
- •1.1 Компоновка рэа. Классификация методов компоновки.
- •1.2. Производственный и тех процессы, их структура и элементы. Виды техпроцессов.
- •1.3 Задача конструкторской подготовки производства. Система технической подготовки производства
- •1.4 Алгоритм проектирования модуля рэа. Конструктивные и технологические характеристики печатных плат в сапр модулей рэа.
- •2.1 Методы конструирования рэа. Классификация методов
- •2.2 Производительность техпроцессов. Структура технической нормы времени. Выбор…
- •2.3 Анализ вопросов точности при конструировании и разработке технологии рэс. Предельный и вероятностный методы
- •2.4 Многокритериальная оценка эффективности рэс. Основные ттх и ттт к рэс. Этапы их разработки...
- •3.1 Порядок проведения и стадии нир и окр
- •3.2 Технологичность конструкции, основные виды, структура, показатели, методика расчета.
- •3.3 Виды аппаратуры контроля и диагностики. Основы классификации, краткие характеристики видов.
- •3.4 Современные сапр печатного монтажа. Программные средства для решения вспомогательных задач при проектировании печатных плат.
- •4.1 Стадии разработки кд. Основные участники нир и окр и их функциональные обязанности
- •4.2 Технологическое оснащение, виды, методика выбора и проектирование автоматизированного…
- •4.3 Градиентные методы поиска экстремума целевой ф-и.
- •4.4 Решение задачи размещения компонентов на печатной структуре. Функциональные возможности и алгоритмы модулей размещения современных сапр конструкторского типа
- •5.1 Виды изделий и кд. Комплектность кд
- •5.2 Субстрактивные методы изготовления пп: структура, базовые технологические операции, режимы, оборудование.
- •5.3 Методы контроля состояния кип на этапе эксплуатации. Характеристики этапов производства и эксплуатации с позиции организации контроля.
- •5.4 Интегральные критерии эффективности рэс. Его состав, правила и способы разработки. Стоимостный критерий.
- •6.1 Основные законы теплообмена. Критериальные уравнения.
- •6.2 Технология механических соединений: виды, особенности выполнения, применяемое оборудование.
- •6.3 Эксплуатация и основные этапы эксплуатации. Определения и задачи, решаемые при разработке теоретических основ эксплуатации…
- •7.1 Герметизация рэа. Выбор способа герметизации
- •7.2 Организационное и техническое проектирование автоматизированных поточных линий сборки рэс.
- •7.3 Законы распределения случайных величин.
- •8.1 Герметизация узлов и блоков рэа с помощью пайки, сварки, уплотнительной прокладки
- •8.2 Конструктивно-технологические характеристики печатных плат, их классификация, материалы для производства пп.
- •Классификация плат
- •Коммутационные платы:
- •Материалы для изготовления плат
- •Материалы:
- •Электронная система.
- •Программируемая (она же универсальная) электронная система.
- •9.1 Защита рэа от атмосферных воздействий. Герметизация рэа. Способы герметизации
- •9.2 Методика проектирования единичных техпроцессов. Технологическая документация.
- •9.3 Резисторная, диодная, транзисторная оптопара: параметры, принцип действия, область применения. Свойства оптоэлектронных коммутаторов.
- •10.1 Защита рэа от механических воздействий с помощью демпфирующих материалов. Оценка их эффективности
- •10.2 Аддитивные методы изготовления пп: структура, базовые, технологические операции, режимы, оборудование.
- •10.3 Характеристики и причины отказов рэс.
- •10.4 Разработка микропроцессорной системы на основе мк. Основные этапы разработки. Выбор типа мк
- •11.1 Защита рэу с помощью покрытий. Виды, характеристики, обозначение покрытий.
- •11.2 Технологические процессы изготовления плат на керамическом, металлическом и полиамидном основаниях.
- •11.3 Методы случайного поиска экстремума целевой функции.
- •12.1 Испарительное охлаждение. Термосифонный теплоотвод. Метод тепловых труб.
- •12.2 Многослойные пп: методы изготовления, структура технологических процессов, базовые тех.Операции, режимы их выполнения, применяемое оборудование. Контроль качества. Визуализация дефектов.
- •12.3 Организация разработки и изготовления киа. Этапы проектирования киа.
- •12.4 Приборы с зарядовой связью, принцип действия, режимы работы, область применения, достоинства и недостатки
- •13.1 Влагозащита рэу. Классификация методов влагозащиты.
- •13.2 Технологичность рэа. Показатели технологичности. Оценка технологичности изделия.
- •13.3 Классификация и регулярные методы поиска экстремума целевой функции.
- •13.4 Фильтр, фильтрация. Классификация и параметры фильтров. Маркировка и уго Принцип действия и недостатки аналоговых фильтров.. Дискретные фильтры: принцип действия, разновидности.
- •14.1 Классификация рэу по назначению, условиям эксплуатации.
- •14.2 Групповая монтажная пайка. Технологические основы процесса, методы и режимы выполнения, автоматизированное оборудование.
- •14.3 Место и роль технической подготовки в структуре предприятия. Организационное и техническое управление.
- •14.4 Типы акустических волн, преобразователи акустических волн. Характеристики и модели преобразователей.
- •15.1 Нормальный температурный режим эрэ изделия. Классификация систем охлаждения рэу
- •15.2 Монтажная сварка: технологические основы процесса, методы и режимы выполнения.
- •15.3 Критерии надежности
- •15.4 Кварцевые резонаторы и интегральные пьезокварцевые фильтры. Схема замещения кварцевого резонатора, применение кварцевых резонаторов.
- •16.1 Конструирование деталей, изготавливаемых гибкой, выдавкой, вытяжкой и отбортовкой.
- •16.2 Технологические основы накрутки: виды соединений, классификация методов, влияние режимов на характеристики соединений, оборудование, инструмент, автоматизация процесса.
- •16.3 Критерии проверки гипотез для принятия правильных решений при проектировании рэс
- •16.4 Принцип действия цифрового фильтра. Структурные схемы цф: сравнительные характеристики.
- •17.1 Конструирование деталей, изготавливаемых литьем, прессованием
- •17.3 Методы индивидуального статистического прогнозирования состояния.
- •17.4 Криогенная электроника: область применения, используемые эффекты, достоинства.
- •18.1 Конструирование печатных плат. Отверстия в печатных платах. Контактные площадки и проводники печатных плат.
- •18.2 Сборка типовых элементов на пп и мпп, классификация методов, технология выполнения, автоматизированное оборудование.
- •18.3 Показатели эффективности эксплуатации. Расчет эффективности эксплуатации
- •19.2 Проектирование производственных участков и цехов.
- •19.4 Хемотроника: определение, достоинсва, недостатки и разновидности хемотронных приборов.
- •20.1 Методы изготовления опп, дпп и мпп. Методы формирования рисунка.
- •20.2 Технология внутриблочного монтажа с помощью коммутационных плат (тканных, многопроводных).
- •20.3 Методы случайного поиска экстремума целевой функции.
- •20.4 Направления фукциональной электроники. Типы неоднородностей в уфэ, примеры.
- •21.1. Конструирование печатных узлов. Варианты установки навесных элементов.
- •21.2 Технология межблочного жгутового монтажа
- •21.3 Основные направления и способы прогнозирования
- •21.4 Фотоэлектрические преобразователи. Фоторезисторы. Материалы фоторезисторов. Кремниевые и германиевые фотодиоды. P–I–n, лавинный и гетерофотодиоды. Фототранзисторы.
- •22.1 Статический и динамический расчеты системы виброизоляции.
- •22.2 Технология монтажа на поверхности плат, основные варианты процессов. Особенности подготовки, сборки и монтажа.
- •Конструктивные:
- •22.3 Прогнозирование качества и состояния как метод повышения эксплуатационных показателей рэа
- •23.1 Общие требования к деталям, изготавливаемых сваркой. Виды сварки. Правила конструирования сварных соединений и выполнения чертежей сварных швов.
- •23.2 Технология защиты и герметизации рэс
- •23.3 Фильтры на пав: разновидности, области применения, особенности конструкции, аподизация, эквидистантность.
- •23.4 Волоконно-оптические датчики на основе микромеханических резонаторов, возбуждаемых светом.
- •24.1 Односторонние, двусторонние, многослойные, гибкие печатные платы. Особенности конструкций.
- •24.2 Контроль, диагностика неисправностей рэс, регулировка и технологическая тренировка.
- •24.3 Общие сведения о cad/cam/cae технологиях. Основные понятия и соответствие понятий сапр и cad/cam/cae-систем. Предмет и задачи сапр модулей рэа, назначение и области применения.
- •24.4 Индуктивные и трансформаторные преобразователи
- •25.1 Миниатюризация. Этапы развития миниатюризации. Показатели миниатюризации.
- •25.2 Технологические возможности различных методов механической обработки при изготовлении конструкционных деталей рэс и их влияние на свойства материалов.
- •25.3 Численность подразделения для обслуживания и разработки киа. Одновременная разработка и ее преимущества. Группы киа по назначению и применению в производстве.
