23. Объясните, почему в гексагональной сингонии используют четырех индексовую систему.

Гексогональная сингония: а=в≠с α=β=90° γ=120°

Слои плотнейшей упаковки располагаются по так называемым базисным плоскостям гексогональной решетки, т.е. по плоскостям {001}, в которых лежат три плотноупакованных атомных ряда <110> .

В гексогональной сингонии направления и плоскости, входящие в одну совокупность, имеют разные наборы индексов в символе при использовании трехиндексовой системы Миллера.

Например, к одной совокупности <110> относятся направления [110],[100],[010]. Этот недостаток в записи символа устраняется при введении четырехиндексовой системы Миллера-Браве.

24. Укажите, какие индексы можно менять в семействе структурно-эквивалентных плоскостей в гексагональной ячейке.

Структурно-эквивалентные плоскости получают перестановкой и переменой знака первых трех индексов.

29. Объясните, почему третий по порядку индекс плоскости (направления) в гексагональной ячейки можно не писать.

Существуют металлы, элементарная ячейка которых имеет форму гексагональной призмы. В этом случае начало координат помещают в центр основания призмы, кристаллографические оси х и у выходят из этого центра и проходят через вершины основания под углом 120^о одна к другой. Ось z является вертикальной осью, дополнительная ось u выходит из начала координат и образует с осями х и у угол 120^о. На первом месте в символике гексогональной ячейки записывается координата по х, на втором по у, на третьем по u, а на последнем по z . Координата по оси u является зависимой и равна сумме первых двух индексов с обратным знаком. Поэтому третий индекс в гексогональной ячейке для плоскости и направления можно не писать. (h;k;l),[u;v;w] Для направления t = -(u+v), для плоскости i= -(h+k).

30. Дайте опр-ие механизма переползания краевой дислокации.

При перемещении по нормали к плоскости скольжения краевая дислокация попадает в новые атомные плоскости, параллельные той, в которой она ранее находилась, Механизм такого перемещения называется переползанием.

31. Объясните, какое поле напряжения образуется вокруг линии винтовой дислокации.

Симметричное, так как атомы в ядре расположены по винтовой лестнице

32. Укажите, как делятся дефекты кристаллической решетки по геометрическим признакам.

1. точечные (нульмерные). Малы в трех измерениях (несколько атомных диаметров). К ним относятся вакансии, межузельные атомы, примесные атомы и их комплексы.

2. линейные - малы в двух измерениях и в 3-ем измерении могут составить большую величину: дислокации, цепочки вакансий и межузельных атомов

3. поверхностные – малы в одном измерении. К ним относятся: границы зерен, субзерен, двойников, дефекты упаковки.

4. объемные - имеют большие размеры в 3-х измерениях, несоизмеримые с атомным диаметром: поры, трещины, царапины- макроскопические дефекты.

33. Объясните, чем отличается «реальный совершенный» кристалл от «идеального».

Идеальный кристалл – это застывшая правильная система точек.

Реальный совершенный кристалл – содержит точечные дефекты, концентрация которых опр-ся t-ой.

35. Дайте опр-ие коэф-та компактности упаковки. Укажите, чему он равен для типичных металлических решеток.

Коэф-т компактности упаковки – это коэф-т, показывающий насколько плотно в структуре (упаковке) располагаются шары.

К - коэф-т компактности

К = объем шаров/общий объем (шары и пустоты)

36. Зарисуйте тетраэдрические и октаэдрические пустоты в решетке ГП.

А) тетраэдрические; Б) октаэдрические.

37. Зарисуйте тетраэдрические и октаэдрические пустоты в решетке ГЦК.

38. Зарисуйте тетраэдрические и октаэдрические пустоты в решетке ОЦК.

Положение тетраэдрических (х) и октаэдрических (●) пустот в ОЦК решетке (атомы не показаны)

39. Объясните, что такое «ядро дефекта» и как изменяются поля напряжений вокруг межузельного атома.

Упругая деформация, вызванная точечным дефектом, должна распространяться от него до самой поверхности кристалла. Но только на расстоянии одного-двух атомных диаметров от центра дефекта создаются заметные смещения. Эта область называется ядром дефекта.

Вакансия

Т аким образом, поле смещений сильно анизотропно – по разным направлениям смещения имеют разный знак и разную величину.

А вокруг межузельного атома наоборот.