
- •4. Специальные вопросы теории излучения.
- •4.1. Взаимное влияние излучателей.
- •4.2. Влияние на излучатель свободной поверхности.
- •4.3. Влияние на излучатель импедансного экрана.
- •4.4. Нелинейные параметрические излучатели.
- •4.4.1. Уравнения нелинейной акустики и их решение.
- •4.4.2. Основные характеристики нелинейных излучателей.
4. Специальные вопросы теории излучения.
Выше были рассмотрены вопросы, касающиеся работы излучателя либо в свободном пространстве, либо при наличии идеального экрана, жёсткого или мягкого.
Как правило, отдельные излучатели собираются далее в антенны, располагаются по условиям работы вблизи отражающих поверхностей или устанавливаются в экраны, которые никак нельзя считать идеальными. Все эти конкретные условия работы изменяют, а иногда и очень существенно, характеристики отдельного излучателя, полученные выше при условии работы его в свободном пространстве. Рассмотрим влияние конкретных условий работы на собственные характеристики излучателя.
4.1. Взаимное влияние излучателей.
В качестве расчётной модели возьмём
пару сферических монополей, находящихся
на расстоянии
друг от друга.
,
,
,
Для простоты используем приближение:
,
.
Введём обозначения:
-
давление, создаваемое первым излучателем
на своей поверхности,
-
давление, создаваемое вторым излучателем
на поверхности первого,
-
давление, создаваемое вторым излучателем
на своей поверхности,
-
давление, создаваемое первым излучателем
на поверхности второго.
Решение задачи сводят к нахождению сопротивлений излучения, собственных и вносимых сопротивлений:
,
,
,
,
.
В низкочастотном приближении получаем интересный результат:
.
.
Взаимное влияние излучателей друг на
друга сводится к удвоению активной
части сопротивления излучения и к
незначительному изменению реактивной
составляющей на низких частотах
,
причём прямым сложением объясняется
только изменение суммарного реактивного
сопротивления. Удвоение активного
сопротивления объясняется чисто волновым
эффектом – реактивное поле соседнего
излучателя при распространении на
расстояние
убывает в
раз, но приобретает активную составляющую,
равную по величине активной составляющей
собственного сопротивления:
,
,
.
Э
ффект
удвоения активного сопротивления на
низких частотах не зависит от геометрии
излучателя и имеет место для излучателей
произвольного вида.
,
.
Механизм взаимного влияния объясняет
синфазное сложение уровней излучения
излучателей, находящихся на малом
расстоянии друг от друга
с увеличением мощности в
раз
,
тогда как при некогерентном сложении
суммарная мощность увеличивается в
раз.
При противофазном сложении монополей
пара монополей образует диполь, при
этом:
.
4.2. Влияние на излучатель свободной поверхности.
Наиболее сильно это влияние проявляется при работе низкочастотного излучателя вблизи поверхности моря, а при его буксировке приводит к модуляции уровня излучения. Для монопольного излучателя, работающего вблизи свободной поверхности, можно записать:
,
-
мощность излучателя в свободном поле.
Влиянием свободной поверхности на
излучатель можно пренебречь только при
.
При работе вблизи поверхности моря изменяется не только излучаемая мощность, но и направленные свойства, а излучение ненаправленного монополя становится направленным.
,
,
-
синфазное сложение,
,
-
противофазное сложение,
.
.
-
граница ближней зоны, за пределами
которой поле убывает монотонно по закону
.
В дальней зоне
,
.