- •25.4 Эффект Зеебека. Термоэлектрические преобразователи. Типы и виды термопар
- •26.1 Оценка вибропрочности и ударной прочности печатных плат. Виды амортизаторов, применяемых в рэа
- •26.2 Методы и технология получения деталей рэс литьем, обоснование выбора процесса в различных условиях производства.
- •26.3 Основные способы построения алгоритмов поиска неисправностей, их краткая характеристика. Обоснование выбора алгоритма, задачи при разработке алгоритмов поиска
- •1.Способ половинного разбиения.
- •2.Способ «время – вероятность».
- •3.Способ на основе информационного критерия
- •4.Инженерный способ.
- •5.Способ ветвей и границ.
- •26.4 Струнные и стержневые преобразователи. Режимы работы механических резонаторов
- •27.1 Постоянный и переменный ток в печатных проводниках. Сопротивление, емкость и индуктивность печатных проводников.
- •27.2 Технология изготовления деталей из ферритов. Особенности формирования деталей из керамики, стеклокерамики и металлических порошков.
- •27.4 Преобразователи с устройствами пространственного кодирования
- •28.1 Правила нанесения на чертежах надписей, технических требований, таблиц и предельных отклонений.
- •28.2 Технологические характеристики электрофизических и электрохимических методов обработки.
- •28.3 Полный факторный эксперимент. Дробный факторный эксперимент
- •28.4 Основные гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла. Технология изготовления датчиков Холла
- •29.1 Влагозащита рэу монолитными оболочками.
- •29.2 Методы изготовления деталей из пластмасс, технология выполнения и оборудование.
- •29.3 Уровни и этапы проектирования рэс. Входящее и нисходящее проектирование
- •29.4 Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •30.1 Классификация воздушных систем охлаждения. Охлаждение стоек, шкафов, пультов с рэу.
- •30.2 Способы проведения двухстадийной диффузии
- •30.4 Технология изготовления интегральных тензопреобразователей (ит)
- •31.1 Способы охлаждения рэу. Выбор способа охлаждения на ранней стадии проектирования.
- •31.2 Ориентация полупроводниковых монокристаллических слитков. Механическая обработка полупроводниковых слитков и пластин.
- •31.3 Изучение закономерностей технологических процессов и конструкций на моделях. Основные требования к процессу моделирования. Виды моделей.
- •31.4 Классификация датчиков теплового потока. Физические модели «тепловых» датчиков теплового…
- •32.1 Структурные уровни конструкции рэа, как признак системности. Элементная база рэа.
- •32.2 Жидкостная и сухая обработка полупроводниковых пластин.
- •32.3 Теория игр и статистических решений. Правило игры, ход, стратегия. Оптимльная стратегия. Матрица игры. Принцип Минимакса.
- •32.4 Полевые транзисторы на основе арсенида галлия. Разновидности структур меп-транзисторов. Паразитная связь между элементами через полуизолирующую подложку.
- •33.1 Схема как кд. Правила выполнения схем электрических принципиальных и перечней элементов к ним
- •33.2 Технологическая подготовка производства рэа (тпп), ее основные задачи, положения и правила организации
- •33.4 Индукционные преобразователи. Эффект Фарадея
- •34.1 Конструкторская документация. Обозначение изделий и кд. Классификация кд.
- •34.2 Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев. Оборудование и оснастка для эпитаксии.
- •34.4 Воздействие влияющих факторов на датчики давления. Особенности эксплуатации и монтажа датчиков давления.
- •35.1 Требования к конструкции рэа по назначению, тактике использования и объекту установки
- •35.2 Фотолитографические процессы в технологии имс
- •5. Проявление
- •35.3 Связь надежности системы с надежностью составляющих ее элементов. Предупреждение надежности рэс. Резервирование.
- •35.4 Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга.
- •36.1 Особенности проектирования печатных плат для поверхностного монтажа.
- •36.2 Методы получения пленок в технологии гибридных имс. Термовакуумное испарение. Магнетронное испарение
- •36.3 Методы проектирования рэс. Требования, предъявляемые к процессу проектирования.
- •36.4 Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга.
- •37.1 Особенности конструирования лицевых панелей, пультов.
- •37.2 Толстопленочная технология изготовления имс
- •37.3 Система массового обслуживания. Элементы систем. Потоки. Характеристика очередей.
- •37.4 Конструктивно-технологичекие разновидности мдп-транзисторов.
- •38.1 Чертежи печатных плат, функциональных узлов. Спецификация.
