32 Достоинства и недостатки метода ионной имплантации

 Недостатки : 1одновременное с легированием образование в облучаемых кристаллах радиационных нарушений кристаллической решетки, что существенно изменяет электрофизические свойства материала. 2стоимость облучения,и  необходимость соблюдения мер радиационной безопасности3  сложность создания достаточно глубоких слоев (более I мкм)

Достоинства : 1имплантация не изменяет геометрические размеры обрабатываемых изделий, что позволяет использовать ион.имп в качестве финишной обработки в существующих технологических процессах;2имп.примесей можно приводить при температуре, близкой к комнатной;3обеспечивается одновременно дисперсионное и деформационное упрочнение поверхностного слоя; 4не существует проблем адгезии;5 существует возможность упрочнения за счет аморфизации поверхности, что позволяет улучшать свойства упрочненных мартенистых сталей.

34 Растровая электронная микроскопия. Основные принципы

В растровых электронных микроскопах (РЭМ; рис. 2) электронный луч, сжатый магн. линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует пов-сть образца, формируя на ней растр из неск. тыс. параллельных линий. Возникающее при электронной бомбардировке пов-сти вторичные излучения (вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются разл. детекторами и преобразуются в видеосигналы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой площади объекта. Увеличение РЭМ определяется как М = L/l, где L и l - длины линий сканирования на экране ЭЛТ и на пов-сти образца.

36 Топографический контраст в рэм

обусловлен изменением интенсивности эмиссии вторичных электронов и коэффициента отражения для отраженных электронов, угла наклона элемента поверхности к первичному пучку.Характерная черта– повышенная яркость изображения острых вершин и выступов рельефа (краевой эффект),вызванная увеличением выхода электронов с этих участков. Снижениеразрешающей способности и потеря отдельных деталей изображения усугубляются при этом за счет более эффективного улавливания коллектором электронов, вылетающих из выступов рельефа.

38 Контраст в режиме наведенного тока в рэм

связан с явлениями образования электронно-дырочных пар в полупроводниковых приборах;Электронный луч с большой энергией фокусируется на маленькой площади микросхемы и проникает через несколько слоев ее структуры, в результате в полупроводнике генерируются электронно-дырочные пары. При соответствующих внешних напряжениях, приложенных к ИМС, измеряются токи обусловленные вновь рожденны-ми носителями заряда. метод позволяет:- определить периметр р-n перехода. Форма периметра оказывает влияние на пробивные напряжения и токи утечки. По фотографиям р-n перехода можно определить искажения периметра р-n перехода- определить места локального пробоя р-n перехода. При образовании локального пробоя р-n перехода в месте пробоя образуется лавинное умножение носителей тока Если первичный пучок электронов попадает в эту область, то генерированные первичными электронами электронно-дырочные пары также умножаются в р-n переходе, в результате чего в данной точке будет зафиксировано увеличение сигнала и соответственно появление светлого пятна на изображении. Изменяя обратное смещение на р-n переходе, можно выявить момент образования пробоя, а проведя выявление структурных дефектов например с помощью селективного травления или с ПЭМ, можно сопоставить область пробоя с тем или иным дефектом. - наблюдать дефекты.