
- •1. Основные газовые законы. Определение молекулярных масс газообразных веществ.
- •2. Основные стехиометрические законы.
- •3. Понятие о химическом эквиваленте и эквивалентной массе простых и сложных веществ. Закон химических эквивалентов.
- •5. Принцип Пауля. Емкость энергетических уровней и подуровней атомов элементов.
- •4. Волновые свойства электрона. Квантовые числа,s-, p-,d-,f-состояния электронов. Электронные орбитали.
- •6. Связь периодического закона со строением электронных оболочек атома. Правило Клечковского. Энергетические ячейки. Правило Хунда.
- •7.Периодический закон д.И.Менделеева и периодическая система: ряды, периоды, группы, подгруппы и порядковый номер.
- •8. Периодическое изменение свойств химических элементов. Радиус атомов, сродство электрону,
- •9. Образование химической связи. Энергия связи и длина связи.
- •10. Ковалентная (атомная) связь. Метод валентных связей. Возбужденные состояния атомов. Валентность.
- •11. Направленность ковалентной связи. Сигма и пи-связи. Гибридизация атомных орбиталей.
- •12. Ионная связь.
- •13. Полярность связи. Полярность молекул и их дипольный момент.
- •14. Донорно-акцепторный механизм ковалентной связи. Комплексные соединения.
- •15. Межмолекулярное взаимодействие. Водородная связь.
- •Межмолек.Взаим-е.
- •16. Система. Фаза. Компонент. Параметры. Функции состояния: внутренняя энергия и энтальпия. Стандартные условия.
- •18 Стандартная энтальпия образования. Следствия из закона Гесса.Термохимич.Расчеты.
- •19. Зависимость теплового эффекта реакции от температуры (закон Кирхгоффа).
- •20. Второе начало термодинамики. Понятие об энтропии. Расчет энтропии.
- •23. Условия самопроизвольного протекания химических реакций.
- •23. Константа химического равновесия. Расчет Кр и Кс.
- •26. Молекулярность и порядок реакции.
- •27. Кинетическая классификация по степени сложности. Обратимые и необратимые реакции.
- •28. Зависимость скорости реакции от температуры. Правило Вант-Гоффа. Уравнение Аррениуса.
- •29. Энергия активации химической реакции. Аналитический и графический метод расчета.
- •34. Растворимость газов в жидкостях. Закон Генри. Закон Дальтона. Закон распределения.
- •30. Скорость гетерогенной химической реакции.
- •32. Катализ. Гомогенный и гетерогенный катализ.
- •32. Растворы. Растворимость. Способы выражения концентраций растворов.
- •1. Мольная доля
- •6.Нормальность
- •33. Физические и химические процессы при при растворении. Растворимость твердых тел и жидкостей в жидкостях.
- •35. Законы Рауля.
- •38.Сильные электролиты. Понятие активности и коэффициента активности.
- •36. Электролитическая диссоциация. Степень диссоциации. Слабые электролиты.
- •39.Электролитическая диссоциация воды. Ионное произведение воды. Водородный показатель. Понятие об индикаторах.
- •37. Константа диссоциации. Закон разведения Оствальда.
- •40. Гидролиз солей. Константа и степень гидролиза.
- •41. Овр. Ионно-электронный метод подбора коэффициентов в овр.
- •45. Стандартный водородный электрод. Формула Нернста. Стандартный потенциал. Ряд напряжений.
- •42.Возникновение скачка потенциала на границе “металл-раствор”. Равновесный электродный потенциал.
- •43. Медно-цинковый гальванический элемент Якоби-Даниеля. Процессы на электродах. Понятие об эдс.
- •44.Зависимость эдс гальванического элемента от природы реагирующих веществ, температуры и концентрации. Стандартная эдс.
- •49.Химическая и концентрационная поляризация при электролизе. Перенапряжение.
- •46. Типы электродов и цепей. Окислительно-восстановительные электроды и цепи.
- •48. Законы Фарадея. Выход по току.
- •47.Электролиз. Последовательность разряда ионов на катоде и аноде.
- •3) Ме,стоящие в ряду напр-я посла водорода
- •50.Классификация химических источников тока.
- •51. Коррозия металлов. Химическая и электрохимическая коррозия.
- •52. Основные методы борьбы с коррозией.
- •53. Кристаллическое состояние вещества. Химическая связь в кристаллах.
- •54.Сущн-ть физико-химич.Анализа.Пр-ло фаз.Диаграмма состояния воды.
- •55. Основные принципы построения диаграммы плавкости бинарных систем.
- •1. Принцип непрерывности.
- •2. Принцип соответствия.
