Лаба 4 (Исследование проводимости транзисторов полевого типа) / L4_2

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра БТС

отчет

по лабораторной работе №4

по дисциплине «Элементная база электроники»

Тема: Исследование проводимости транзисторов полевого типа

Студент гр. 7501		Исаков А.О.
Студентка гр. 7501		Винограденко Ю.В.
Преподаватель		Шевченко Д.С.

Санкт-Петербург

2019

Цель работы: Изучение проводимости канала полевого транзистора в зависимости от величины управляющего сигнала.

Используемое оборудование: NI ELVIS Digital Multimeter (DMM), макетная плата NI ELVIS, полевые транзисторы, Variable Power Supplies.

Основные теоретические положения

Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом.

Полевой транзистор – транзистор, в котором сила проходящего через него тока регулируется внешним электрическим полем, т.е напряжением. Это принципиальное различие между ним и биполярным транзистором, где сила основного тока регулируется управляющим током.

Рисунок 1 Модель JFET транзистора

Поскольку у полевого транзистора нет управляющего тока, то у него очень высокое входное сопротивление. Полевые транзисторы иногда называют униполярными, поскольку носителями электрического заряда в нем выступают только электроны или только дырки.

Рисунок 2 Обозначение на схеме JFET транзистора

Обработка результатов эксперимента

Рисунок 3 Собранные схемы

Рисунок 4 Показания амперметра

Рисунок 5 графики зависимости тока стока от напряжения затвора

Рисунок 6 ВАХ для транзистора IRF510

Вывод: в результате выполнения лабораторной работы были построены графики зависимости тока стока от напряжения затвора для различных транзисторов и ВАХ для транзистора IRF510. По графикам можно сказать что при увеличении напряжения на затворе ток стока увеличивается, т.е. увеличивается проводимость канала.