
- •1. Методы и средства измерения давления.
- •2. Тахогенераторный преобразователь скорости. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики.
- •3. Измерительные схемы включения фотоэлектрических измерительных преобразователей.
- •4. Методы и средства измерения температуры.
- •Средства измерений температуры
- •5. Фотоимпульсные измерительные преобразователи перемещения.
- •6. Ферромагнитные преобразователи температуры. Принцип действия схемы включения.
- •7. Ультразвуковые расходомеры. Классификация, принцип действия, достоинства и недостатки.
- •8. Терморезистивные измерительные преобразователи. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики, схемы включения.
- •9. Средства ультрузвукового контроля границы раздела «парода-уголь»
- •10. Индуктивные датчики приближения.
- •11 Расходометры переменного перепада давления.
- •14. Термоэлектрические измерительные преобразователи.
- •16. Методы и средства измерения границы раздела «порода-уголь»
- •17.Методы и средства измерения усилий
- •18. Тахогенераторный преобразователь скорости движения
- •19. Цифровые фотоимпульсные преобразователи перемещения.
- •20.Тензорезистивные измерительные преобразователи усилий. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики, схемы включения.
- •Проволочные
- •2) Полупроводниковые
- •21.Методы и средства измерения параметров взрывозащиты
- •22.Емкостные измерительные преобразователи. Конструкция, принцип действия.
- •23.Классификация и конструктивные варианты емкостных измерительных преобразователей.
- •Преобразователь с прямоугольными электродами:
- •П реимущества и недостатки:
- •Преобразователь с переменной диэлектрической проницаемостью:
- •24.Дифференциальные емкостные измерительные преобразователи
- •25 Схемы включения е.П.
- •26. Внутренний и внешний фотоэффект
- •27 Магнитоиндукционный датчик скорости движения. Конструкция, принцип действия.
- •28. Допплеровские ультразвуковые расходомеры
- •31. Характеристики средств измерения в статике и динамике
- •32 Порядок оценки чувствтительности средства измерения
- •33. Порядок расчета операционного измерительного усилителя
- •34. Измерительные приборы квм
- •35. Измерительные приборы квд.
- •Измерительная схема прибора квд1
- •38. Дифференциальный индуктивный измерительный преобразователь. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики, достоинства и недостатки
- •39. Трансформаторные измерительные преобразователи. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики, достоинства и недостатки.
- •40. Дифференциальные трансформаторные измерительные преобразователи. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики, достоинства и недостатки.
- •42. Фотоэлектрические измерительные преобразователи. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики, достоинства и недостатки
- •44. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики термоэлектрических измерительных преобразователей.
- •45. Пьезоэлектрические преобразователи усилий и давлений.
- •47. Измерительные схемы терморезистивных измерительных преобразователей
- •48.Методы и средства измерения моментов.
- •49.Методы и средства измерения угловой скорости и перемещения.
- •Преимущество е.П.: 1.Простая конструкция. 2.Возможность измерения сверхмалых перемещений с высокой чувствительностью.
- •50.Измерительные схемы дифференциальных емкостных измерительных преобразователей.
- •53.Порядок градуировки пирометрических милливольтметров.
- •54. Методы и средства измерения уровня.
- •55.Поплавковые уровнемеры.
- •56.Емкостные уровнемеры.
42. Фотоэлектрические измерительные преобразователи. Конструкция, принцип действия, параметры и характеристики, достоинства и недостатки
Фотоэлектрический преобразователь представляет собой фотоэлектронный прибор (фотоэлемент), используемый в качестве измерительного преобразователя. Имеются три типа преобразователей: преобразователи с внешним фотоэффектом, с внутренним фотоэффектом и фотогальванические преобразователи. Наибольшее применение нашли преобразователи двух последних типов.
К преобразователям с внешним фотоэффектом относятся вакуумные и газонаполненные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители. Вакуумные фотоэлементы состоят из вакуумированной стеклянной колбы, содержащей два электрода: анод и катод. При освещении фотокатода под влиянием фотонов света он эмитирует электроны. Если между анодом и фотокатодам приложено напряжение, то эти электроны образуют электрический ток; поскольку он вызван фотонами, его называют фототоком. Для фотоэмиссии электронов необходимо, чтобы энергия фотона была больше работы выхода электронов Ф, характерной для данного материала фотокатода.
где v — частота света;
Ф – работа выхода электронов с поверхности катода
h — постоянная Планка
Частота называется красной границей фотоэффекта, а соответствующая ее длина волны длинноволновым порогом фотоэффекта.
При внешнем
фотоэффекте существует граница его
существования:
- длина световой
величины
где с — скорость света,
Если
то никакая интенсивность света не может
вызвать фотоэффект.
Чувствительный элемент преобразователей с внутренним фотоэффектом (фоторезисторов} выполнен в виде пластинки, на которую нанесен слой полупроводникового фоточувствительного материала. В качестве фоточувствительного материала обычно используется сернистый кадмий, селенистый кадмий или сернистый свинец.
Электропроводность полупроводниковых материалов обусловлена возбуждением электронов в валентной зоне и примесных уровнях. При возбуждении электроны переходят в зону проводимости; в валентной зоне появляются дырки. При освещении возбуждение электронов увеличивается, что вызывает увеличение электропроводности. Красная граница фоторезисторов находится в инфракрасной области. При небольших освещенностях преобразователя число возбужденных светом электронов пропорционально освещенности, его электрическая проводимость
где Iф – фототок; U – напряжение, приложенное к преобразователю.
