V1: Электромагнитные устройства и электрические машины. Синхронные машины.
I: {{ 1 }} ; K=А
S: По какой формуле рассчитывается момент взаимодействия магнитных полей якоря и индуктора синхронной машины?
+:
I: {{ 2 }} ; K=В
S: Какие из перечисленных требований являются обязательными при подключении синхронного генератора к трёхфазной сети?
+: одинаковая частота и фаза переменного тока
I: {{ 3 }} ; K=В
S: Какой режим применяется для разгона мощных синхронных двигателей ?
+: асинхронный пуск
I: {{ 4 }} ; K=В
S: Какой из перечисленных параметров определяет основную область применения синхронных импульсных микродвигателей?
+: возможность поддержания высокой стабильности частоты вращения
I: {{ 5 }} ; K=А
S: Какой из перечисленных типов двигателей применяют в качестве компенсаторов реактивной мощности?
+: синхронный двигатель
I: {{ 6 }} ; K=А
S: От какого параметра зависит характер нагрузки синхронного двигателя?
+: от тока возбуждения
I: {{ 7 }} ; K=В
S: По какой формуле рассчитывается частота вращения ротора синхронного двигателя?
+:
V1: Основы электроники
I: {{ 1 }} ; K=А
S: В каких электронных приборах осуществляется преобразование электрического сигнала в световой и затем снова в электрический:
+: механоэлектрические
+: оптопары
I: {{ 2 }} ; K=Б
S: Вид рабочей среды и тип носителей заряда в полупроводниковых приборах
+: полупроводник, электроны и дырки
I: {{ 3 }} ; K=А
S: Параметры режима электронного прибора:
+: ток, напряжение
I: {{ 4 }} ; K=Б
S: Математическая модель электронного прибора:
+: система дифференциальных уравнений
I: {{ 5 }} ; K=А
S: Какую функцию выполняет конденсатор в источниках питания?
+: сглаживание
I: {{ 6 }} ; K=Б
S: Модуляция это ###
+: изменение одного из параметров ВЧ сигнала под воздействием сигнала
I: {{ 7 }} ; K=Б
S: Амплитудная модуляция это ###
+: изменение амплитуды несущего сигнала изменяется прямо пропорционально изменениям амплитуды модулирующего сигнала
I: {{ 8 }} ; K=Б
S: Частотная модуляция это ###
+: изменение частоты несущего сигнала пропорционально мгновенным значениям модулирующего сигнала при постоянной амплитуде несущей
I: {{ 9 }} ; K=Б
S: Фазовая модуляция это ###
+: изменение фазы несущего сигнала пропорционально амплитуде информационного сигнала
I: {{ 10 }} ; K=А
S: Детектирование это ###
+: процесс, обратный модуляции
I: {{ 11 }} ; K=А
S: Колебательный контур состоит только из ###
+: индуктивности и емкости
I: {{ 12 }} ; K=А
S: Колебательный контур состоит из ###
+: все ответы не верны
I: {{ 13 }} ; K=Б
S: Колебательный контур применяется для получения ###
+: резонанса
I: {{ 14 }} ; K=А
S: Колебательный контур служит ###
+: генерирования сигнала определенной частоты
I: {{ 15 }} ; K=А
S: Достоинство каскада усиления на полевом транзисторе ###
+: высокое входное сопротивление
I: {{ 16 }} ; K=А
S: Закон Ома
+: U=IR
I: {{ 17 }} ; K=А
S: Скважностью импульсов называют соотношение (Т – период, Тu – длительность импульса):
+:
I: {{ 18 }} ; K=А
S: Амплитудно-частотной характеристикой усилителя называют зависимость ###
+: коэффициента усиления от частоты входного сигнала
I: {{ 19 }} ; K=А
S: Отрицательная обратная связь в усилителе ###
+: снижает искажения
I: {{ 20 }} ; K=А
S: Усилитель низкой частоты есть ###
+: преобразователь электрической энергии источника в усиливаемый сигнал
V1: Контактные явления
I: {{ 1 }} ; K=А
S: p-n переход образуется при контакте:
+: полупроводник- полупроводник
I: {{ 2 }} ; K=А
S: Полупроводниковые приборы выполняются с использованием в качестве основного материала:
+: кремния
I: {{ 3 }} ; K=А
S: Полупроводники по проводимости находятся ###
+: между диэлектриком и проводником
I: {{ 4 }} ; K=А
S: К недостаткам полупроводниковых приборов относится ###
+: ограниченный температурный режим
I: {{ 5 }} ; K=А
S: Для включения полупроводникового р-n перехода в прямом направлении необходимо
+: положительный полюс источника соединяют с выводом от p-области, а отрицательный - с выводом от n-области
I: {{ 6 }} ; K=А
S: Состояние, когда р-n переходу ### называется нейтральным
+: не приложено никакое внешнее напряжение
I: {{ 7 }} ; K=А
S: Для включения полупроводникового р-n перехода в обратном направлении необходимо ###
+: положительный полюс питания соединить с выводом от n-области, а отрицательный с р-областью
I: {{ 8 }} ; K=Б
S: Что такое ширина запрещенной зоны?
+: Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости
I: {{ 9 }} ; K=Б
S: Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:
+: генерация носителей заряда
I: {{ 10 }} ; K=A
S: Что такое дрейф носителей заряда?
+: хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля
I: {{ 11 }} ; K=Б
S: Диффузионное электрическое поле в p-n – переходе направлено:
+: от n-области к p-области
I: {{ 12 }} ; K=A
S: Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:
+: + p-n -
I: {{ 13 }} ; K=А
S: При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?
+: да
-: нет
I: {{ 14 }} ; K=A
S: За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках?
+: за счёт добавления легирующих примесей
I: {{ 15 }} ; K=A
S: За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?
+: за счёт ударной ионизации
I: {{ 16 }} ; K=A
S: Рекомбинация носителей заряда это:
+: возникновение пар носителей заряда
I: {{ 17 }} ; K=A
S: Возникновение пар носителей заряда называют:
+: рекомбинацией
I: {{ 18 }} ; K=A
S: Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:
+: диффузией
I: {{ 19 }} ; K=A
S: Примеси, атомы которых отдают электроны называются:
+: донорами
I: {{ 20 }} ; K=A
S: Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:
+: акцепторами