Электрический ток в вакууме. Проводимость полупроводников
Уровень Ферми является:
верхней границей заполненных энергетических состояний в металле при температуре
верхней границей заполненных энергетических состояний в металле при температуре, близкой к абсолютному нулю
энергией, которой обладает электрон, вышедший из металла и покоящийся у его поверхности
Работу выхода электрона из металла можно качественно характеризовать как:
минимальную энергию, необходимую электрону для выхода за пределы металла
максимальную энергию, необходимую электрону для выхода за пределы металла
энергию, необходимую электрону для выхода за пределы металла и удаления на бесконечно большое расстояние
Характерная величина работы выхода электрона из металла имеет порядок:
нескольких джоулей
нескольких эрг
нескольких электрон-вольт
Дополнительные донорные энергетические уровни, обусловленные наличием примеси в полупроводнике, образуются:
вблизи нижней границы зоны проводимости в запрещенной зоне
посередине запрещенной зоны
вблизи верхней границы валентной зоны в запрещенной зоне
Дополнительные акцепторные энергетические уровни, обусловленные наличием примеси в полупроводнике, образуются:
вблизи нижней границы зоны проводимости в запрещенной зоне
посередине запрещенной зоны
вблизи верхней границы валентной зоны в запрещенной зоне
Энергия электронов в полупроводнике принимает максимальные значения:
в валентной зоне
в зоне проводимости
в запрещенной зоне
Связь с атомами кристаллической решетки полупроводника является наиболее сильной для электронов:
в валентной зоне
в зоне проводимости
в запрещенной зоне
Характерная ширина запрещенной зоны для полупроводников имеет значения
:
Распределение электронов проводимости в металле по энергетическим состояниям описывается статистикой:
Больцмана
Максвелла
Ферми–Дирака
Плотность тока насыщения в вакуумном диоде:
возрастает с увеличением температуры катода и уменьшением работы выхода электрона из катода
возрастает с уменьшением температуры катода и уменьшением работы выхода электрона из катода
возрастает с увеличением температуры катода и увеличением работы выхода электрона из катода
При небольших напряжениях на вакуумном диоде сила анодного тока зависит от анодного напряжения, взятого:
в первой степени
во второй степени
в степени «три вторых»
Нелинейная зависимость между током и напряжением в вакуумном диоде (закон «трех вторых») обусловлена:
наличием пространственного заряда вблизи катода
наличием электронного облака вблизи анода
равномерным распределением пространственного заряда между катодом и анодом
Насыщение анодного тока в вакуумном диоде при больших анодных напряжениях обусловлено тем, что:
все электроны, испускаемые катодом в единицу времени, достигают анода
все электроны, испускаемые катодом, концентрируются в электронном облаке
все испускаемые катодом электроны под действием анодного поля возвращаются на катод
При условии выполнения закона «трех вторых» электрическое поле внутри вакуумного диода является:
равным нулю
однородным
неоднородным
Анодный ток в вакуумном диоде достиг насыщения. При этом электрическое поле внутри вакуумного диода является:
равным нулю
однородным
неоднородным
В одномерной модели вакуумного диода рассматривают электроны, испускаемые катодом, которые ускоряются в электрическом поле по мере их движения к аноду. При этом предполагается, что плотность тока в зависимости от пространственной координаты:
уменьшается
увеличивается
остается постоянной
Электроны, испускаемые катодом в процессе термоэлектронной эмиссии, находятся в равновесии вблизи катода, поскольку:
потенциал электрического поля вблизи катода равен нулю
напряженность электрического поля вблизи катода равна нулю
электрическое поле вблизи катода является однородным
Пространственный заряд, сосредоточенный вблизи катода, экранирует электрическое поле анода. Следовательно:
напряженность электрического поля вблизи катода возрастает
напряженность электрического поля вблизи катода равна нулю
электрическое поле вблизи катода изменяет направление
Полупроводниковый диод используется для:
выпрямления переменного электрического тока
усиления переменного тока или переменного напряжения
модуляции электрического тока
Транзистор применяется для:
выпрямления переменного электрического тока
усиления переменного тока или переменного напряжения
модуляции электрического тока
Напряженность контактного электрического поля в области
-перехода
направлена:
от
-полупроводника
к
-полупроводнику
параллельно границе полупроводников
от -полупроводника к -полупроводнику
Возникновение контактного электрического поля в области
-перехода
обусловлено:
действием внешнего источника тока
диффузией дырок из -полупроводника в -полупроводник и электронов в обратном направлении
диффузией дырок из -полупроводника в -полупроводник и электронов в обратном направлении
-переход включен в прямом направлении, если напряженность электрического поля, создаваемого внешним источником тока:
направлена так же, как и напряженность контактного электрического поля
направлена противоположно напряженности контактного электрического поля и обязательно превышает ее по абсолютной величине
направлена противоположно напряженности контактного электрического пол
-переход включен в обратном направлении, если напряженность электрического поля, создаваемого внешним источником тока:
направлена так же, как и напряженность контактного электрического поля
направлена противоположно напряженности контактного электрического поля и обязательно уступает ей по абсолютной величине
направлена противоположно напряженности контактного электрического поля
Толщина базы транзистора должна быть по сравнению с длиной свободного пробега носителей:
намного большей
одного порядка
намного меньшей
Рассматривается схема включения транзистора с общей базой. Переход эмиттер – база должен быть включен:
в обратном направлении для основных носителей эмиттера и базы
в прямом направлении для основных носителей эмиттера и базы
независимо от типа основных носителей эмиттера и базы
Рассматривается схема включения транзистора с общей базой. Переход база – коллектор должен быть включен:
в прямом направлении для основных носителей базы и коллектора
независимо от типа основных носителей базы и коллектора
в обратном направлении для основных носителей базы и коллектора
Рассматривается схема включения транзистора с общей базой. Усиление переменного напряжения на нагрузке в цепи коллектора осуществляется:
за счет источника постоянного напряжения в цепи эмиттера
за счет источника постоянного напряжения в цепи коллектора
за счет переменного напряжения в цепи эмиттера