
- •Основні властивості напівпровідникових матеріалів.
- •Як поділяються напівпровідникові матеріали за електропровідностю?
- •В чому полягає відмінність напівпровідникових матеріалів від металів та діелектриків?
- •Що таке власна електропровідність напівпровідника?
- •5. Як отримати напівпровідник з електронною провідністю
- •Як отримати напівпровідник з дірковою провідністю?
- •Що таке електронно-дірковий перехід?
- •Подати вольт-амперну характеристику електронно-діркового переходу.
- •9.Класифікація напівпровідникових приладів.
- •10.Представити вольт-амперні характеристики біполярних транзисторів.
- •11. Що таке перемикаючі напівпровідникові прилади?
- •12. Подати вольт-амперну характеристику перемикаючого напівпровідникового приладу?
- •13.Принцип дії тиристора
- •14. Заступна схема тиристора та принцип її роботи.
- •15. Що таке напівпровідникові оптоелектронні пристрої?
- •16. Найпростіший перетворювач змінного струму в постійний.
- •17. Некерований однофазний двопівперіодний випрямляч.
- •1 8. Основні характеристики випрямлячів.
- •19. Особливості роботи випрямляча на резистивне навантаження
- •20. Шляхи покращення енергетичних характеристик випрямляча.
- •21. Электрические фильтры
- •22. Какие коэффициенты применяются для оценки качественных характеристик выпрямителей?
- •23.Недоліки та переваги основних схем однофазних випрямлячів.
- •24. Які якісні характеристики випрямних тиристорів?
- •25. Що таке керований випрямляч?
- •26. Однофазний двопівперіодний випрямляч з нульовим виводом.
- •27. Робота однофазного двопівперіодного випрямляча на резистивне навантаження.
- •28. Основні енергетичні характеристики керованих випрямлячів.
- •29.Яким чином можна підсилити електричний сигнал?
- •30.Основні показники підсилювачів.
- •31. Як визначається коефіцієнт підсилення по струму?
- •32. Як визначається коефіцієнт підсилення по напрузі?
- •33. Як визначається коефіцієнт підсилення по потужності?
- •34.Що таке фазочастотна характеристика?
- •35.Подайте схему підсилювача зі спільним емітером.
- •36. Якої величини вхідний опір підсилювача зі спільним емітером?
- •37.Подати амплітудну характеристику підсилювача зі спільним емітером та розділяючим конденсатором на його вході.
- •38. Навіщо застосовують конденсатор на виході підсилювача?
- •39. Як здійснюється термокомпенсація в підсилювачі?
- •40. Подати схему підсилювача зі спільним колектором.
- •41. Якої величини вхідний опір підсилювача зі спільним колектором?
- •42. Що таке операційний підсилювач?
- •43. Чому дорівнює коефіцієнт підсилення операційного підсилювача?
- •44. Чому дорівнює вхідний опір операційного підсилювача?
- •45. Що таке інвертуючий підсилювач?
- •46. Подати схему вмикання неінвертуючого підсилювача.
- •47. Як отримати суматор електричних сигналів
- •48. Що таке схема порівняння?
5. Як отримати напівпровідник з електронною провідністю
Напівпровідники – це речовини, які проводять струм гірше, ніж провідники, але краще за ізолятори. Здається, все логічно. Проте насправді, напівпровідникові радіоелементи, такі як діоди, транзистори, тиристори і т.д., проводять струм не набагато гірше за провідники. З чим це пов’язано? Річ у тім, що до напівпровідників у малих кількостях добавляють домішки. Є два типи провідності напівпровідників.
Додавши до германію строго визначену кількість миш’яку або сурми, його провідність значно покращиться. Германій має валентність IV (валентність залежить від кількості електронів на зовнішній орбіті атома), а миш’як і сурма мають валентність V. Тому, якщо на чотири атома германію додати один атом миш’яку, то отримаємо «зайвий» електрон. Цей електрон слабо зв’язаний з атомами і буде легко переміщатися під впливом напруги чи температури (його можна відірвати від миш’яку при енергії 0,015 еВ .Миш’як стане в ролі донора. Оскільки основним носієм заряду є електрон, то і провідність назвали електронною або n-провідністю (від французької мови negative – негативний).
Щоб отримати p-провідність (від франц. positive – позитивний), треба основним носієм заряду зробити дірки. В такому випадку до германію додають індій. Так як атоми індію мають три валентних електрона, то один із чотирьох зв’язків виявляється неповним. Атом індію забирає в германія електрон, в якого утворюється дірка. Індій виступає в ролі акцептора.
Найпоширеніший напівпровідник, який використовують в радіодеталях – це кремній, далі йде германій. Галій та індій рідше згадують.
Взагалі напівпровідники можуть використовувати в інших радіодеталях, які не мають p-n-переходу. Наведу деякі приклади радіодеталей і які речовини в них використовуються:
терморезистори – мідно-марганцеві і кобальто-марганцеві сплави;
позистори – титанат барію;
фоторезистори – сульфід кадмію, селенід кадмію, сірчистий свинець, полікристалічні шари сірчистого і селенистого кадмію;
варистори – карбід кремнію.
Як отримати напівпровідник з дірковою провідністю?
Мізерні кількості домішок різко змінюють електричні властивості напівпровідників. При цьому під домішкою звичайно розуміють як атоми чи йони інших елементів, так і різного роду дефекти і спотворення в кристалічній решітці: вузли, тріщини тощо. Далі розглянемо в основному спотворення решітки, зумовлені наявністю реальних домішок — атомів інших елементів.
Якщо в кристалічній решітці германію його атоми замінюються атомами з меншою валентністю, наприклад тривалентними атомами Індію. У такого домішкового атома не вистачає одного електрона для утворення нормального ковалентного зв'язку, характерного для решітки германію. Однак домішковий атом Індію може створити всі зв'язки, якщо він позичить електрон у ближнього атома Германію. Тоді на місці електрона, який залишив атом Германію, утворюється дірка . Енергія, необхідна для переходу електрона від сусіднього атома Германію до атома Індію, невелика, тому за кімнатної температури всі домішкові атоми Індію захоплюють від сусідніх атомів Германію електрони, яких не вистачає для нормального зв'язку, а в решітці германію з'являється така сама кількість дірок.
Домішки, які захоплюють електрони від сусідніх атомів і викликають появу дірок, називають акцепторними.
Процес послідовного заповнення дірок електронами еквівалентний, як ми вже переконалися, переміщенню дірки у напівпровіднику і виникненню в ньому носіїв струму.
Оскільки перехід електрона із сусіднього атома відбувається практично без втрат енергії, то дірка, що утворилася, вільно переміщається у кристалі в результаті перестрибувань електронів від сусідніх атомів на дірку. Якщо зовнішнє електричне поле відсутнє,— дірки рухаються хаотично. Коли ж на напівпровідник накласти електричне поле, стрибкоподібний рух електронів від атома до атома стає напрямленим, отже, набуває спрямування і рух дірок у протилежний бік.Описаний тип провідності називається провідністю р-типу (від positiv — позитивний), а напівпровідники з такою провідністю — дірковими, або напівпровідниками р-типу.