40 Магнитный контраст 2 рода в рэм

Является результатом взаимодействия высокоэнергетических электронов зонда с внутренним полем образца. возникает за счет того, что магнитное поле, присущее некоторым материалам, может воздействовать на сам процесс взаимодействия первичного электронного пучка с этими материалами или на результат этого взаимодействия. В РЭМ эти магнитные эффекты могут быть использованы для создания контраста изображения областей с различным направлением намагниченности (магнитных доменов)

42 Оже-спектроскопия

При реализации этого процесса внешнее излучение (первичный или вторичный электрон, ион, рентгеновское излучение) создает на внутренней оболочке атома вакансию, которая затем заполняется либо электроном с соседней оболочки, либо валентным электроном. Механизм оже-перехода характеризуется заполнением дырки одним электроном и эмиссией второго электрона (оже-электрона). (В случае рентгеновской флуоресценции вместо второго электрона испускается квант рентгеновского излучения.)При этом энергия оже-электрона фиксирована для каждого электронного уровня каждого атома, поэтому, регистрируя пик оже-электронов данного элемента, можно получить распределение этого элемента по поверхности образца.Существует несколько подвидов оже-спектроскопии в зависимости от применяемого средства возбуждения атома мишени.Если это электромагнитное излучение, то соответственно РФЭС (рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и УФЭС (ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия); если электроны, то ЭОС (электронная оже-спектроскопия); если ионы, то ИОС (ионная оже-спектроскопия)

44 Спектроскопия обратного рассеяния Резерфорда

которое заключается в облучении поверхности образца остросфокусированным пучком ионов с энергией от 100 кэВ до 5 МэВ.

В методе ОРР используется явление кулоновского рассеяния быстрых ионов ядрами исследуемого вещества на углы больше 90°. Зависимость энергии рассеянного иона от массы рассеивающего ядра обеспечивает принципиальную возможность элементного анализа мишени. Обычно в качестве зондирующего пучка используются легкие ионы — ионы водорода и гелия.

46 Туннельная и атомно-силовая микроскопия

В 1982 г. Г. Биннинг и Г. Рорер (Цюрихский филиал IBM) создали совершенно новый прибор- сканирующий туннельный микроскоп (СТМ), с помощью которого им удалось получить изображение поверхности с атомной точностью. СТМ состоит из двух электродов, одним из которых является исследуемый образец, а другим — острая металлическая игла, кончик которой удален от исследуемой поверхности на расстояние не более 10 А. При подаче потенциала на иглу и исследуемую поверхность через эти локальные икровыступы потечет туннельный ток.

Принцип действия атомно-силового микроскопа основан на сканировании поверхности исследуемого образца зондирующей иглой, закрепленной на кронштейне малой механической жесткости (вся конструкция называется кантилевером), и регистрации отклонения кронштейна под действием межатомных или межмолекулярных сил. Передвижение острия осуществляется трехкоординатным пьезомикроманипулятором . Приближение поверхности образца к игле вызывает отклонение кронштейна от положения равновесия, и это отклонение преобразуется в электрический сигнал.