- •38.2 Сборочно-монтажные операции при производстве имс. Герметизация имс.
- •38.3 Критерии оценки экономической эффективности кип. Расчетные коэффиценты и соотношения
- •38.4 Интегральные резисторы, интегральные конденсаторы.
- •39.1 Электрическая коммутация в герметичных корпусах. Окошечные, дисковые, глазковые, плоские соединения.
- •39.2 Ионное легирование полупроводников. Принцип действия установки ионного легирования.
- •39.4 Интегральные диоды. Разновидности. Стабилитроны. Диоды Шоттки.
- •40.1 Этапы развития конструкции рэа, их характеристики. Основные задачи современного (пятого) этапа развития конструкции рэа.
- •40.2 Конструкция. Система. Системный подход. Свойства конструкции рэс.
- •40.3 Градиентные методы поиска экстремума целевой функции: общая схема градиентного спуска
- •40.4 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
30.2 Способы проведения двухстадийной диффузии
При создании активных и изолирующих областей ИМС часто используют двухстадийную диффузию. Для этого вначале в поверхность полупроводникового материала с нанесенным на нее маскирующим слоем оксида вводят определенное количество легирующей примеси из бесконечного источника, создавая ее высокую поверхностную концентрацию при небольшой глубине диффузионной области (загонка примеси).
Первую стадию проводят при сравнительно невысоких температурах (950–1050°С) в окислительной атмосфере. На поверхность наносят слой примесно-силикатного стекла (поверхностный источник), под которым формируется высоколегированный объемный источник.
Вторую стадию–диффузионный отжиг, называемую "разгонкой", проводят, предварительно удалив примесно-силикатное стекло. Температура второй стадии выше: 1050–1230°С. Примеси, введенные на первой стадии, перераспределяются, их поверхностная концентрация уменьшается.
Двухстадийную диффузию проводят различными способами.
Таблица 1 Способы проведения двухстадийной диффузии примесей в поверхность полупроводниковых пластин
Способ диффузии |
Тип примеси |
Особенности |
Диффузия в открытой трубе |
As (твердый источник) |
Легкая управляемость составом ПГС, скоростью газового потока; атмосферное давление |
Ампульный |
|
Большая трудоемкость и себестоимость; безопасность диффузии мышьяка; вакуум 10-2 – 10-3 Па |
Бокс-метод |
В, Р, Sb (твердый источник) |
Широкие пределы регулирования концентрации примеси. |
Рис 1 – Схема процесса диффузии в открытой трубе из газообразного или жидкого (а), твердого (б) и поверхностного (в) источников: 1-газовая труба; 2-источник примеси; 3-кварцевая труба; 4-кремниевые пластины; 5-нагреватель; 6-выходное отверстие.
Наиболее широко в технологии производства ИМС используют способ диффузии в открытой трубе (рис. 1). Он является основным для первой стадии. Кремниевые пластины 4 (от 50 до 200 шт.) загружают в кассете в кварцевую трубу 3 через ее выходной конец, сообщающийся с атмосферой. Входной конец трубы соединен с газовой системой 1 подачи газа-носителя.
Газообразные диффузанты подаются из баллона и перед входом в реактор смешиваются с азотом и кислородом. В зоне реакции образуется оксид легирующего элемента, а на поверхности кремниевых пластин выделяется элементарная примесь. Например, процесс диффузии фосфора сопровождается реакциями в трубе 2РН33Н2+2Р 4Р+5О22Р2О5, на поверхности Si: 2Р2О5+5Si5SiO2+4Р
Пары жидких диффузантов из дозатора разбавляются газом-носителем и также образуют оксиды соответствующих элементов, например: 4РОС13+3О23Р2О5+6С12
Диффузия из газообразных и жидких источников проводится в однозонной диффузионной печи с резистивными нагревателями 5 (рис. 1,а, в).
При проведении диффузии из твердого источника в ряде случаев используют двухзонные печи с нагревателем 5 (рис. 1,б). При этом в низкотемпературной зоне помещают источник примеси 2, а в высокотемпературной – кассету с пластинами 4. Газ-носитель, поступая из системы подачи 1, вытесняет из кварцевой трубы воздух, который удаляется через отверстие 6. Проходя через зону источника примеси, газ-носитель захватывает атомы примеси и переносит их в зону расположения пластин. Атомы адсорбируются на поверхности и диффундируют в глубь кремниевых пластин.
В качестве поверхностного источника используют легированные оксиды, примесно-силикатные стекла, пленки металлов, (например, золота), слои легированного поликристаллического кремния. Диффузию проводят в слабо окислительной среде.
