Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Skhemotekhnika_v_sisteme_upravlenya_Chast_2.docx
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
7.02 Mб
Скачать

5.2 Генератор синусоидальных колебаний с lc контуром и трансформаторной ос

На рисунке 5.5 изображена схема генератора синусоидальных колебаний с LC- контуром и трансформаторной ОС.

В этой схеме используется обычный каскад с R1, R2 в базе транзистора (делителем) и эмиттерным резистором Rэ. С помощью этих элементов:

  1. Устанавливается ток смещения (задается рабочая точка).

  2. Стабилизируется положение рабочей точки за счет ООС по постоянному току на резисторе Rэ. ООС по переменному току на этом резисторе устраняет Сэ.

ПОС здесь достигается за счет встречного включения обмотки L2 (см. звездочки, эквивалентные началам или концам обмоток L1, L2). Сигнал Uвых1 на коллекторе транзистора VT, включенного по схеме с общим эмиттером, инверсен по отношению к сигналу базы.

Рис. 5.5. Генератор синусоидальных колебаний с LC-контуром и трансформаторной ПОС

Так как индуктивности вносят опережение, то в схеме реализуется баланс фаз в 0π. К коллектору подключен параллельный резонансный LC-контур (см. приложение 4). Его сопротивление равно

На резонансной частоте контур имеет большое сопротивление (теоретически ). За счет потерь в конденсаторе и индуктивности он имеет

к онечную вершину (пик резонанса, рис. 5.6). Но на этой частоте коэффициент усиления

т ранзисторного каскада максимален , где rэ – общее сопротивление эмиттерного перехода: .

Рис. 5.6. Коэффициент передачи резонансного LC-контура (а) и фазовая зависимость (б)

Коэффициент добротности Q позволяет оценивать характеристику контура: чем больше добротность, тем острее характеристика (рис.5.6). Добротность равна резонансной частоте w0, деленной на ширину пика, определенную по точкам – 3дБ . Для параллельной RLC-схемы Q=w0RC.

Стабилизация амплитуды Uвых1 достигается за счет насыщения транзистора (нелинейность). Так как L1 имеет малое сопротивление провода, то на коллекторном электроде VT напряжение почти равно E0 (рис. 5.7).

Рис. 5.7. Семейство выходных характеристик, ограниченное рабочей областью

Величина питания E0 выбирается не больше половины допустимого напряжения Uкэ транзистора. Нагрузочная прямая располагается почти вертикально (см. рис. 5.7), потому что сопротивление провода невелико. Рабочую точку A располагают примерно на середине рабочей области на нагрузочной прямой. Поэтому установить ее положение можно только по току смещения. Для этого последовательно с транзистором включают малоомный амперметр и посредством резисторов R1, R2 добиваются нужной величины тока IКож. Затем через рабочую точку проводят нагрузочную прямую по переменному току, при этом рассчитывается сопротивление L1C контура R~|Z|LIC. К этой прямой по переменному току обычно проводят перпендикуляр – это ось времени t. Слева R~ упирается в точку а (границу рабочей области – вертикальную линию, отсекающую существенную кривизну характеристик), справа от точки А откладывают такой же длины отрезок (точка б). Можно слева, сделать упор в линию насыщения (точку а). Справа б должна быть меньше допустимой величины Uдоп для транзистора на величину запаса. Эту величину запаса определяют разработчики схемы.

Из построения (см. рис. 5.7) видно, что точка б справа значительно превышает E0 – это есть результат действия ЭДС самоиндукции (физический смысл). Именно поэтому выбирают E0 не больше половины допустимого напряжения Uдоп транзистора. Из точек а и б проводят прямые, параллельные оси времени t, и разворачивают синусоиду. Ее частота определяется из формулы:

Таким образом в этой схеме баланс фаз и ПОС образуется при фазовом сдвиге в 0π. В схеме генератора (рис. 5.5) стоит отметить специфические особенности, которые будут характерны и другим схемам с резонансным контуром в цепи коллектора транзистора. Во-первых, энергия “накачивается” в контур только через индуктивность (коллектор транзистора всегда подключен к выводу индуктивности) , так как последняя ограничивает величину тока в переходном процессе в отличие от емкости. Во-вторых, в соответствии с рис. 5.7 эта энергия поступит в контур во время формирования одной полуволны выходной синусоиды, во втором полупериоде транзистор находится в отсечке и формирование гармоники продолжается самим резонансным контуром с потерей накопленной ранее энергии.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]