10 Ионно-плазменное напыление

При бомбардировке поверхности твердого тела отдельными атомами, ионами или молекулами, имеющими энергию, большую энергии связи атома тела, материал мишени распыляется. Если поблизости от нее поместить подложку, то часть атомов распыляемой мишени попадет на подложку и конденсируется (напыляется), образуя пленку. Для бомбардировки мишени удобно использовать заряженные частицы – ионы, так как их легко разгонять до нужной энергии в электрическом поле. Иногда для напыления применяют специальные источники ионных пучков, в которых ионы отсортированы по массам и имеют одну и ту же энергию. Но чаще в качестве источников ионов используют газоразрядную плазму, из которой положительные ионы вытягиваются отрицательно заряженной мишенью. 

12 Критерий Джексона ??????

14 Молекулярно-лучевая эпитаксия

— эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ»). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью.Технология молекулярно-пучковой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж.Артуром и Альфредом Чо В основе метода лежит осаждение испаренного в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку.. Основные требования :-В рабочей камере установки необходимо поддерживать сверхвысокий вакуум (около 10−8 Па).-Чистота испаряемых материалов должна достигать 99,999999 %.-Необходим молекулярный источник, способный испарять тугоплавкие вещества с возможностью регулировки плотности потока вещества.Особенностью эпитаксии является невысокая скорость роста пленки (обычно менее 1000 нм в час).

16 Литографические резисты. Их основные характеристики

Литография предназначена для создания топологического рисунка на поверхности пластины.

По чувствительности к виду излучения :- фоторезистры – электронорезистры

По реакции на воздействие изл :-позитивные,-негативные

Основные параметры : -чувтсвительность к изл; - разрешающую способность;-устойчивость к проявителю- Контрастно-чувствительная характеристика (КЧХ) - зависимость толщины облученного и проявленного слоев резиста от дозы облучения.

18 Рентгеновская литография

- метод микроэлектронной технологии, заключающийся в формировании с субмикронным разрешением защитной маски заданного профиля на поверхности подложки; осуществляется при помощи рентг. излучения длиной волны l ~ 0,4-5 нм; один из методов микролитографии. Разрешающая способность Р. л. определяется неск. факторами. Основные из них: дифракционное  полутеневое  и фотоэлектронное   размытия границ скрытого изображения.

20 Электронная литография. Проекционная и сканирующая

Эл лит— метод нанолитографии с использованием электронного пучка. Электронный пучок сканирует поверхность электронного резиста, повторяя шаблон, заложенный в управляющий компьютер, и позволяя достигать разрешения 1 нм благодаря более короткой длине волны электронов по сравнению со светом. Эл лит используется для создания масок для фотолитографии, производстве штучных компонентов, где требуется нанометровое разрешение, в промышленности и научной деятельности.Проекционная литография основана на экспонировании одиночного изображения больших размеров для получения копий шаблона с линиями субмикронной толщины. Шаблон изготавливается заранее методом сканирующей электронной литографии. Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты дисторсии и расширения пучка и определяет положение пластины.  Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