- •3. Объясните, что происходит с вакансиями при отжиге.
- •8. Объясните, почему аморфные в-ва рассматривают как переохлажденные жидкости.
- •9. Перечислите основные св-ва кристаллических тел, связанные с их строением, и дайте их опр-ия.
- •23. Объясните, почему в гексагональной сингонии используют четырех индексовую систему.
- •24. Укажите, какие индексы можно менять в семействе структурно-эквивалентных плоскостей в гексагональной ячейке.
- •29. Объясните, почему третий по порядку индекс плоскости (направления) в гексагональной ячейки можно не писать.
- •30. Дайте опр-ие механизма переползания краевой дислокации.
- •31. Объясните, какое поле напряжения образуется вокруг линии винтовой дислокации.
- •32. Укажите, как делятся дефекты кристаллической решетки по геометрическим признакам.
- •40. Объясните, с чем связана основная доля энергии образования точечного дефекта.
- •41. Запишите формулу, по которой рассчитывают изменение свободной энергии в кристалле при введение вакансий.
- •42. Объясните, почему невозможно точно рассчитать равновесную концентрацию точечных дефектов.
- •44. Дайте понятие энергии активации миграции точечных дефектов.
- •45. Объясните механизм миграций гантельной конфигурации межузельного атома в гцк решетке.
- •46. Укажите, с помощью какого механизма мигрируют атомы примесей замещения, внедрения.
- •67. Объясните, почему переползание относят к диффузионному процессу.
- •74. Укажите отличие положительной и отрицательной краевой дислокации.
- •76. Объясните механизм скольжения винтовой дислокации.
- •77. Укажите особенности скольжения винтовой дислокации по сравнению с краевой.
- •78. Дайте понятие поперечного скольжения винтовой дислокации.
- •79. Укажите, в каком направлении по отношению к касательному напряжению скользит винтовая дислокация.
- •81. Объясните, чем отличается линия смешанной дислокации от винтовой и краевой дислокации.
- •82. Объясните, может ли скользить смешанная дислокация.
- •83. Опишите механизм введения в кристалл призматической дислокации.
- •84. Объясните возможности перемещения призматической дислокации.
- •91. Объясните, что такое линейное натяжение дислокации и по какой формуле его рассчитывают.
- •93. Объясните, от чего зависит упругое взаимодействие краевых дислокаций.
- •94. Объясните причину упругости конфигурации, которую наз-ют дислокационной стенкой.
- •95. Рассмотрите взаимодействие краевых дислокаций разного знака, когда они вплотную подходят друг другу; когда находятся в соседних плоскостях скольжения, разделенных одним межатомным расстоянием.
- •96. Опишите, как взаимодействуют винтовые дислокации между собой.
67. Объясните, почему переползание относят к диффузионному процессу.
Переползание относят к диффузионному механизму, т.к. этот механизм движения краевой дислокации связан с диффузионным переносом массы. При отрыве атомов от кромки экстраплоскости или, наоборот, при присоединении атомов к этой кромки, дислокация перемещается перпендикулярно плоскости скольжения на новый горизонт. «Растворение» экстраплоскости со своей кромки и «наращивание» экстраплоскости являются диффузионными процессами, ускоряющимися с ростом t-ры.
68. Объясните, от чего зависит скорость переползания краевой дислокации.
Зависит не только от t-ры, но и от концентрации точечных дефектов, направленное перемещение которых, по существу и обеспечивает акт переползания.
69. Дайте понятие порога на линии дислокации.
Когда комплекс вакансий осядет на кромке экстроплоскости, образуются две ступеньки на дислокации. Такие ступеньки наз-ся порогами на линии дислокации. Такой процесс образования порогов – термически активируемый. Так как дислокация со ступеньками обладает большей энтропией, то опр-ое число ступенек соответствует минимуму свободной энергии системы.
70. Зарисуйте введение винтовой дислокации в кристалл.
Сделаем в кристалле надрез ABCD и сдвинем правую переднюю часть кристалла вниз на один период решетки. ABCD – плоскость несквозного сдвига. ВС – линия краевой дислокации.
71. Объясните, как расположены атомы в ядре краевой дислокации.
С одной стороны расположено поле гидростатического растяжения, а с другой - сжатия. Дислокация проходит под кромкой краевой дислокации.
72. Объясните, как расположены атомы в ядре винтовой дислокации.
Схематично, что они близко к расположению их по винтовой линии.
73. Укажите различие правой винтовой дислокации и левой.
Дислокация как и резьба винта может быть правой и левой. Дислокация наз-ся правой, если линию дислокации от верхнего горизонта к нижнему можно обойти по спирали по часовой стрелки. Левой считается та дислокация, которую обойти по спирали с верхнего горизонта на нижний можно только против часовой стрелки. Правую дислокацию нельзя превратить в левую простым переворачиванием кристалла, как это возможно в случае краевой дислокации. Правая дислокация превращается в левую (и наоборот) зеркальным отражением.
74. Укажите отличие положительной и отрицательной краевой дислокации.
Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют положительной, а если в нижней, то отрицательной. Различия между положительной и отрицательной краевыми дислокациями чисто условное. Переворачивая кристалл, мы превращаем положительную дислокацию в отрицательную, и наоборот. Знак дислокации имеет большое значение для взаимодействия дислокаций
75. Укажите, как расположена линия винтовой дислокации по отношению к направлению касательного напряжения.
В области ядра винтовой дислокации атомы смещаются в направление действующих сил, а сама дислокация перемещается перпендикулярно этому направлению. Следовательно, линия винтовой дислокации по отношению к направлению касательного напряжения расположена параллельно.
