Оглавление

1. Основні властивості напівпровідникових матеріалів. 3

2. Як поділяються напівпровідникові матеріали за електропровідностю? 3

3. В чому полягає відмінність напівпровідникових матеріалів від металів та діелектриків? 4

4. Що таке власна електропровідність напівпровідника? 4

5. Як отримати напівпровідник з електронною провідністю 5

6. Як отримати напівпровідник з дірковою провідністю? 6

7. Що таке електронно-дірковий перехід? 6

8. Подати вольт-амперну характеристику електронно-діркового переходу. 7

9.Класифікація напівпровідникових приладів. 9

10.Представити вольт-амперні характеристики біполярних транзисторів. 11

11. Що таке перемикаючі напівпровідникові прилади? 13

12. Подати вольт-амперну характеристику перемикаючого напівпровідникового приладу? 15

13.Принцип дії тиристора 15

14. Заступна схема тиристора та принцип її роботи. 19

15. Що таке напівпровідникові оптоелектронні пристрої? 21

16. Найпростіший перетворювач змінного струму в постійний. 21

17. Некерований однофазний двопівперіодний випрямляч. 22

18. Основні характеристики випрямлячів. 24

19. Особливості роботи випрямляча на резистивне навантаження 24

20. Шляхи покращення енергетичних характеристик випрямляча. 27

21. Электрические фильтры 27

22. Какие коэффициенты применяются для оценки качественных характеристик выпрямителей? 31

23.Недоліки та переваги основних схем однофазних випрямлячів. 32

24. Які якісні характеристики випрямних тиристорів? 32

25. Що таке керований випрямляч? 32

26. Однофазний двопівперіодний випрямляч з нульовим виводом. 33

27. Робота однофазного двопівперіодного випрямляча на резистивне навантаження. 35

28. Основні енергетичні характеристики керованих випрямлячів. 38

29.Яким чином можна підсилити електричний сигнал? 38

30.Основні показники підсилювачів. 39

31. Як визначається коефіцієнт підсилення по струму? 42

32. Як визначається коефіцієнт підсилення по напрузі? 42

33. Як визначається коефіцієнт підсилення по потужності? 42

34.Що таке фазочастотна характеристика? 43

35.Подайте схему підсилювача зі спільним емітером. 43

36. Якої величини вхідний опір підсилювача зі спільним емітером? 43

37.Подати амплітудну характеристику підсилювача зі спільним емітером та розділяючим конденсатором на його вході. 44

38. Навіщо застосовують конденсатор на виході підсилювача? 44

39. Як здійснюється термокомпенсація в підсилювачі? 45

40. Подати схему підсилювача зі спільним колектором. 47

41. Якої величини вхідний опір підсилювача зі спільним колектором? 47

42. Що таке операційний підсилювач? 48

43. Чому дорівнює коефіцієнт підсилення операційного підсилювача? 48

44. Чому дорівнює вхідний опір операційного підсилювача? 49

45. Що таке інвертуючий підсилювач? 49

46. Подати схему вмикання неінвертуючого підсилювача. 52

47. Як отримати суматор електричних сигналів 54

48. Що таке схема порівняння? 56

1. Основні властивості напівпровідникових матеріалів.

Напівпровідниками є речовини, що займають по величині питомої провідності проміжне положення між провідниками і діелектриками. Ці речовини володіють як властивостями провідника, так і властивостями діелектрика. Разом з тим вони володіють рядом специфічних властивостей, що різко відрізняють їх від провідників і діелектриків, основним з яких є сильна залежність питомої провідності від дії зовнішніх факторів (температури, світла, електричного поля та ін)

До напівпровідників відносяться елементи четвертої групи періодичної таблиці Менделєєва, а також хімічні сполуки елементів третьої й п'ятої груп типу AIII BV (GaAs, InSb) і другої й шостої груп типу AII B VI (CdS, BbS, CdFe). Провідне місце серед напівпровідникових матеріалів, використовуваних в напівпровідниковій електроніці, займають кремній, германій і арсенід галію GaAs.Основною властивістю напівпровідника є збільшення електричної провідності з ростом температур

2. Як поділяються напівпровідникові матеріали за електропровідностю?

За характером провідності

• Власна провідність

Напівпровідники, у яких вільні електрони і «дірки» з'являються в процесі іонізації атомів, з яких побудований весь кристал, називають напівпровідниками з власною провідністю. У напівпровідниках з власною провідністю концентрація вільних електронів дорівнює концентрації «дірок».

• Домішкова провідність

Для створення напівпровідникових приладів часто використовують кристали з домішкової провідністю. Такі кристали виготовляються за допомогою внесення домішок з атомами тривалентного або пятивалентного хімічного елемента.

По виду провідності

• Електронні напівпровідники (n-типу)

Н апівпровідник n-типу. Термін «n-тип» походить від слова «negative», що позначає негативний заряд основних носіїв. Цей вид напівпровідників має домішкову природу. У четирехвалентний напівпровідник (наприклад, кремній) додають домішка пятивалентного напівпровідника (наприклад, миш'яку). У процесі взаємодії кожен атом домішки вступає в ковалентний зв'язок з атомами кремнію. Однак для п'ятого електрона атома миш'яку немає місця в насичених валентних зв'язках, і він переходить на дальню електронну оболонку. Там для відриву електрона від атома потрібна менша кількість енергії. Електрон відривається і перетворюється в вільний. В даному випадку перенесення заряду здійснюється електроном, а не діркою, тобто даний вид напівпровідників проводить електричний струм подібно металам. Домішки, які додають в напівпровідники, внаслідок чого вони перетворюються в напівпровідники n-типу, називаються донорними.

• діркової напівпровідники (р-типу)

Н апівпровідник p-типу. Термін «p-тип» походить від слова «positive», що позначає позитивний заряд основних носіїв. Цей вид напівпровідників, крім домішкової основи, характеризується діркової природою провідності. У четирехвалентний напівпровідник (наприклад, в кремній) додають невелику кількість атомів тривалентного елемента (наприклад, індію). Кожен атом домішки встановлює ковалентний зв'язок з трьома сусідніми атомами кремнію. Для установки зв'язку з четвертим атомом кремнію в атома індію немає валентного електрона, тому він захоплює валентний електрон з ковалентного зв'язку між сусідніми атомами кремнію і стає негативно зарядженим іоном, внаслідок чого утворюється дірка. Домішки, які додають в цьому випадку, називаються акцепторними.

Провідність p-напівпровідників приблизно дорівнює: