V1: Электромагнитные устройства и электрические машины. Синхронные машины.
I: {{ 1 }} ; K=А
S: По какой формуле рассчитывается момент взаимодействия магнитных полей якоря и индуктора синхронной машины?
-:
+:
-:
-:
I: {{ 2 }} ; K=В
S: Какие из перечисленных требований являются обязательными при подключении синхронного генератора к трёхфазной сети?
-: высокий электромагнитный момент и малая частота вращения
-: разная частота переменного тока, но одинаковое напряжение
+: одинаковая частота и фаза переменного тока
-: одинаковая частота и противоположная фаза переменного тока
I: {{ 3 }} ; K=В
S: Какой режим применяется для разгона мощных синхронных двигателей ?
-: быстрый пуск
-: синхронный пуск
-: прямой пуск
+: асинхронный пуск
I: {{ 4 }} ; K=В
S: Какой из перечисленных параметров определяет основную область применения синхронных импульсных микродвигателей?
+: возможность поддержания высокой стабильности частоты вращения
-: высокая мощность
-: высокий пусковой момент
-: высокая частота вращения
I: {{ 5 }} ; K=А
S: Какой из перечисленных типов двигателей применяют в качестве компенсаторов реактивной мощности?
-: коллекторный двигатель
-: асинхронный двигатель
+: синхронный двигатель
-: двигатель постоянного тока
I: {{ 6 }} ; K=А
S: От какого параметра зависит характер нагрузки синхронного двигателя?
-: характер нагрузки двигателя независим
-: от вращающего момента
-: от частоты вращения
+: от тока возбуждения
I: {{ 7 }} ; K=В
S: По какой формуле рассчитывается частота вращения ротора синхронного двигателя?
-:
-:
+:
-:
F1: Общая электротехника и электроника
F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.
F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»
V1: Основы электроники
I: {{ 1 }} ; K=А
S: В каких электронных приборах осуществляется преобразование электрического сигнала в световой и затем снова в электрический:
-: электросветовые
-: фотоэлектронные
-: электромеханические
+: механоэлектрические
+: оптопары
I: {{ 2 }} ; K=Б
S: Вид рабочей среды и тип носителей заряда в полупроводниковых приборах
-: вакуум, электроны
+: полупроводник, электроны и дырки
-: разреженный газ, электроны и ионы
-: жидкость, электроны и ионы
I: {{ 3 }} ; K=А
S: Параметры режима электронного прибора:
-: совокупность условий, определяющих состояние или работу электронного прибора
+: ток, напряжение
-: количественные сведения о свойствах прибора
-: статические и динамические
I: {{ 4 }} ; K=Б
S: Математическая модель электронного прибора:
-: статическая
+: система дифференциальных уравнений
-: эквивалентная схема
-: схема замещения
-: мощность P
I: {{ 5 }} ; K=А
S: Какую функцию выполняет конденсатор в источниках питания?
+: сглаживание
-: стабилизация
-: выпрямление
-: понижение
-: повышение
I: {{ 6 }} ; K=Б
S: Модуляция это ###
+: изменение одного из параметров ВЧ сигнала под воздействием сигнала
-: изменение фазы сигнала под воздействием резонанса
-: увеличение частоты ВЧ сигнала
-: изменение всех параметров ВЧ сигнала
-: изменение одного из параметров с помощью конденсатора
I: {{ 7 }} ; K=Б
S: Амплитудная модуляция это ###
+: изменение амплитуды несущего сигнала изменяется прямо пропорционально изменениям амплитуды модулирующего сигнала
-: изменение фазы сигнала с помощью модулируемого сигнала
-: изменение амплитуды с помощью частоты сигнала
-: изменение частоты с помощью амплитуды сигнала
-: изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала
I: {{ 8 }} ; K=Б
S: Частотная модуляция это ###
+: изменение частоты несущего сигнала пропорционально мгновенным значениям модулирующего сигнала при постоянной амплитуде несущей
-: изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала
-: изменение амплитуды с помощью частоты сигнала
-: изменение фазы сигнала с помощью модулируемого сигнала
-: изменение частоты с помощью амплитуды сигнала
I: {{ 9 }} ; K=Б
S: Фазовая модуляция это ###
+: изменение фазы несущего сигнала пропорционально амплитуде информационного сигнала
-: изменение амплитуды с помощью частоты сигнала
-: изменение частоты с помощью амплитуды сигнала
-: изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала
-: изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала
I: {{ 10 }} ; K=А
S: Детектирование это ###
+: процесс, обратный модуляции
-: изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала
-: изменение амплитуды и частоты сигнала
-: изменение фазы сигнала модулируемого сигнала
-: изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала
I: {{ 11 }} ; K=А
S: Колебательный контур состоит только из ###
+: индуктивности и емкости
-: катушки индуктивности с отводами
-: катушки индуктивности с сердечником
-: катушек вариометра
-: конденсатора переменной емкости
I: {{ 12 }} ; K=А
S: Колебательный контур состоит из ###
-: конденсаторов постоянной и переменной емкости
-: электронной лампы и индуктивности
-: транзистора и конденсатора
+: все ответы не верны
-: катушки вариометра с переменным сердечником
I: {{ 13 }} ; K=Б
S: Колебательный контур применяется для получения ###
+: резонанса
-: детектирования
-: модулированного сигнала
-: умножения частоты
-: все ответы неверны
I: {{ 14 }} ; K=А
S: Колебательный контур служит ###
-: выделения сигнала по амплитуде
-: выделения сигнала по фазе
-: выпрямления сигнала
-: кодирования сигнала
+: генерирования сигнала определенной частоты
I: {{ 15 }} ; K=А
S: Достоинство каскада усиления на полевом транзисторе ###
+: высокое входное сопротивление
-: малые габариты
-: высокий кпд
-: все ответы неверны
-: все ответы верные
I: {{ 16 }} ; K=А
S: Закон Ома
+: U=IR
-: U=I/r
-: R=I/R
-: I=UR
-: I=U2R
I: {{ 17 }} ; K=А
S: Скважностью импульсов называют соотношение (Т – период, Тu – длительность импульса):
+:
-:
-:
-:
-:
I: {{ 18 }} ; K=А
S: Амплитудно-частотной характеристикой усилителя называют зависимость ###
+: коэффициента усиления от частоты входного сигнала
-: входного сопротивления от частоты входного сигнала
-: выходного сопротивления от частоты входного сигнала
-: выходной мощности от частоты входного сигнала
-: входного напряжения от частоты
I: {{ 19 }} ; K=А
S: Отрицательная обратная связь в усилителе ###
+: снижает искажения
-: поворачивает усиливаемый сигнал по фазе на 30 °
-: повышает кпд
-: повышает коэффициент усиления
-: поворачивает сигнал по фазе на 90 °
I: {{ 20 }} ; K=А
S: Усилитель низкой частоты есть ###
+: преобразователь электрической энергии источника в усиливаемый сигнал
-: умножитель уровня сигнала
-: преобразователь электрических колебаний низкой частоты
-: умножитель напряжения низкой частоты
-: умножитель тока низкой частоты
F1: Общая электротехника и электроника
F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.
F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»
V1: Контактные явления
I: {{ 1 }} ; K=А
S: p-n переход образуется при контакте:
+: полупроводник- полупроводник
-: металл-металл
-: металл-полупроводник
-: металл-диэлектрик
-: полупроводник-диэлектрик
I: {{ 2 }} ; K=А
S: Полупроводниковые приборы выполняются с использованием в качестве основного материала:
+: кремния
-: железа
-: меди
-: алюминия
-: кислорода
I: {{ 3 }} ; K=А
S: Полупроводники по проводимости находятся ###
+: между диэлектриком и проводником
-: наполовину выше проводников
-: наполовину выше диэлектриков
-: наполовину ниже диэлектриков
-: наполовину ниже проводников
I: {{ 4 }} ; K=А
S: К недостаткам полупроводниковых приборов относится ###
+: ограниченный температурный режим
-: работа не с основными носителями
-: необходимость низкого напряжения
-: необходимость вакуума
-: зависимость электропроводности кристалла
I: {{ 5 }} ; K=А
S: Для включения полупроводникового р-n перехода в прямом направлении необходимо
+: положительный полюс источника соединяют с выводом от p-области, а отрицательный - с выводом от n-области
-: полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную
-: положительный полюс питания соединяют с выводом от n-области, а отрицательный – с p-областью
-: изменить структуру кристаллической решетки полупроводника
-: изменить полярность внутреннего источника питания
I: {{ 6 }} ; K=А
S: Состояние, когда р-n переходу ### называется нейтральным
-: приложено прямое напряжение, обратное потенциальному барьеру
-: приложено обратное напряжение -
+: не приложено никакое внешнее напряжение
-: приложено прямое напряжение, равное потенциальному барьеру
-: приложено обратное напряжение, равное потенциальному барьеру
I: {{ 7 }} ; K=А
S: Для включения полупроводникового р-n перехода в обратном направлении необходимо ###
+: положительный полюс питания соединить с выводом от n-области, а отрицательный с р-областью
-: полярность внешнего источника питания изменить на противоположную
-: положительный понос источника соединить с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от n-области
-: изменить структуру кристаллической решетки полупроводника
-: изменить полярность внутреннего источника питания
I: {{ 8 }} ; K=Б
S: Что такое ширина запрещенной зоны?
+: Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости
-: Зона, расположенная выше валентной зоны
-: Зона, расположенная ниже зоны проводимости
-: 0
I: {{ 9 }} ; K=Б
S: Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:
+: генерация носителей заряда
-: рекомбинация носителей заряда
-: инжекция носителей заряда
-: экстракция носителей заряда
-: непосредственная рекомбинация носителей заряда
I: {{ 10 }} ; K=A
S: Что такое дрейф носителей заряда?
-: направленное движение носителей заряда под действием электрического поля
+: хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля
-: 0
-: 0
-: 0
I: {{ 11 }} ; K=Б
S: Диффузионное электрическое поле в p-n – переходе направлено:
+: от n-области к p-области
-: от p-области к n-области
-: 0
-: 0
-: 0
I: {{ 12 }} ; K=A
S: Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:
-: -p-n +
+: + p-n -
-: 0
-: 0
-:0
I: {{ 13 }} ; K=А
S: При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?
+: да
-: нет
-: 0
-: 0
-: 0
I: {{ 14 }} ; K=A
S: За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках?
+: за счёт добавления легирующих примесей
-: за счет ударной ионизации
-: за счет внешних воздействий
-: за счет лавинного пробоя
-: за счет нагрева полупроводника
I: {{ 15 }} ; K=A
SUKA: За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?
-: за счёт внешних воздействий
+: за счёт ударной ионизации
-: за счет приложения прямого напряжения
-: за счет приложения обратного напряжения
-: за счёт добавления химической примеси
I: {{ 16 }} ; K=A
SUKA: Рекомбинация носителей заряда это:
-: исчезновение пар носителей заряда (электрона и дырки)
+: возникновение пар носителей заряда
-: собственная электропроводность
-: примесная электропроводность
-: появление электронной проводимости
I: {{ 17 }} ; K=A
S: Возникновение пар носителей заряда называют:
-: тепловой генерацией
+: рекомбинацией
-: дрейфом носителей
-: диффузией
-: электропроводностью
I: {{ 18 }} ; K=A
S: Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:
+: диффузией
-: дрейфом
-: генерацией
-: рекомбинацией
-: электропроводностью
I: {{ 19 }} ; K=A
S: Примеси, атомы которых отдают электроны называются:
+: донорами
-: электронной примесью
-: акцепторами
-: дырочной примесью
-: полупроводниками р-типа
I: {{ 20 }} ; K=A
S: Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:
+: акцепторами
-: электронной примесью
-: донорами
-: дырочной примесью
-: полупроводниками р-типа
F1: Общая электротехника и электроника
F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.
F3: Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»