V1: Биполярные и полевые транзисторы

I: {{ 1 }} ; K=А

S: Недостаток полевых транзисторов заключается в

-: отсутствии базы

+: низком быстродействии

-: отсутствии эммиттера

-: изоляции затвора

-: отсутствии коллектора

I: {{ 2 }} ; K=А

S: Соотношение между основными параметрами полевого транзистора имеет вид:

+: =SR_i

-: I_k= I_б

-: I_k= I_Э

-: R=U/I

-: I_б=(1- ) I_Э

I: {{ 3 }} ; K=А

S: В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:

+: h_21Э

-: h_21б

-: h_11Э

-: h_11б

-: h_22Э

I: {{ 4 }} ; K=А

S: Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с:

+: ОК

-: ОБ

-: ОИ

-: ОЭ

-: ОС

I: {{ 5 }} ; K=А

S: Коэффициент усиления транзисторного каскада по мощности

+: К_Р = Р_вых / Р_вх

-: К_Р = Р_вх / Р_вых

-: К_Р = S_вых / S_вх

-: К_Р = S_вх / S_вых

-: К_Р = Q_вых / Q_вх

I: {{ 6 }} ; K=А

S: Отрицательная обратная связь в усилителях используется с целью

+: повышения стабильности усилителя

-: повышения коэффициента усилителя

-: повышения размеров усилителя

-: снижения напряжения питания

-: уменьшения тока покоя усилителя

I: {{ 7 }} ; K=А

S: Коэффициент усиления истокового повторителя по напряжению

+: K_U<1

-: K_U=0

-: K_U>1

-: K_U>>1

-: K_U=1

I: {{ 8 }} ; K=А

S: Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ

+: K_U>>1

-: K_U=1

-: K_U<1

-: K_U=0

-: K_U<0

I: {{ 9 }} ; K=А

S: Какие системы параметров используют для биполярных транзисторов:

+: h, Y, Z

-: A, B, C

-: X, Y, Z

-:

-:

I: {{ 10 }} ; K=А

S: В какой из схем включения биполярного транзистора достигается наибольшее входное сопротивление

+: ОК

-: ОЭ

-: ОБ

-: ОИ

-: ОС

I: {{ 11 }} ; K=А

S: Соотношение между током базы и током эмиттера в усилительном каскаде с ОБ имеет вид:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 12 }} ; K=А

S: Соотношение между током коллектора и током базы транзистора в схеме с ОЭ имеет вид:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 13 }} ; K=А

S: При работе транзистора в ключевом режиме ток коллектора равен нулю:

+: режим отсечки

-: режим насыщения

-: в активном режиме

-: режим А

-: режим В

I: {{ 14 }} ; K=А

S: Для стабилизации рабочей точки усилительного каскада используют:

+: введения отрицательной обратной связи по постоянному току

-: повышение напряжения питания

-: увеличение сопротивления нагрузки

-: положительной обратной связи

-: понижения напряжения питания

I: {{ 15 }} ; K=Б

S: Усилители низкой частоты усиливают сигнал ###

-: в диапазоне частот от 20 до 20 кГц

-: в диапазоне частот от 20 до 20000 Гц

+: все ответы верны

-: от детектора

-: от микрофона

I: {{ 16 }} ; K=А

S: Недостаток полевых транзисторов заключается в ###

-: отсутствии базы

+: низком быстродействии

-: отсутствии эммиттера

-: изоляции затвора

-: отсутствии коллектора

I: {{ 17 }} ; K=А

S: Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?

+: схема включения с ОЭ

-: схема включения с ОБ

-: схема включения с ОК

-: 0

-: 0

I: {{ 18 }} ; K=А

S: Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, база?

+: схема включения с ОБ

-: схема включения с ОК

-: схема включения с ОЭ

-: схема включения с ОИ

-: схема включения с ОС

I: {{ 19 }} ; K=А

S: Какая схема включения у транзистора, если электроды база и коллектор являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?

+: схема включения с ОК

-: схема включения с ОБ

-: схема включения с ОЭ

-: 0

-: 0

I: {{ 20 }} ; K=А

S: Условное обозначение какого прибора дано ГТ115Г?

+: германиевый биполярный транзистор

-: биполярный транзистор большой мощности

-: галлиевый диод

-: кремневый биполярный транзистор

-: кремниевый полевой транзистор

I: {{ 21 }} ; K=А

S: В МДП транзисторе с индуцированным каналом ток стока при нулевом напряжении затвора?

+: отсутствует

-: небольшой

-: большой

-: возрастает

-: переходит в режим насыщения

I: {{ 22 }} ; K=А

S: Какой слой в биполярном транзисторе имеет наименьшую толщину?

+: база

-: эмиттер

-: коллектор

-: все слои одинаковы

-: в зависимости от типа транзистора

I: {{ 23 }} ; K=Б

S: Каково назначения делителя напряжения в усилителях по схеме с ОЭ?

