§ 8. Умови на межі поділу двох діелектриків для і .

b→0, E_1x=E_2x, E_1x=E_1τ, E_2x=E_2τ

(2.16)

(2.17)

Тангенціальні складові вектора напруженості електричного поля Е на межі поділу діелектриків неперервні, тангенціальні складові D зазнають розриву.

(2.18)

(2.19)

На межі поділу двох діелектриків нормальні складові вектора D неперервні, а нормальні складові вектора Е зазнають розриву.

ε₁>ε₂ :

(2.20)

ε₁>ε₂:

Заломлення і розрив ліній вектора

Заломлення (сторонніх зарядів на границі немає)

§9. Сегнетоелектрики.

Існує група діелектриків, які за відсутності зовнішнього поля мають спонтанну (самочинну) поляризованість в невеликих, але макроскопічних об’ємах речовини, лінійні розміри яких l~10^-6 м.

До них відноситься сегнетова сіль, BaTiO₃.

Властивості:

1) ε~10⁴

2) χ χ = χ (E)

3) Електричний гістерезис (запізнення):

Доменна структура:

Якщо помістити сегнетоелектрик в електричне поле, дипольні моменти намагатимуться розвернутися за полем.

4) Наявність точок Кюрі.

Сегнетоелектрики проявляють особливі властивості лише в певному інтервалі температур. Для кожного діелектрика існує гранична температура, вище якої він стає звичайним полярним діелектриком. Ця температура називається точкою Кюрі . Наприклад, сегнетова сіль має 2 точки Кюрі: _верх=22,5 ^оС і _нижн=-15 ^оС.

χ(T-θ)=const - закон Кюрі-Вейса.

Розділ 3. Провідники в електричному полі.

Провідники – речовини, які добре проводять електричний струм, мають малий опір.

В 1 см³ – N_e~10²²

§1. Незаряджений провідник у зовнішньому полі.

Явище електростатичної індукції.

Заряди – індуковані.

Переміщення відбувається, доки не встановиться такий розподіл зарядів, при якому всередині провідника , .

Висновки:

а)

Всередині провідника не буде нескомпенсованих надлишкових зарядів, їх ρ=0

б) Е=0;

Потенціал в провіднику однаковий в усіх його точках. Будь-який провідник в електростатичному полі являє собою еквіпотенціальну ділянку і його поверхня еквіпотенціальна. З цього випливає, що вектор E перпендикулярний поверхні провідника.

ρ=0 E=0

φ=const

§2. Електростатичне екранування.

В цілях захисту напівпровідникових приладів від електричних полів їх захищають металевою сіткою.

§3. Напруженість поля біля поверхні провідника та розподіл зарядів у провіднику.

(3.1)

Напруженість електричного поля поблизу поверхні провідника спрямована за нормаллю до поверхні і однозначно визначається поверхневою густиною зарядів.

Якщо зарядити провідник складної форми з вістрям:

При цьому: σ₁ >σ₃ > σ₂

Можна уявити модель такого провідника у вигляді:

Отже, (3.2)

σ – обернено пропорційна радіусу кривизни поверхні.