- •56. Эвтектическая диаграмма плавкости (без образования твердых растворов).
- •57.Диаграмма плавкости непрерывно твердых растворов. Правило рычага.
- •58. Диаграмма плавкости бинарной системы с ограниченными твердыми растворами.
- •59. Диаграмма плавкости бинарной системы с образованием химических соединений.
9. Образование химической связи. Энергия связи и длина связи.
Химич.св.-сов-ть сил,связывающих атомы в мол-ле в более устойчивое сост-е.
Энергия связи-к-во энергии,выделяющееся при образ-и хим.св. [кДж/моль]
Эн.св.опр-ют путем деления энергии образ-я соед-я на число связей.Чем > эн-я св.,тем устойчивее мол-лы.
Длина связи - расстояние м/ у ядрами в соединении. Зависит от размеров электронных оболочек и ст.их перекрывания.
С уменьшением дл.св. растет эн.св.
10. Ковалентная (атомная) связь. Метод валентных связей. Возбужденные состояния атомов. Валентность.
К.с. –хим.св.,образованная путем обобществления пары электронов двумя атомами.
Ков.пол.-атомы с разной ЭО.(более ЭО смещает в свою сторону).
Особен-ть: направленность(выраж-ся в видже валентн.углов м/у направл-ми х.св.в мол-ах и тв.телах) и насыщаемость(вызыв-ся ограничением числа е,находящихся на внешних оболочках)
2 метода объяснения механизма возникновения ковалентной связи: метод валентных связей (МВС).
В основе МВС лежит 3 положения: 1.Х.св.возникает как результат перекрывания АО с обр-ем элетр.пар.
2.Атомы обмениваются м/у собой е,к-ые обр-ют связыв.пары 3.Х-ки хим.св.опр-ся типом перекр-я АО.
Валентность-сп-ть атомов присоединять или замещать опред.число др.атомов с обр-ем хим.св.
Валентными являются неспаренные электроны. Их число можно изобразить с помощью электронной конфигурации атомов.
При возбуждении атомов (за счет притока энергии извне) имеет место «распаривание» электронов и переход электрона на более удалённый подуровень в пределах одного уровня.
Распаривание одной электронной пары может увеличить валентность на 2 единицы.
11. Направленность ковалентной связи. Сигма и пи-связи. Гибридизация атомных орбиталей.
Т.к.атомные орбитали пространственно ориентирован,
То перекрывание электр.облаков происходит по опред.направл-ям,что обуславливает направл-ть ков.св. Направл-ть выраж-ся в виде валентных углов м/у направл-ми х.св.в мол-ах и тв.телах.
Перекрывание облаков при образовании к.с. возможно только при определенной их взаимной ориентации в пространстве – отсюда направленность связей, приводящая к определенной форме молекул.
Сигма связь-связь,образов.перекрываением АО по линии,соедин.ядра взаимодейств.атомов.
П-связь-связь,образов.перек-ем АО по обе стороны линии,соед-ей ядра атомов(боковое перекр-е)
s-эл-ты могут образ-ть только Ϭ св.,р-эл-ты- Ϭ и π св.
При наложении 2ух π св. на Ϭ св.возникает тройная св.
Если в молекуле имеется кратная связь между атомами (двойная или тройная), то только одна связь является прочной - пи-связь. Остальные – сигма-связи.
Пример. Рассмотрим молекулу этилена (С2Н4).
Имеет место неполная
гибридизация
Между атомами углерода одна из связей «пи». Все остальне – «сигма».
Гибридизация: после гибр-и кол-во гибридных орбит-ей равно к-ву подвергшихся гибр-и.Гибр-и подвергаются близкие по энергии орбитали.
sp3: 109◦28 (CH4,SiH4)
sp2:120(BCl3,AlF3)
sp:180(ZnCl2,BeF2)
12. Ионная связь.
-электростатич.вз-е «-« и «+» заряж.ионов в хим.соед-и.
Возник-ет в случае большой разности ЭО атомов.
Не хар-на направл-ть,т.к.электр.поле иона имеет сферич х-р.Не хар-на насыщ-ть,т.к.ион способен взаим-ть со многими соседними ионами против.знака.
Ион.св.проявл-ся в тв.крист.в-ах с ионной крист.реш.
Элементы, входящие в состав ионного соединения, всегда существуют в виде ионов, а не нейтральных атомов. Также нужно отметить, что полного разделения зарядов нет и имеет место частичная ковалентность.
Валентность в ионных соединениях определяется по числу зарядов слагающих их ионов.
Ионы проводят электр. ток в растворах и расплавах и являются проводниками второго рода.