V1: Полупроводниковые элементы интегральных микросхем

I: {{ 1 }} ; K=А

S: Особенность интегральных микросхем по сравнению с дискретными приборами:

+: электрическая связь с общей подложкой, параметры взаимосвязаны и ограничены

-: высокий коэффициент усиления

-: низкое входное сопротивление

-: сложно осуществить изоляцию элементов

I: {{ 2 }} ; K=А

S: Паразитный переход между коллекторным слоем и подложкой существует в интегральных:

+: n-p-n-транзисторах

-: многоэмиттерных транзисторах

-: p-n-p-транзисторах

-: полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом

I: {{ 3 }} ; K=А

S: Интегральный p-n-p-транзистор характеризуется свойством:

-: взаимозаменяемости

-: помехзащищенности

+: электрофизической симметрии

-: однородности структуры транзистора

I: {{ 4 }} ; K=Б

S: В каком варианте диодного включения интегрального транзистора меньше пробивные напряжения перехода:

+: БК-Э, Б-Э

-: БЭ-К

-: Б-К

-: Б-ЭК

I: {{ 5 }} ; K= А

S: В каких сериях логических интегральных микросхем применяют многоэмиттерный транзистор:

+: ТТЛ

-: МДП

-: МНОП

-: КМДП

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Приборы с зарядовой связью

I: {{ 1 }} ; K=А

S: Прибор с зарядовой связью является:

+: динамическим прибором

-: статическим прибором

-: совокупностью биполярных транзисторов

-: полевым транзистором

I: {{ 2 }} ; K=А

S: Принцип действия приборов с зарядовой связью основан:

-: на движении электронов

-: на движении дырок

-: на диффузии носителей заряда

+: на движении неосновных для подложки носителей заряда

I: {{ 3 }} ; K=А

S: Как осуществляется передача зарядов в приборе с зарядовой связью:

-: в результате инжекции носителей заряда

+: при подаче постоянно изменяющегося по величине управляющего напряжения на затворы

-: перемещением зарядов от истока к стоку

-: в результате экстракции носителей заряда

I: {{ 4 }} ; K=Б

S: Параметр прибора с зарядовой связью, зависящий от частоты изменения напряжения на секции переноса заряда:

-: эффективность передачи заряда

+: коэффициент потерь

-: время передачи заряда от затвора к затвору

-: коэффициент усиления

I: {{ 5 }} ; K=Б

S: Какое направление применения приборов с зарядовой связью используется в телевидении:

-: аналоговая обработка информации

-: линии задержки, фильтры

-: запоминающие устройства приборов с зарядовой связью

+: преобразование излучения в электрический сигнал – фоточувствительные приборы с зарядовой связью

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Полупроводниковые лазеры

I: {{ 1 }} ; K=Б

S: При каком виде накачки лазера излучение мощного некогерентного источника света поглощается рабочим веществом и происходит переход атомов из нижнего в верхнее энергетическое состояние:

-: электрической

+: оптической

-: химической

-: лазерной

I: {{ 2 }} ; K=Б

S: Электрическая накачка осуществляется в лазерах:

+: газовых и полупроводниковых

-: твердотельных

-: жидкостных

-: химических

I: {{ 3 }} ; K=Б

S: Процесс генерации в лазере происходит благодаря:

-: усилению в активной среде

-: наличию положительной обратной связи

+: усилению в активной среде и наличию положительной обратной связи

-: накачке

I: {{ 4 }} ; K=Б

S: Спектр излучения инжекционного лазера зависит от:

+: выходной мощности

-: вида p-n-перехода

-: дифракционных явлений в резонаторе

-: размера полупроводниковых поверхностей резонатора

I: {{ 5 }} ; K=А

S: В каком режиме работают инжекционные лазеры:

-: активном

+: импульсном

-: модуляции излучения

-: насыщения

I: {{ 6 }} ; K=А

S: В каких лазерах торцевые поверхности оптического резонатора заменены дифракционной решеткой с лазерными диодами:

-: гетеролазерах

-: гетеролазерах с двойной гетероструктурой

+: гетеролазерах с распределенной обратной связью

-: полупроводниковых лазерах с возбуждением электронным лучом

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»