
- •4 Принцип действия и устройство полевого транзистора с мдп – структурой
- •6 Инверторы
- •8 Конденсация пара и образование пленочной структуры. Недостатки метода твн
- •10 Ионно-плазменное напыление
- •12 Критерий Джексона ??????
- •14 Молекулярно-лучевая эпитаксия
- •16 Литографические резисты. Их основные характеристики
- •18 Рентгеновская литография
- •20 Электронная литография. Проекционная и сканирующая
- •22 Модель Каная в электронной литографии
- •24 Модель обратного рассеяния в электронной литографии
- •26 Эффект близости в электронной литографии
- •28 Реактивное ионно-плазменное травление
- •30 Ионное легирование. Общие представления и физические принципы
- •32 Достоинства и недостатки метода ионной имплантации
- •34 Растровая электронная микроскопия. Основные принципы
- •36 Топографический контраст в рэм
- •38 Контраст в режиме наведенного тока в рэм
- •40 Магнитный контраст 2 рода в рэм
- •44 Спектроскопия обратного рассеяния Резерфорда
- •46 Туннельная и атомно-силовая микроскопия
- •48 Принцип работы атомно-силового микроскопа
2
Принцип действия и устройство полевого
транзистора с управляющим р-п переходом.
П. тр с управляющим р-n- переходом – это
полевой транзистор, затвор которого
отделен в электрическом отношении от
канала р-n-переходом,
смещенным в обратном направлении.
П. тр. — полупроводниковый прибор,
в котором ток изменяется
в результате
действия перпендикулярного току электрического
поля,
создаваемого входным сигналом.Протекание
в п.т. рабочего тока обусловлено носителями
заряда только одного знака (электронами
или дырками), поэтому такие приборы
часто включают в более широкий класс
униполярных электронных приборов (в
отличие от биполярных)Напряжение Uзи,
при котором канал полностью перекрывается,
а ток стока Iс становится весьма малым
(десятые доли микроампер), называют
напряжением отсечки Uзи отс.
Входное сопротивление 107…109
4 Принцип действия и устройство полевого транзистора с мдп – структурой
Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением,(подложкой) созданы две сильнолегированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. В качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния , выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Входное сопротивление достигает 1010…1014 Ом, что является преимуществом.разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока( пороговым напряжением)
В МДП-транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.
6 Инверторы
Инве́ртор —устройство для преобразования постоянного тока в переменный ток[] с изменением величины напряжения или без. Обычно представляет собой генератор периодического напряжения, по форме приближённого к синусоиде. Несколько групп инверторов, которые различаются по стоимости примерно в 15 раз:1) более дорогие инверторы обеспечивает синусоидальное выходное напряжение.2) обеспечивает выходное напряжение упрощённой формы, заменяющей синусоиду. Чаще всего используется сигнал в видетрапецеидального синуса
три режима работы инвертора:3)Режим длительной работы. Данный режим соответствует номинальной мощности инвертора. 2)Режим перегрузки. В данном режиме большинство моделей инверторов в течение нескольких десятков минут (до 30) могут отдаватьмощность в 1,2-1,5 раза больше номинальной.3)Режим пусковой. В данном режиме инвертор способен отдавать повышенную моментальную мощность в течение нескольких миллисекунд для обеспечения запуска электродвигателей и емкостных нагрузок.
8 Конденсация пара и образование пленочной структуры. Недостатки метода твн
Метод термовакуумного напыления (ТВН) основан на создании направленного потока пара вещества и последующей конденсации его на поверхностях подложек, имеющих температуру ниже температуры источника пара. Процесс ТВН можно разбить на четыре этапа: образование пара вещества, распространение пара от источника к подложкам, конденсации пара на подложках, образование зародышей и рост пленки/ Для уменьшения потерь испаряемого материала за счет напыление на внутрикамерную оснастку и стенки камеры, а также для повышения скорости напыления и получения более равномерной по толщине пленки необходимо обеспечивать прямолинейное движение частиц пара в направлении подложки.
Качество пленки определяется размером зерна и величиной адгезии к поверхности подложки