- •11. Делители напряжения и тока. Резистивный мост. Делитель напряжения
- •12. Основные понятия теории линейных электрических цепей переменного тока
- •24. Классический метод анализа переходных процессов. Круга первого порядка Классический метод анализа переходных процессов:
- •25. Классический метод анализа переходных процессов. Круга второго порядка
- •26. Нелинейные электрические цепи постоянного тока. Методы расчета нелинейных цепей.
- •27. Анализ нелинейных электрических цепей переменного тока
- •28. Круги периодического несинусоидального тока
- •29. Основные понятия теории четырехполюсников. Уравнения четырехполюсников
- •30. Эквивалентные схемы замещения четырехполюсников. Передаточная функция.
- •31. Понятие электрические фильтры. Основные типы пассивных фильтров
- •32. Типы проводимости полупроводника 1. Электронная проводимость
- •2. Дырочная проводимость
- •33. Примесная проводимость полупроводников. Электронно-дырочный переход
- •34. Полупроводниковые диоды и базовые диодные устройства
- •35. Светодиоды и фотодиоды. Применение в полиграфических технологиях
- •36. Структура и принцип действия биполярного транзистора
- •37. Биполярный транзистор. Схемы включения и их параметры
- •38. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- •39. Основные режимы работы биполярного транзистора
- •40. Определение дифференциальных н-параметров биполярного транзистора
- •41. Полевой транзистор. Структура и принцип действия
- •42. Основные схемы транзисторных каскадов усиления и их назначение
- •45. Интегральные микросхемы. Структура и технология изготовления
45. Интегральные микросхемы. Структура и технология изготовления
Интегральной микросхемой (ИМС)называют миниатюрное электронное устройство, выполняющее определенные функции преобразования и обработки сигналов и содержащее большое число активных и пассивных элементов (от нескольких сотен до нескольких десятков тысяч) в сравнительно небольшом корпусе. Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС) — ИС, заключённую в корпус. Технология изготовления:
Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия, оксид гафния).
Плёночная интегральная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок:
толстоплёночная интегральная схема;
тонкоплёночная интегральная схема.
Гибридная микросхема (также микросборка) — кроме полупроводникового кристалла содержит несколько бескорпусных диодов, транзисторов и(или) других электронных компонентов, помещённых в один корпус.
Смешанная микросхема — кроме полупроводникового кристалла содержит тонкоплёночные (толстоплёночные) пассивные элементы, размещённые на поверхности кристалла.