При больших освещенностях пропорциональность нарушается. Типичная зависимость фототока от освещенности приведена на рис, 4.46,а. Чувствительность фоторезисторов определяется кратностью изменения их сопротивления. Для некоторых типов она достигает значения
где RT — темновое сопротивление, т. е. сопротивление неосвещенного преобразователя; R200 — сопротивление при В = 200 лк. ВАХ фоторезисторов линейна (рис, 4.46,6), т. е. их сопротивление не зависит от приложенного напряжения. Инерционность характеризуется постоянной времени τ.
Ф
оторезисторы
имеют высокую чувствительность. Однако
их сопротивление
зависит от температуры подобно
сопротивлению термисторов.
Для уменьшения температурной погрешности
они
включаются
в смежные плечи моста.
Преимущества
Простота конструкции
Высокая чувствительность
Доступность технической реализации и светочувствительных элементов
Недостатки
Сопротивление зависит от температуры (для устранения недостатка включают в мостовые схемы)
Влияние ОС на ВАХ (пыль, конденсат)
Фотогальвтшческие преобразователи представляют собой фотоэлектронные приборы с p-n-переходом: фотодиоды и фототранзисторы. При освещении перехода создается дополнительная концентрация носителей в п-слое. Это приводит к усилению их диффузия к р-п-переходу и в самом переходе. У диода, подключенного к запирающему напряжению (рис. 4.47), под действием света возрастает обратный ток. Вольтамперная характеристика германиевого фотодиода приведена на рис. 4.47.б. При отсутствии освещения она не отличается от характеристики обычного диода, а при освещении смещается вверх пропорционально величине светового потока.
Наиболее распространены германиевые и кремниевые фотодиоды. Их спектральные характеристики заходят в область инфракрасного излучения.
Фотодиоды могут работать в фотодиодном и генераторном (вентильном) режимах. В фотодиодном режиме преобразователь подключают к запирающему напряжению (рис. 4.47,а). При увеличении его освещенности возрастает обратный ток, что приводит к увеличению напряжения Uн на сопротивлении Rh. Напряжение Uн и чувствительность можно определить по ВАХ и нагрузочной прямой (рис. 4.47,6). Зависимость тока фотодиода от освещенности практически линейна. Внутреннее дифференциальное сопротивление фотодиода имеет величину порядка мегаомов, поэтому обычно они работают в режиме, близком к короткому замыканию.
Полный ток фотодиода I можно рассматривать как сумму
где Iф – фототок, определяемый световым потоком Ф; S – чувствительность, Iт
– ток неосвещенного фотодиода, ∆Iф – приращение
В генераторном режиме фотодиод включают по схеме, приведенной на рис. 4.48, а, и он сам является источником тока. Фототок, напряжение на нагрузке и чувствительность можно определить по ВАХ, приведенной на рис. 4.48, б.
Преимущества фото преобразователей:
могут использоваться для измерения малых линейных и угловых измерений, а также скорости.
возможность проведения без контактных измерений местоположения и перемещения
отсутствие механического воздействия на объект измерения.
высокая чувствительность к интенсивности светового потока и его световых составных.
Недостатки фото преобразователей:
значительная погрешность, вызванная свойствами материалов от температуры.
влияние пыли и влажности среды на выходные характеристики.
влияние старения светочувствительного материала на хар-ки преобразователя.
Область применения:
измерение концентрации веществ в растворе на основе оценки поглощения света раствором.
работа в релейном режиме с целью измерения частоты вращения вала имеющего диск с отверстиями (измеряемая угловая скорость преобразуется в частоту эл. импульсов).
измерение угловых перемещений и скорости.
измерение местоположения объектов.
использование фотоумножителя и в системах энергоснабжения
46 Измерительные схемы терморезистивных измерительных преобразователей.
Для включения термопар используются:
1
)
пирометрические милливольтметры;
2) мостовые измерительные схемы
При нагревании рабочего конца термопары до t на выходе термопары образуется термоэдс Е, которая компенсируется эдс Ек, создаваемой в диагонали. Разница Е-Ек поступает на вход усилителя, который создает управляющее воздействие для привода рабочего двигателя до тех пор пока при перемещении движка реохорда Rp разница Е- Ек не примет значение 0. Одновременно на шкале реохорда будет зафиксировано значение измеряемой температуры.
3) схема уравновешенного моста
В
ысокая
точность измерения температуры
достигается в том случае, если температура
свободных концов постоянна. Для
стабилизации температуры свободных
концов резистор
включают
в одно из плеч моста и располагается
вместе с термопарой на объекте измерения.
Изменение температуры концов термопары
компенсируется соответствующим
изменением напряжения
в
мостовой схеме.
Структурная схема измерения
Преимущества:
1) простая конструкция и отсутствие внутреннего источника эдс.
2) высокая точность и чувствительность,
3) широкий диапазон измеряемых температур,
4) линейное уравнение преобразования,
5) использование измерительных схем позволяет повысить точность измерения температуры,
Недостатки:
1) высокая инерционность,
2) подключение термопары должно осуществляться специальными калиброванными проводниками,
3) необходимость использования специальных чехлов.