Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего профессионального образования

«Тульский государственный университет»

Институт высокоточных систем им. В.П.Грязева

Кафедра радиоэлектроники

Методические указания по контрольной работе заочника

по дисциплине

Материалы и компоненты электронных средств

Направление подготовки: 211000 Конструирование и технология электронных средств

Квалификация выпускника: бакалавр

Формы обучения: заочная

Тула 2012 г.

Методические указания по КР составлены к.т.н. доц. Лаппо А.Ю. и обсуждены на заседании кафедры радиоэлектроники факультета САУ.

протокол № 8 от "18" января 2012г.

Зав. кафедрой ________________ Н.А. Зайцев

Методические указания по КР пересмотрены и утверждены на заседании кафедры радиоэлектроники факультета САУ.

протокол №___ от "___"____________ 20___ г.

Зав. кафедрой ________________

1 Цель курсовой работы

Контрольная работа заочника (КРЗ) по дисциплине «Материалы и компоненты электронных средств» имеет целью развитие у студентов навыков самостоятельной творческой работы, углубленное изучение вопросов связанных с проектированием и моделированием сложных радиоэлектронных систем и устройств.

2 Тематика и содержание крз

Цель КРЗ заключается в закреплении знаний и навыков, полученных в процессе изучения лекционного курса. Курсовая работа рассчитана на 10 часов самостоятельной работы студента. Тематика КРЗ направлена на анализ характеристик случайных величин. На выполнение КРЗ должно быть затрачено 15 недель (1 неделя – получение задания, 16 неделя – сдача КРЗ).

Содержание КРЗ:

Тематика контрольной работы включает поиск информации о различных материалах и компонентах.

В процессе выполнения контрольной работы должны быть выполнены следующие задания:

1. Представить информацию об определённом радиоматериале или контакте 2-х материалов

2. Найти в необходимый компонент по техническому описанию.

Если в качестве первого задания дано найти описание материала, то особенно интересуют его удельное сопротивление и его зависимость температуры, пробивное напряжение и диэлектрическая проницаемость (для диэлектрика), магнитные свойства, температура плавления, удельная прочность, вязкость всех его видов (например, для меди – это твёрдая и мягкая медь). Для сплавов – привести состав сплава. Для полупроводников – привести описание примесей, которые используют для образования полупроводников P и N типа.

Если в качестве первого задания дано найти описание контакта 2-х материалов, или общее описание материала (металл, полупроводник i,n,p, диэлектрик) то необходимо в понятной форме изложить физические принципы этого вещества с иллюстрацией структуры на атомарном уровне и энергетических зон.

В качестве второго задания необходимо провести поиск необходимого радиокомпонента среди существующих на рынке и записать несколько найденных вариантов в форме, соответствующей спецификации по ГОСТу. Если конкретный элемент не существует – предложить элементы, у которых не все параметры соответствуют требуемым. Для резисторов, дросселей и конденсаторов предлагать комбинации параллельных или последовательных соединений. Если параметр обозначает максимально допустимую физ. величину, то вначале предлагать варианты с большим значением данной величины (например для транзисторов с максимальным током коллектора 1А можно предлагать транзисторы с током коллектора 2А). Если вариантов с большим очень мало или вообще нет то предложить варианты с меньшим значением (например если дроссель индуктивностью 100мГн на 2А не существует, а существует максимум на 0,5А – предложить его).

Пример: найти сопротивление 1,67Ком 1,5Вт в нормальном выводном корпусе.

1. Точный поиск резистора 1,65Ком±20% 1,5Вт результата не дал.