+: задает напряжение смещение базы

-: направляет на выход усиленный сигнал

-: не пропускает постоянную составляющую тока

-: складывает сигналы разных знаков

-: уменьшает выходной сигнал

I: {{ 24 }} ; K=Б

S: Для стабилизации рабочей точки усилительного каскада используют:

+: введения отрицательной обратной связи по постоянному току

-: повышение напряжения питания

-: увеличение сопротивления нагрузки

-: положительной обратной связи

-: понижения напряжения питания

I: {{ 25 }} ; K=А

S: Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:

+: = d U_CU/ d U_ЗU

-: = d U_ЗU / d U_СU

-: = d U_СU / d i_C

-: = d U_ЗU / d i_C

-: = d U_СU/ d i_З

I: {{ 26 }} ; K=А

S: Крутизна стокозатворной характеристики полевого транзистора определяется выражением:

+: S = d i_C/ d U_ЗU

-: S = d U_CU/d i_C

-: S = d U_CЗ/d U_ЗU

-: S = d U_ЗU / d i_C

-: S = d i_C/ d U_СU

I: {{ 27 }} ; K=Б

S: Коэффициент усиления по току транзистора в схеме ОЭ:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 28 }} ; K=Б

S: Статический коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 29 }} ; K=Б

S: Наибольшее усиление по мощности на биполярном транзисторе дает схема:

+: ОЭ

-: ОИ

-: ОК

-: ОС

I: {{ 30 }} ; K=А

S: Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители заряда, называется:

+: эмиттером

-: базой

-: коллектором

-: n-переходом

-: р-переходом

I: {{ 31 }} ; K=А

S: Область в полевом транзисторе, через которую проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток, называется:

+: каналом

-: истоком

-: стоком

-: коллектором

-: затвором

I: {{ 32 }} ; K=А

S: Электрод, из которого вытекают основные носители заряда, называют:

+: истоком

-: каналом

-: стоком

-: коллектором

-: затвором

I: {{ 33 }} ; K=А

S: Электрод, к которому проходят основные носители заряда из канала, называют:

+: стоком

-: каналом

-: истоком

-: коллектором

-: затвором

I: {{ 34 }} ; K=А

S: Управляющий электрод, предназначенный для регулирования площади поперечного сечения канала, называют:

+: затвором

-: каналом

-: истоком

-: коллектором

-: истоком

I: {{ 35 }} ; K=Б

S: Электростатический разряд предоставляет наивысшую угрозу элементам в схемах, которые используют:

-: биполярные транзисторы

-: транзисторы n-p-n

-: транзисторы с обратным смещением

+: МОП-транзисторы

I: {{ 36 }} ; K=А

S: Транзистор n-p-n может быть использован как:

-: радиоусилитель

-: усилитель радиочастот

-: переключатель

+: любой из вышеупомянутых способов

I: {{ 37 }} ; K=Б

S: В типичном транзисторе n-p-n источник питания подсоединен таким образом, что:

+: коллектор положительный по отношению к эмиттеру

-: коллектор отрицательный по отношению к эмиттеру

-: коллектор имеет то же напряжение, что и эмиттер

-: положительная клемма подсоединена прямо к базе

I: {{ 38 }} ; K=А

S: Когда биполярный транзистор p-n-p находится в состоянии обратного смещения:

-: большой поток тока проходит через коллектор, когда нет сигнала

-: малый поток тока проходит через коллектор, когда нет сигнала

+: поток тока не проходит через коллектор, когда нет сигнала

-: любое из вышеупомянутых утверждений может быть справедлив

I: {{ 39 }} ; K=Б

S: Когда два или более сигналов объединены в простом канале связи, то они могут быть разделены при помощи:

-: перехода МОП-транзистора

-: МОП-транзистора с режимом усиления

-: таймера.

+: мультиплексора/демультиплексора

I: {{ 40 }} ; K=Б

S: Какова принципиальная разница между схемой, которая использует транзистор p-n-p, и схемой, использующей транзистор n-p-n:

+: полярность приложенного напряжения питания постоянного тока к электродам в транзисторе p-n-p противоположна полярности транзистора n-p-n

-: транзистор p-n-p имеет больший потенциал усиления, чем транзистор n-p-n

-: транзистор n-p-n имеет больший потенциал усиления, чем транзистор p-n-p

-: транзистор p-n-p более стабилен, чем транзистор n-p-n

-: транзистор p-n-p может генерировать, а транзистор n-p-n – нет

I: {{ 41 }} ; K=А

S: Когда переход эмиттер-база биполярного транзистора находится в состоянии нулевого смещения при отсутствии входного сигнала, ток через эмиттер-коллектор теоретически:

-: большой и отрицательный

-: большой и положительный

-: меняющийся

-: пульсирующий

+: нулевой

I: {{ 42 }} ; K=А

S: Заполните пропуск в следующем предложении: «В контуре, расположенном за эмиттером, ### подсоединяется к «подвешенной земле».

-: вентиль

-: база

-: сток

-: исток

+: коллектор

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»