристика идеализированного n-p перехода смещается
-: вверх
+: вниз
-: вправо
-: влево
I: К=В
S: Для получения полупроводника n – типа необходимо
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси трехвалентного полупроводника
+: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси пятивалентного полупроводника
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси другого четырехвалентного полупроводника
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси диэлектрика
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси проводника
I: К=В
S: Для получения полупроводника р – типа необходимо
+: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси трехвалентного полупроводника
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси пятивалентного полупроводника
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси другого четырехвалентного полупроводника
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси диэлектрика
-: в четырехвалентный полупроводник добавить небольшое количество примеси проводника
I: К=А
S: В полупроводниках n – типа основные носители
-: имеют положительный заряд
+: имеют отрицательный заряд
-: являются ионами
-: не имеют заряда
I: К=А
S: В полупроводниках р – типа основные носители
+: имеют положительный заряд
-: имеют отрицательный заряд
-: являются ионами
-: не имеют заряда
I: К=В
S: Трехвалентным полупроводником является
-: мышьяк
-: кремний
+: индий
-: германий
I: К=В
S: Четырехвалентным полупроводником является
-: мышьяк
+: кремний
-: индий
-: галий
I: К=В
S: Пятивалентным полупроводником является
+: мышьяк
-: кремний
-: индий
-: германий
I: К=А
S: Полупроводниковый диод имеет в своем составе два различных полупроводника
-: дырочного и дырочного типов
+: электронного и дырочного типов
-: электронного и электронного типов
-: любого типа