V2: Механизмы создания инверсной среды

I: К=В

S: Инверсией заселенностей называется состояние среды, в которой

-: количество частиц на высоком энергетическом уровне пренебрежимо мало по сравнению с количеством частиц на низком энергетическом уровне

-: количество частиц на высоком энергетическом уровне меньше количества частиц на низком энергетическом уровне

-: количество частиц на высоком энергетическом уровне равно количеству частиц на низком энергетическом уровне

+: количество частиц на высоком энергетическом уровне превосходит количество частиц на низком энергетическом уровне

I: К=В

S: Инверсия заселенностей - это состояние среды, которое является

-: равновесным

-: квазиравновесным

+: неравновесным

-: предельным

I: К=А

S: Активной средой называется вещество, в котором

-: возможно создание инверсии заселенностей

+: создана инверсия заселенностей

-: инверсия заселенностей является равновесным состоянием

-: для создания инверсии заселенностей не требуется подвода энергии

I: К=В

S: Наличие инверсии заселенностей является необходимым и достаточным условием

-: превышения коэффициента усиления над коэффициентом потерь

-: усиления электромагнитного излучения активной средой

+: существования активной среды

-: достижения термодинамического равновесия

I: К=В

S: При распространении электромагнитного излучения в поглощающей среде функция, описывающая изменение интенсивности излучения в направлении распространения, является

-: линейной

-: степенной

-: логарифмической

+: экспоненциальной

I: К=В

S: Ослабление параллельного монохроматического пучка света при распространении его в поглощающей среде описывается законом

-: Эйнштейна

-: Пуанкаре

+: Бугера-Ламберта-Бера

-: Планка

I: К=В

S: Закон Бугера-Ламберта-Бера выражается формулой:

-: I(x)=I₀*Exp(k*x)

-: I(x)=I₀*Ln(k*x)

-: I(x)=I₀*Log(k*x)

+: I(x)=I₀*Exp(-k*x)

I: К=В

S: При термодинамическом равновесии доля атомов системы, находящихся в возбужденном состоянии, зависит от

-: общего количества атомов в системе

+: абсолютной температуры системы

-: объема системы

-: теплофизических характеристик вещества,

I: К=В

S: Какой схемы возбуждения активного вещества не существует?

+: одноуровневой

-: двухуровневой

-: трехуровневой

-: четырехуровневой

I: К=А

S: Запрещенной зоной называется

-: область значений энергии, с которыми квантовая частица не может существовать длительное время

+: область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном кристалле

-: область значений энергии, соответствующая неравновесному состоянию квантовой системы

-: область значений энергии, при которых квантовая частица может генерировать фотон

I: К=В

S: Ширина запрещенной зоны полупроводника – это

-: ширина энергетического зазора между нижним значением энергии в зоне проводимости и нижним значением энергии в валентной зоне

+: ширина энергетического зазора между нижним значением энергии в зоне проводимости и верхним значением энергии в валентной зоне

-: ширина энергетического зазора между верхним значением энергии в зоне проводимости и верхним значением энергии в валентной зоне

-: ширина энергетического зазора между верхним значением энергии в зоне проводимости и нижним значением энергии в валентной зоне

I: К=С

S: Величина ширины запрещённой зоны полупроводника

-: определяет степень рассеяния излучения светодиода

+: определяет энергию испускаемых фотонов

-: степень когерентности излучения светодиода

-: степень поляризации излучения светодиода

I: К=С

S: Широкозонными называются полупроводники, у которых ширина запрещенной зоны превышает

-: 0,03 эВ

-: 0,3 эВ

+: 3 эВ

-: 30 эВ

I: К=С

S: Полупроводники, используемые для получения излучения в видимой области, должны быть

-: узкозонными

+: широкозонными

-: полусферической формы

-: цилиндрическими

I: К=С

S: Узкозонными называются полупроводники, у которых ширина запрещенной зоны не превышает

-: 0,03 эВ

+: 0,3 эВ

-: 3 эВ

-: 30 эВ