Запитання для самоконтролю
В чому полягає основна відмінність узагальнених матричних методів від звичайних методів вузлових напруг і контурних струмів?
Чи передбачають узагальнені матричні методи складання при аналізі електронного кола схеми заміщення? Пояснити чому.
Надайте визначення неавтономного багатополюсника.
У якому включенні біполярного транзистора „база” вважається першим полюсом неавтономного триполюсника? Яким полюсом (за номером) при цьому є „емітер”?
У якому включенні біполярного транзистора „емітер” вважається першим полюсом неавтономного триполюсника? Яким полюсом (за номером) при цьому є „база”?
Наведіть нумерацію виводів польового транзистора, як неавтономного триполюсника, у включенні зі спільним витоком.
Наведіть нумерацію виводів польового транзистора, як неавтономного триполюсника, у включенні зі спільним затвором.
Наведіть порядок застосування узагальненого методу вузлових напруг (контурних струмів) для аналізу підсилювального каскаду.
Чи можна провести дослідження режиму самозбудження (умов виникнення коливань) генератору коливань якимсь із узагальнених матричних методів?
Завдання для поточного контролю
Наведіть схему позначення полюсів та зовнішніх контурів для неавтономного двополюсника (триполюсника, чотириполюсника ...).
Складіть повну матрицю опору біполярного транзистора, як неавтономного триполюсника, у включенні із спільним емітером (скористайтесь схемою заміщення БПТ у вигляді фізичної моделі).
Складіть повну матрицю провідності польового транзистора, що працює без струмів затвору, у якого між затвором та витоком включений опір R.
Складіть повну матрицю опору ідеального тріода, що працює без сіткових струмів, у якого між сіткою та катодом включений опір R (скористайтесь схемою заміщення тріоду).
Складіть шляхом застосування формули 6.5 (переходом від [g] до [Z]) повну матрицю опору польового транзистора, що працює без струмів затвору, у якого між затвором та витоком включений опір R.
Складіть повну матриця провідності двополюсника із використанням методики побудови скороченої матриці, що розглянута у розділі 4.