2. Ближайший по номиналу резистор 1,6КОм или 1,8КОм

3. Резисторы с мощностью 1,5Вт не существуют – существует мощность 1Вт и 2Вт

4. Найденные типы резисторов МЛТ, ВС

Результат:

Формат	Зона	Поз.	Обозначение	Наименование	Кол.	Примечание
				Точные по ТЗ
				-
				Ближайшие по
				сопротивлению и большие
				по мощности
				Резисторы ГОСТ 7113-77
				МЛТ-2Вт – 1,6 КОм ±20%	1
				МЛТ-2Вт – 1,8 КОм ±20%	1
				ВС-2Вт – 1,6 КОм ±20%	1
				ВС-2Вт – 1,8 КОм ±20%	1
				Ближайшие по
				сопротивлению и меньшие
				по мощности
				МЛТ-1Вт – 1,6 КОм ±20%	1	Не подходят по
				МЛТ-1Вт – 1,8 КОм ±20%	1	максимальной
				ВС-1Вт – 1,6 КОм ±20%	1	Мощности!!!
				ВС-1Вт – 1,8 КОм ±20%	1
				Комбинации резисторов,
				МЛТ-1Вт – 3,3 КОм ±20%	2	Параллельное
						Соединение

Исходные данные к заданию №1:

№	Задание
1	Металлы
2	Медь
3	Алюминий
4	Железо
5	Полупроводники собственные
6	Кремний
7	Германий
8	Арсенид галлия
9	Полупроводники типа N
10	Полупроводники типа P
11	Контакт металл-металл
12	Контакт металл-полупроводник (Aм>Aпп)
13	Контакт металл-полупроводник (Aм<Aпп)
14	Контакт полупроводников P-N
15	Натрий
16	Латунь
17	Диэлектрики
18	Дерево
19	Гетинакс
20	Текстолит
21	Пластик (любой на выбор)
22	Прозрачный пластик (любой на выбор)
23	Стекло
24	Картон
25	Слюда
26	Теллур
27	Сегнетоэлектрики
28	Свинец
29	Олово
30	Висмут

Исходные данные к заданию №2:

№	Элемент	Параметры	Корпус
1	Резистор	1,5Ком 1,2Вт	Любой не SMD
2	Дроссель	220мкГн 34мА	Любой не SMD
3	Конденсатор неполярный	400пФ 20В	Любой не SMD
4	Диод выпрямительный	1,5А 300В 50Гц	Любой не SMD
5	Диод выпрямительный	1,5А 300В 50КГц	Любой не SMD
6	Транзистор n-p-n	Ik=200ма, h21э >50	Любой не SMD
7	Транзистор p-n-p	Ik=200ма, h21э >50	Любой не SMD
8	МОП p канальный	Ic=1А, Uз=5В	Любой не SMD
9	МОП p канальный	Ic=1А, Uз=5В	Любой не SMD
10	Диод	100ма 50В 100МГц	Любой не SMD
11	Резистор	3МОм 0,625Вт	Любой SMD
12	Дроссель	220мкГн 34мА	Любой SMD
13	Конденсатор неполярный	0,1мкФ 20В	Любой SMD
14	Конденсатор электролит	100мкф 300В	Любой SMD
15	Диод выпрямительный	1,5А 300В 50КГц	Любой SMD
16	Транзистор n-p-n	Ik=50ма, h21э >150	Любой SMD
17	Транзистор p-n-p	Ik=200ма, h21э >50	Любой SMD
18	МОП p канальный	Ic=1А, Uз=5В	Любой SMD
19	МОП p канальный	Ic=1А, Uз=5В	Любой SMD
20	Диод	100ма 50В 100МГц	Любой SMD
21	Конденсатор электролит	100мкф 300В	Любой не SMD
22	Конденсатор танталовый	100мкф 25В	Любой SMD
23	Конденсатор танталовый	10мкф 15В	Любой SMD
24	Стабилитрон	1мА 3,3В	Любой SMD
25	Стабилитрон	10мА 5В	Любой не SMD
26	Стабилитрон	20мА 9В	Любой SMD
27	Конденсатор электролит	1мкф 50В	Любой не SMD
28	Конденсатор электролит	1000мкф 4В	Любой не SMD
29	МОП p канальный	Ic=2А, Uз=5В	SOT23
30	МОП n канальный	Ic=20А, Uз=12В	D- PAK