4. Основные тенденции в технологии изготовления ис на полевых транзисторах.

Подавляющее большинство ИС изготовляются по МОП-технологиям. Но, поскольку, довольно остро стоит вопрос быстродействия схем, то на сцене появляются и другие технологии. Например, БИКМОП-технология, которая в одном кристалле объединяет биполярные и МОП-транзисторы, или технологии с использованием сверхпроводящих материалов. Но главное направление в технологии ИС наблюдается в изготовлении КМОП-схем, так как быстродействие этих схем непрерывно растёт, а потребление мощности, в сравнении с другими схемами, невелико. Типовая 0,25-микронная КМОП-технология позволяет получить n-МОП-транзисторы минимальных размеров. Такие n-МОП-транзисторы называются короткоканальными. Ток стока в транзисторе изменяется обратно пропорционально эффективной длине канала.

5. Теоретическое обобщение.

Сравнивая схемы источников тока на биполярных и полевых транзисторах, нетрудно заметить, что успехи современных МОП-технологий позволяют формировать более успешные схемы источников тока в интегральном исполнении.