- •Часть 1. Статические вольтамперные характеристики полевого транзистора.
- •Паспортные данными полевого транзистора.
- •Построение семейства выходных характеристик полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком (ои).
- •Построение статической передаточной (стоко-затворной) характеристики полевого транзистора в области пологого изменения тока стока.
- •5.Вычисление напряжения отсечки.
- •Вычисление прочих параметров полевого транзистора (крутизна s, выходное сопротивление) в области пологого изменения тока стока по экспериментальным статическим вах.
- •Часть 2. Работа полевого транзистора в ключевом режиме.
- •Экспериментальный стенд для исследования работы полевого транзистора в ключевом режиме.
- •Определение стационарных выходных напряжений ключа в замкнутом состоянии для двух значений резистора Rd в стоковой цепи.
5.Вычисление напряжения отсечки.
Напряжение отсечки определяется как минимальное (по модулю) напряжение между затвором и истоком, при котором ток стока прекращается. Для того чтобы определить напряжение отсечки, потребуется построить более наглядную линейную зависимость
.В
месте пересечения её с осью Uzi
мы получим
искомое значение
Рис.4. Нахождение Uotc. Зависимость .
В
Вычисление прочих параметров полевого транзистора (крутизна s, выходное сопротивление) в области пологого изменения тока стока по экспериментальным статическим вах.
Выходное сопротивление r ( r= UСИ/IС при постоянном напряжении на затворе UЗИ), крутизна S ( S=IС/UЗИ при постоянном напряжении на стоке), а также коэффициент усиления Кu (Ku=UСИ/UЗИ при постоянном токе стока) относятся к числу малосигнальных параметров полевого транзистора. Выходные сопротивления r вычисляют по выходным характеристикам, крутизну S – по стоко-затворной характеристике..
Выходное сопротивление:
Рис.5. Зависимость выходного
напряжения полевого транзистора от
тока истока
Определенные параметры Votc, Inas позволяют
представить проходную характеристику
теоретической зависимостью (для области
пологого изменения тока стока)
Рис. 6а. Проходная характеристика
полевого транзистора
Idt(vgs) - теоретическая зависимость
по определенным параметрам Votc, Inas,
Ids(Vgs) - построенная по экспериментальным
точкам
Определение крутизны S транзистора
согласно теоретической зависимости:
Рис. 6б. Зависимость крутизны полевого
транзистора от напряжения затвор-исток
Рис. 6в. Зависимость крутизны полевого
транзистора от тока стока
Часть 2. Работа полевого транзистора в ключевом режиме.
Экспериментальный стенд для исследования работы полевого транзистора в ключевом режиме.
Блок-схема экспериментальной установки для исследования работы полевого транзистора в ключевом режиме приведена на рис. 7.
Р
ис.
7. Блок-схема лабораторной установки
для исследования работы полевого
транзистора в ключевом режиме.
В данной схеме управляющим напряжением для электронного ключа служит выходное напряжение от измерительного импульсного генератора Г5-63.
