V1: Полупроводниковые элементы интегральных микросхем
I: {{ 1 }} ; K=А
S: Особенность интегральных микросхем по сравнению с дискретными приборами:
+: электрическая связь с общей подложкой, параметры взаимосвязаны и ограничены
I: {{ 2 }} ; K=А
S: Паразитный переход между коллекторным слоем и подложкой существует в интегральных:
+: n-p-n-транзисторах
I: {{ 3 }} ; K=А
S: Интегральный p-n-p-транзистор характеризуется свойством:
+: электрофизической симметрии
I: {{ 4 }} ; K=Б
S: В каком варианте диодного включения интегрального транзистора меньше пробивные напряжения перехода:
+: БК-Э, Б-Э
I: {{ 5 }} ; K= А
S: В каких сериях логических интегральных микросхем применяют многоэмиттерный транзистор:
+: ТТЛ
V1: Приборы с зарядовой связью
I: {{ 1 }} ; K=А
S: Прибор с зарядовой связью является:
+: динамическим прибором
I: {{ 2 }} ; K=А
S: Принцип действия приборов с зарядовой связью основан:
+: на движении неосновных для подложки носителей заряда
I: {{ 3 }} ; K=А
S: Как осуществляется передача зарядов в приборе с зарядовой связью:
+: при подаче постоянно изменяющегося по величине управляющего напряжения на затворы
I: {{ 4 }} ; K=Б
S: Параметр прибора с зарядовой связью, зависящий от частоты изменения напряжения на секции переноса заряда:
+: коэффициент потерь
I: {{ 5 }} ; K=Б
S: Какое направление применения приборов с зарядовой связью используется в телевидении:
+: преобразование излучения в электрический сигнал – фоточувствительные приборы с зарядовой связью
V1: Полупроводниковые лазеры
I: {{ 1 }} ; K=Б
S: При каком виде накачки лазера излучение мощного некогерентного источника света поглощается рабочим веществом и происходит переход атомов из нижнего в верхнее энергетическое состояние:
+: оптической
I: {{ 2 }} ; K=Б
S: Электрическая накачка осуществляется в лазерах:
+: газовых и полупроводниковых
I: {{ 3 }} ; K=Б
S: Процесс генерации в лазере происходит благодаря:
+: усилению в активной среде и наличию положительной обратной связи
I: {{ 4 }} ; K=Б
S: Спектр излучения инжекционного лазера зависит от:
+: выходной мощности
I: {{ 5 }} ; K=А
S: В каком режиме работают инжекционные лазеры:
+: импульсном
I: {{ 6 }} ; K=А
S: В каких лазерах торцевые поверхности оптического резонатора заменены дифракционной решеткой с лазерными диодами:
+: гетеролазерах с распределенной обратной связью
V1: Приемники излучения
I: {{ 1 }} ; K=А
S:
Какой
прибор обозначен
?
+: фотодиод
I: {{ 2 }} ; K=Б
S: Какой фотоприбор состоит из химически чистого полупроводника?
+: фотодиод
I: {{ 3 }} ; K=Б
S: Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света?
+: фотоэлемент
I: {{ 4 }} ; K=А
S: Какой элемент относится к фотоэлектрическому приемнику излучения?
+: фоторезистор
I: {{ 5 }} ; K=Б
S: На чем основан принцип действия фотоприемников:
+: на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах
I: {{ 6 }} ; K=А
S: Назначение фотоэлемента:
+: преобразование световой энергии в электрическую
I: {{ 7 }} ; K=А
S: Фотоприборы с высоким быстродействием:
+: p-i-n-фотодиод и лавинный фотодиоды
F1: Общая электротехника и электроника
F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.
F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»