Способ диффузии в открытой трубе позволяет легко управлять составом парогазовой смеси, скоростью потока газа и обеспечивает требуемый профиль распределения примесей. Воспроизводимость параметров диффузии от пластины к пластине и по площади каждой пластины зависит от распределения температуры в рабочей зоне печи, числа пластин, их расположения относительно газового потока, типа диффузанта, чистоты проведения процесса.
Диффузию в замкнутом объеме (ампульный способ) проводят в кварцевой ампуле 2, в которую помещают пластины 4 и источник примеси 5, откачивают ее до остаточного давления 10-2–10-3 Па или заполняют инертным газом и запаивают (рис. 2). Перед использованием ампулу тщательно очищают и прокаливают в вакууме при температуре 1200°С в течение двух часов. Ампулу вводят в кварцевую трубу 1 диффузионной печи с нагревателем 3.При нагревании источника пары примеси осаждаются на поверхности полупроводниковых пластин и диффундируют в глубь нее. Ампульным способом можно проводить диффузию мышьяка, бора, сурьмы, фосфора с однородностью легирования до ±2,5%. Его достоинством является минимальная токсичность, так как процесс происходит в замкнутом объеме.
Рис 2 – Схема процесса диффузии в замкнутом объеме: 1-кварцевая труба; 2-ампула;3-нагреватель; 4-кремниевые пластины; 5-источник примеси.
Рис 3 Схема процесса дифф. Бокс-методом: 1-кварцевая труба; 2-ампула; 3-нагреватель; 4-кремниевые пластины; 5-источник примеси; 6-выходное отверстие; 7-пришлифованная крышка
После проведения процесса ампулу разрушают (вскрывают). То, что она имеет одноразовое использование, сильно удорожает процесс. В настоящее время ампульный способ применяют преимущественно при диффузии мышьяка.
Диффузия в полугерметичном объеме (бокс-метод) является промежуточным способом между диффузией в открытой трубе и в ампуле. По сравнению с диффузией в открытой трубе бокс-метод менее чувствителен к скорости потока газа-носителя и позволяет в более широких пределах регулировать поверхностную концентрацию примеси. Преимуществом перед ампульным способом является возможность многократного применения кварцевой ампулы.
30.3 Пути совершенствования методов контроля РЭА. Достоинства и недостатки систем ручного и автоматизированного контроля. Расчет трудоемкости контроля для ручных и автоматизированных систем. Распределение времени контроля для ручных и автоматизированных систем.
Недостатки систем ручного контроля: а) низкая пропускная способность контроля; б) ручная регистрация результата контроля (запись в формуляр); в) возможность внесения оператором субъективных ошибок в результат контроля; г) малая скорость выполнения операции; д) небольшая скорость переработки измерительной информации; е) большие трудозатраты на проведение ручн. контроля; ж)больш. избыточность оборудования в КИА; з) большое колич-во управляющих органов и средств индикации в КИА; и) высок стоимость получаемой информации о состоянии аппаратуры.
Основным элементом системы контроля, ограничивающим ее производительность, является оператор.
Достоинствами автоматизированной аппаратуры по сравнению с аппаратурой ручного контроля являются: а) большая пропускная способность контроля; б) автоматическая регистрация результата контроля; в) исключение субъективных ошибок оператора из результата контроля; г) большая скорость выполнения элементарных операций; д) большая скорость переработки измерительной информации; е) сокращение числа обслуживающего персонала; ж) большая точность измерения; з) возможность автоматизации решения более широкого класса задач контроля; и) возможность создания универсальной АКИА (УАКИА) для контроля состояния нескольких видов аппаратуры и др.
В результате введения в систему контроля аппаратуры АКИА и УАКИА обеспечивается минимальное машинное время tкм контроля. Вспомогательное время tпк1 и tпк2 сокращается путем использования вспомогательного оборудования, полуавтоматических приборов и инструментов, путем механизации отдельных, трудоемких операций. В общем виде удельная трудоемкость :
где
τтэ
— мат. ожидание суммарных трудозатрат
на контроль аппаратуры, приходящихся
на заданное время эксплуатации T;
— уд-я
труд-ть подготовки аппаратуры к контролю;
—
удельная
труд-ть машинного контроля аппаратуры;
—
удельная трудоемкость подготовки
аппаратуры к использованию после
контроля.
Для
систем контроля, в которые входит ручная
аппаратура контроля, затраты времени
определяются следующим образом:
и
а трудозатраты:
Для систем контроля, в которые входит автоматическая аппаратура контроля: распределение времени:
распределение трудозатрат: