
- •24.Классический метод анализа переходных процессов. Цепи первого порядка
- •25.Классический метод анализа переходных процессов. Круга второго порядка.
- •26.Нелинейные электрические цепи постоянного тока. Методы расчета нелинейных цепей.
- •27.Анализ нелинейных электрических цепей переменного тока
- •28.Цепи периодического несинусоидального тока
- •29.Основные понятия теории четырехполюсников. Уравнения четырехполюсников
- •30.Эквивалентные схемы замещения четырехполюсников. Передаточная функция.
- •31.Понятие электрические фильтры. Основные типы пассивных фильтров
- •32.Типы проводимости полупроводника
- •33.Примесная проводимость полупроводников. Электронно-дырочный переход
- •34.Полупроводниковые диоды и базовые диодные устройства
- •35.Светодиоды и фотодиоды. Применение в полиграфических технологиях
- •36.Структура и принцип действия биполярного транзистора
- •37. Биполярный транзистор. Схемы включения и их параметры
- •38. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме
- •39. Основные режимы работы биполярного транзистора
- •40. Определение дифференциальных н-параметров биполярного транзистора
- •41. Полевой транзистор. Структура и принцип действия???
- •42. Основные схемы транзисторных каскадов усиления и их назначение
- •43. Операционные усилители.
- •44.Генераторы гармонических колебаний. Условия возникновения гармонических колебаний
- •2. Генератор lc-типа
- •45. Интегральные микросхемы. Структура и технология изготовления
32.Типы проводимости полупроводника
В
зависимости от характера функции
различают три типа ВАХ (рис.6.9б).
У
терморезисторов с ВАХ первого
типа (кривая
3) увеличение тока сопровождается
увеличением напряжения. Широкое
распространение получили медно-марганцевые
(ММТ) и кобальто-марганцевые (КМТ)
терморезисторы. Эти приборы чаще всего
используются в измерительных схемах
(например, в электронных термометрах),
терморегуляторах и термокомпенсаторах.
Простейшая схема термокомпенсации в
измерительных приборах приведена на
рис.6.10. Большинству стрелочных
электроизмерительных приборов присуща
температурная погрешность, возникающая
за счет существенного возрастания
сопротивления
медной рамки прибора при увеличении
температуры (положительный ТКС
).
В то же время сопротивление
падает за счет отрицательного ТКС
терморезистора, а сопротивление шунта
остается неизменным. Общее сопротивление
цепочки термокомпенсации
изменяется таким образом, что суммарное
сопротивление всей резистивной цепи в
заданном интервале температур оказывается
стабильным.
Рисунок 6.10 — Схема термокомпенсации измерительных приборов
В
измерительных устройствах и системах
автоматического регулирования зачастую
применяются измерительные мосты, в одно
из плеч которых включается терморезистор.
Величина разбаланса моста позволяет
определить отклонение температуры от
номинального значения, которое
соответствует балансу моста. Другой
способ измерения температуры заключается
в определении отклонения частоты
генератора, которая определяется
величиной сопротивления
,
в качестве которого и используется
терморезистор.
У терморезисторов с ВАХ второго типа (кривая 2) в определенном диапазоне токов напряжение практически не меняется. Такие приборы используют в качестве стабилизаторов напряжения. На рис. 6.11 приведена схема простейшего стабилизатора напряжения, построенного по принципу делителя напряжения.
У терморезисторов с ВАХ третьего типа (кривая 1) после достижения максимума рост тока сопровождается уменьшением напряжения. Эти приборы применяются в системах автоматического регулирования.
Рисунок 6.11 — Схема стабилизатора напряжения на терморезисторе
Если в цепь с таким терморезистором включить обычный линейный резистор, в цепи будет наблюдаться релейный эффект (скачкообразное изменение тока при изменении окружающей среды или приложенного напряжения).
В
отличие от терморезисторов с отрицательным
ТКС позисторы (терморезисторы с
положительным ТКС
)
имеют
-образную
температурную характеристику (рис.6.12а).
Позистор, включенный последовательно
с переменным сопротивлением нагрузки,
выполняет функцию ограничителя тока.
Когда сопротивление нагрузки падает
ниже определенного значения, в цепи
увеличивается ток и увеличивается
температура позистора. Сопротивление
позистора при этом возрастает (рис.6.12а),
что и ограничивает ток в цепи нагрузки.
33.Примесная проводимость полупроводников. Электронно-дырочный переход
При сообщении энергии (повышении температуры, освещенности и т.п.) атомам полупроводника в них появляются свободные электроны, которые могут перемещаться под действием внутреннего или внешнего электрического поля. Незаполненная ковалентная связь, оставшаяся на месте ушедшего электрона, создает положительный заряд, называемый дыркой. Электроны и дырки являются носителями заряда в полупроводнике, а проводимость полупроводника, осуществляемая зарядами обоих знаков (свободных электронов и дырок) называется электронно-дырочной или собственной проводимостью. В идеальном кристалле полупроводника концентрации этих носителей заряда совпадают (рис.6.7 а).
а б
Рисунок 6.7 — Идеальный полупроводник в равновесном состоянии (а)
и при наложении внешнего поля (б)