22 Модель Каная в электронной литографии

Для определения величины x_d Каная предложил выражение, в котором С является подгоночным параметром со значениями от 8 до 12: . Модель Каная давала плохое совпадение с экспериментальными данными в электронолитографии и поэтому не получила распространения. Лежащие в ее основе приближения, связанные с профилем получаемой на резисте прямой линии также не соответствовали практическим целям

24 Модель обратного рассеяния в электронной литографии

увеличение ускоряющего напряжения приводит к существенному росту области нежелательной засветки резиста  обратно рассеянными электронами.  Проведено широкомасштабное исследование и критическое осмысление численных моделей рассеяния пучка электронов в твёрдой мишени, применительно к высокоэнергетической эл.лит.. На основании исследований и сравнения результатов расчётов с экспериментальными данными выделен оптимальный набор моделей, который обеспечивает разумную длительность получения численных результатов, а также наилучшее их соответствие экспериментальным данным

26 Эффект близости в электронной литографии

Близко расположенные элементы получают избыточную дозу из-за обратного рассеяния от соседних элементов (взаимный эфф.близости), что вызывает сужение неэкспонированных участков. Если берется более тонкая кремниевая пластина для ослабления обратного рассеяния, то взаимный эфф.близ. практически не наблюдается. Вот основные методы ослабления взаимного эфф.близ.:

а) коррекция дозы и размера пятна или применение мембран, протравленных с обратной стороны;

б) использование многослойного резиста с барьерным слоем из металла и толщиной чувствительного слоя 0.1-0.2 мкм;

в) использование электронных пучков с энергией 50-100 кэВ;

г) обработка верхнего слоя резиста (толщиной 100 нм), в котором сформировано изображение, кремний- или металло-держащим мономером и последующее сухое проявление;

д) использование высококонтрастных резистов.

28 Реактивное ионно-плазменное травление

 — этап фотолитографического процесса, заключающийся в удалении негативного фоторезиста с необлученных участков или позитивного фоторезиста с облученных участков подложки, покрытой тонкой пленкой фоторезиста. реактивное ионное травление, при котором подложка, покрытая маской, подвергается воздействию плазмы, возбужденной высокочастотным электрическим полем. Радикалы и нейтральные частицы плазмы участвуют в химических реакциях на поверхности, образуя летучие продукты, а положительные ионы плазмы бомбардируют поверхность и выбивают атомы с незащищенных участков подложки. Ионно-плазменное травление проще всего осуществить в высокочастотной диодной системе. Материал, подвергаемый травлению, закрепляется на запитываемом электроде и бомбардируется притягиваемыми из плазмы ионами  1 - Рабочий газ; 2 - К насосу; 3 – Подложка; 4 – Катод; 5 - Заземленный экран; 6 - Источник ВЧ-напряжения.

30 Ионное легирование. Общие представления и физические принципы

— добавление в состав материалов примесей для изменения (улучшения) физических и химических свойств основного материала. Легирование является обобщающим понятием ряда технологических процедур, различают объёмное (металлургическое) и поверхностное (ионное, диффузное и др.) легирование. Ионное лиг. позволяет контролировать параметры приборов более точно, чем термодиффузия, и получать более резкие pn-переходы. проходит в несколько этапов:1)Загонка (имплантация) атомов примеси из плазмы (газа).2)Активация примеси, контроль глубины залегания и плавности pn-перехода путем отжига.контролируется следующими параметрами:1)доза — количество примеси;2)энергия — определяет глубину залегания примеси (чем выше, тем глубже);3)температура отжига — чем выше, тем быстрее происходит перераспределение носителей примеси;4)время отжига — чем дольше, тем сильнее происходит перераспределение примеси.