
- •1.1 Компоновка рэа. Классификация методов компоновки.
- •1.2. Производственный и тех процессы, их структура и элементы. Виды техпроцессов.
- •1.3 Задача конструкторской подготовки производства. Система технической подготовки производства
- •1.4 Алгоритм проектирования модуля рэа. Конструктивные и технологические характеристики печатных плат в сапр модулей рэа.
- •2.1 Методы конструирования рэа. Классификация методов
- •2.2 Производительность техпроцессов. Структура технической нормы времени. Выбор…
- •2.3 Анализ вопросов точности при конструировании и разработке технологии рэс. Предельный и вероятностный методы
- •2.4 Многокритериальная оценка эффективности рэс. Основные ттх и ттт к рэс. Этапы их разработки...
- •3.1 Порядок проведения и стадии нир и окр
- •3.2 Технологичность конструкции, основные виды, структура, показатели, методика расчета.
- •3.3 Виды аппаратуры контроля и диагностики. Основы классификации, краткие характеристики видов.
- •3.4 Современные сапр печатного монтажа. Программные средства для решения вспомогательных задач при проектировании печатных плат.
- •4.1 Стадии разработки кд. Основные участники нир и окр и их функциональные обязанности
- •4.2 Технологическое оснащение, виды, методика выбора и проектирование автоматизированного…
- •4.3 Градиентные методы поиска экстремума целевой ф-и.
- •4.4 Решение задачи размещения компонентов на печатной структуре. Функциональные возможности и алгоритмы модулей размещения современных сапр конструкторского типа
- •5.1 Виды изделий и кд. Комплектность кд
- •5.2 Субстрактивные методы изготовления пп: структура, базовые технологические операции, режимы, оборудование.
- •5.3 Методы контроля состояния кип на этапе эксплуатации. Характеристики этапов производства и эксплуатации с позиции организации контроля.
- •5.4 Интегральные критерии эффективности рэс. Его состав, правила и способы разработки. Стоимостный критерий.
- •6.1 Основные законы теплообмена. Критериальные уравнения.
- •6.2 Технология механических соединений: виды, особенности выполнения, применяемое оборудование.
- •6.3 Эксплуатация и основные этапы эксплуатации. Определения и задачи, решаемые при разработке теоретических основ эксплуатации…
- •7.1 Герметизация рэа. Выбор способа герметизации
- •7.2 Организационное и техническое проектирование автоматизированных поточных линий сборки рэс.
- •7.3 Законы распределения случайных величин.
- •8.1 Герметизация узлов и блоков рэа с помощью пайки, сварки, уплотнительной прокладки
- •8.2 Конструктивно-технологические характеристики печатных плат, их классификация, материалы для производства пп.
- •Классификация плат
- •Коммутационные платы:
- •Материалы для изготовления плат
- •Материалы:
- •Электронная система.
- •Программируемая (она же универсальная) электронная система.
- •9.1 Защита рэа от атмосферных воздействий. Герметизация рэа. Способы герметизации
- •9.2 Методика проектирования единичных техпроцессов. Технологическая документация.
- •9.3 Резисторная, диодная, транзисторная оптопара: параметры, принцип действия, область применения. Свойства оптоэлектронных коммутаторов.
- •10.1 Защита рэа от механических воздействий с помощью демпфирующих материалов. Оценка их эффективности
- •10.2 Аддитивные методы изготовления пп: структура, базовые, технологические операции, режимы, оборудование.
- •10.3 Характеристики и причины отказов рэс.
- •10.4 Разработка микропроцессорной системы на основе мк. Основные этапы разработки. Выбор типа мк
- •11.1 Защита рэу с помощью покрытий. Виды, характеристики, обозначение покрытий.
- •11.2 Технологические процессы изготовления плат на керамическом, металлическом и полиамидном основаниях.
- •11.3 Методы случайного поиска экстремума целевой функции.
- •12.1 Испарительное охлаждение. Термосифонный теплоотвод. Метод тепловых труб.
- •12.2 Многослойные пп: методы изготовления, структура технологических процессов, базовые тех.Операции, режимы их выполнения, применяемое оборудование. Контроль качества. Визуализация дефектов.
- •12.3 Организация разработки и изготовления киа. Этапы проектирования киа.
- •12.4 Приборы с зарядовой связью, принцип действия, режимы работы, область применения, достоинства и недостатки
- •13.1 Влагозащита рэу. Классификация методов влагозащиты.
- •13.2 Технологичность рэа. Показатели технологичности. Оценка технологичности изделия.
- •13.3 Классификация и регулярные методы поиска экстремума целевой функции.
- •13.4 Фильтр, фильтрация. Классификация и параметры фильтров. Маркировка и уго Принцип действия и недостатки аналоговых фильтров.. Дискретные фильтры: принцип действия, разновидности.
- •14.1 Классификация рэу по назначению, условиям эксплуатации.
- •14.2 Групповая монтажная пайка. Технологические основы процесса, методы и режимы выполнения, автоматизированное оборудование.
- •14.3 Место и роль технической подготовки в структуре предприятия. Организационное и техническое управление.
- •14.4 Типы акустических волн, преобразователи акустических волн. Характеристики и модели преобразователей.
- •15.1 Нормальный температурный режим эрэ изделия. Классификация систем охлаждения рэу
- •15.2 Монтажная сварка: технологические основы процесса, методы и режимы выполнения.
- •15.3 Критерии надежности
- •15.4 Кварцевые резонаторы и интегральные пьезокварцевые фильтры. Схема замещения кварцевого резонатора, применение кварцевых резонаторов.
- •16.1 Конструирование деталей, изготавливаемых гибкой, выдавкой, вытяжкой и отбортовкой.
- •16.2 Технологические основы накрутки: виды соединений, классификация методов, влияние режимов на характеристики соединений, оборудование, инструмент, автоматизация процесса.
- •16.3 Критерии проверки гипотез для принятия правильных решений при проектировании рэс
- •16.4 Принцип действия цифрового фильтра. Структурные схемы цф: сравнительные характеристики.
- •17.1 Конструирование деталей, изготавливаемых литьем, прессованием
- •17.3 Методы индивидуального статистического прогнозирования состояния.
- •17.4 Криогенная электроника: область применения, используемые эффекты, достоинства.
- •18.1 Конструирование печатных плат. Отверстия в печатных платах. Контактные площадки и проводники печатных плат.
- •18.2 Сборка типовых элементов на пп и мпп, классификация методов, технология выполнения, автоматизированное оборудование.
- •18.3 Показатели эффективности эксплуатации. Расчет эффективности эксплуатации
- •19.2 Проектирование производственных участков и цехов.
- •19.4 Хемотроника: определение, достоинсва, недостатки и разновидности хемотронных приборов.
- •20.1 Методы изготовления опп, дпп и мпп. Методы формирования рисунка.
- •20.2 Технология внутриблочного монтажа с помощью коммутационных плат (тканных, многопроводных).
- •20.3 Методы случайного поиска экстремума целевой функции.
- •20.4 Направления фукциональной электроники. Типы неоднородностей в уфэ, примеры.
- •21.1. Конструирование печатных узлов. Варианты установки навесных элементов.
- •21.2 Технология межблочного жгутового монтажа
- •21.3 Основные направления и способы прогнозирования
- •21.4 Фотоэлектрические преобразователи. Фоторезисторы. Материалы фоторезисторов. Кремниевые и германиевые фотодиоды. P–I–n, лавинный и гетерофотодиоды. Фототранзисторы.
- •22.1 Статический и динамический расчеты системы виброизоляции.
- •22.2 Технология монтажа на поверхности плат, основные варианты процессов. Особенности подготовки, сборки и монтажа.
- •Конструктивные:
- •22.3 Прогнозирование качества и состояния как метод повышения эксплуатационных показателей рэа
- •23.1 Общие требования к деталям, изготавливаемых сваркой. Виды сварки. Правила конструирования сварных соединений и выполнения чертежей сварных швов.
- •23.2 Технология защиты и герметизации рэс
- •23.3 Фильтры на пав: разновидности, области применения, особенности конструкции, аподизация, эквидистантность.
- •23.4 Волоконно-оптические датчики на основе микромеханических резонаторов, возбуждаемых светом.
- •24.1 Односторонние, двусторонние, многослойные, гибкие печатные платы. Особенности конструкций.
- •24.2 Контроль, диагностика неисправностей рэс, регулировка и технологическая тренировка.
- •24.3 Общие сведения о cad/cam/cae технологиях. Основные понятия и соответствие понятий сапр и cad/cam/cae-систем. Предмет и задачи сапр модулей рэа, назначение и области применения.
- •24.4 Индуктивные и трансформаторные преобразователи
- •25.1 Миниатюризация. Этапы развития миниатюризации. Показатели миниатюризации.
- •25.2 Технологические возможности различных методов механической обработки при изготовлении конструкционных деталей рэс и их влияние на свойства материалов.
- •25.3 Численность подразделения для обслуживания и разработки киа. Одновременная разработка и ее преимущества. Группы киа по назначению и применению в производстве.
- •25.4 Эффект Зеебека. Термоэлектрические преобразователи. Типы и виды термопар
- •26.1 Оценка вибропрочности и ударной прочности печатных плат. Виды амортизаторов, применяемых в рэа
- •26.2 Методы и технология получения деталей рэс литьем, обоснование выбора процесса в различных условиях производства.
- •26.3 Основные способы построения алгоритмов поиска неисправностей, их краткая характеристика. Обоснование выбора алгоритма, задачи при разработке алгоритмов поиска
- •1.Способ половинного разбиения.
- •2.Способ «время – вероятность».
- •3.Способ на основе информационного критерия
- •4.Инженерный способ.
- •5.Способ ветвей и границ.
- •26.4 Струнные и стержневые преобразователи. Режимы работы механических резонаторов
- •27.1 Постоянный и переменный ток в печатных проводниках. Сопротивление, емкость и индуктивность печатных проводников.
- •27.2 Технология изготовления деталей из ферритов. Особенности формирования деталей из керамики, стеклокерамики и металлических порошков.
- •27.4 Преобразователи с устройствами пространственного кодирования
- •28.1 Правила нанесения на чертежах надписей, технических требований, таблиц и предельных отклонений.
- •28.2 Технологические характеристики электрофизических и электрохимических методов обработки.
- •28.3 Полный факторный эксперимент. Дробный факторный эксперимент
- •28.4 Основные гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла. Технология изготовления датчиков Холла
- •29.1 Влагозащита рэу монолитными оболочками.
- •29.2 Методы изготовления деталей из пластмасс, технология выполнения и оборудование.
- •29.3 Уровни и этапы проектирования рэс. Входящее и нисходящее проектирование
- •29.4 Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •30.1 Классификация воздушных систем охлаждения. Охлаждение стоек, шкафов, пультов с рэу.
- •30.2 Способы проведения двухстадийной диффузии
- •30.4 Технология изготовления интегральных тензопреобразователей (ит)
- •31.1 Способы охлаждения рэу. Выбор способа охлаждения на ранней стадии проектирования.
- •31.2 Ориентация полупроводниковых монокристаллических слитков. Механическая обработка полупроводниковых слитков и пластин.
- •31.3 Изучение закономерностей технологических процессов и конструкций на моделях. Основные требования к процессу моделирования. Виды моделей.
- •31.4 Классификация датчиков теплового потока. Физические модели «тепловых» датчиков теплового…
- •32.1 Структурные уровни конструкции рэа, как признак системности. Элементная база рэа.
- •32.2 Жидкостная и сухая обработка полупроводниковых пластин.
- •32.3 Теория игр и статистических решений. Правило игры, ход, стратегия. Оптимльная стратегия. Матрица игры. Принцип Минимакса.
- •32.4 Полевые транзисторы на основе арсенида галлия. Разновидности структур меп-транзисторов. Паразитная связь между элементами через полуизолирующую подложку.
- •33.1 Схема как кд. Правила выполнения схем электрических принципиальных и перечней элементов к ним
- •33.2 Технологическая подготовка производства рэа (тпп), ее основные задачи, положения и правила организации
- •33.4 Индукционные преобразователи. Эффект Фарадея
- •34.1 Конструкторская документация. Обозначение изделий и кд. Классификация кд.
- •34.2 Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев. Оборудование и оснастка для эпитаксии.
- •34.4 Воздействие влияющих факторов на датчики давления. Особенности эксплуатации и монтажа датчиков давления.
- •35.1 Требования к конструкции рэа по назначению, тактике использования и объекту установки
- •35.2 Фотолитографические процессы в технологии имс
- •5. Проявление
- •35.3 Связь надежности системы с надежностью составляющих ее элементов. Предупреждение надежности рэс. Резервирование.
- •35.4 Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга.
- •36.1 Особенности проектирования печатных плат для поверхностного монтажа.
- •36.2 Методы получения пленок в технологии гибридных имс. Термовакуумное испарение. Магнетронное испарение
- •36.3 Методы проектирования рэс. Требования, предъявляемые к процессу проектирования.
- •36.4 Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга.
- •37.1 Особенности конструирования лицевых панелей, пультов.
- •37.2 Толстопленочная технология изготовления имс
- •37.3 Система массового обслуживания. Элементы систем. Потоки. Характеристика очередей.
- •37.4 Конструктивно-технологичекие разновидности мдп-транзисторов.
- •38.1 Чертежи печатных плат, функциональных узлов. Спецификация.
- •38.2 Сборочно-монтажные операции при производстве имс. Герметизация имс.
- •38.3 Критерии оценки экономической эффективности кип. Расчетные коэффиценты и соотношения
- •38.4 Интегральные резисторы, интегральные конденсаторы.
- •39.1 Электрическая коммутация в герметичных корпусах. Окошечные, дисковые, глазковые, плоские соединения.
- •39.2 Ионное легирование полупроводников. Принцип действия установки ионного легирования.
- •39.4 Интегральные диоды. Разновидности. Стабилитроны. Диоды Шоттки.
- •40.1 Этапы развития конструкции рэа, их характеристики. Основные задачи современного (пятого) этапа развития конструкции рэа.
- •40.2 Конструкция. Система. Системный подход. Свойства конструкции рэс.
- •40.3 Градиентные методы поиска экстремума целевой функции: общая схема градиентного спуска
- •40.4 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
24.4 Индуктивные и трансформаторные преобразователи
К этому типу относятся разнов. электромагнитных преобразователей, у которых при возд. измеряемой неэлектрической величины изм-ся коэфф. самоиндукции или взаимоиндукции в электромагн. системе. Входной величиной является линейное или угловое перемещение, а выходной индуктивность или напряжение переменного тока
Простейшие электром. преобр. малых перемещений предст. на рис. 2.1 и состоят из неподвижного П-образного магнитопровода 1 с обмоткой 2 и подвижной части магнитопровода – якоря 3.
В
преобразователе на рис. 2.1,а под возд.
входной величины ХН.
ЭЛ.
изменяется зазор δ
между подвижной и неподвижной частями
магнитопровода, а в преобр. на рис. 2.1,б
изменяется площадь S0
воздушного зазора при горизонт. перемещ.
якоря 3.
Изменение величины зазора δ или площади S0 приводит к изменению L.
Выражение
для коэффициента самоиндукции
,
W1
– число витков обмотки, lСТ
– средняя магнитных силовых линий в
ферромагнитных участках магнитопровода;
μСТ
– магнитная проницаемость материала
магнитопровода; SСТ
– поперечное сечение магнитопровода;
δ,
μ0
и S0
– то же для воздушных зазоров.
Такие преобр-ли называют индуктивными.
Если
кроме обмотки W1
на магнитопроводе расположить обмотку
W2
(рис. 2.2), то получим преобр-ли известные
как взаимоиндуктивные
или трансформаторные.
Коэффициент взаимоиндукции между ними
Если
в обмотку W1
подать переменный ток I1
и поддерживать постоянным его значение,
то ЭДС во вторичной (измерительной)
обмотке W2
будет функционально зависеть от положения
якоря, т.е.
где
ω
– частота питающего напряжения; К
– коэфф., учитывающий параметры обмотки
W1
и магнитное сопротивление магнитопровода.
К
ак
следует из выражений для коэффициентов
самоиндукции и взаимоиндукции, функции
преобразования L=f(δ)
или M=f(δ)
простейших индуктивных и трансформаторных
преобразователей имеют гиперболический
характер. Поэтому они применяются только
при преобразовании малых перемещений
при начальной величине зазора δ0
< 1 мм.
Существенное уменьшение нелинейности достигается в дифференциальных схемах рассматриваемых преобразователей. При перемещении якоря в индуктивном преобразователе на рис. 2.4 величина L1 будет увеличиваться, а величина L2 уменьшаться. Если включить W1 и W2 в соседние плечи мостовой схемы, то напряжение на выходе моста переменного тока будет пропорционально разности ΔL=L1 – L2, причем зависимость ΔL=f(δ) значительно более линейна, чем L=f(δ).
С конструктивной точки зрения индуктивные и трансформаторные преобр-ли можно разделить на преобр-ли малых (от 0,01 до 10 мм) или больших (до 100 мм) линейных или угловых (до 10° или до 45…60°) перемещений, преобр-ли с замкнутым или разомкнутым магнитопроводом и преобр-ли с подвижным элементом магнитопровода или подвижной катушкой. Для преобразования малых линейных или угловых перемещений чаще всего используются преобр-ли с замкнутым магнитопроводом.
25.1 Миниатюризация. Этапы развития миниатюризации. Показатели миниатюризации.
Под миниатюризацией (м-я) аппаратуры понимают технические решения, которые направлены на наиболее эффективное использование объема, массы и потребляемой мощности при обеспечении заданного качества ее функционирования. М-я последовательно развивалась от простой миниатюризации к микроминиатюризации и далее к комплексной микромин-и (охватывает все устройства, блоки и узлы РЭА).
В 50-е годы м-я РЭУ означала создание нового «поколения» РЭС на основе более совершенных миниатюризованных дискретных электрорадиоэлементов (транзисторов, элементов для микромодулей и т.д.). Уменьшение геом размеров элементов позволило уменьшить в 3...5 раз массу и габариты РЭУ, но надежность их оставалась прежней. Развитие микроэлектроники позволило перейти к аппаратуре на интегральных схемах и резко (на порядок) улучшить основные показатели аппаратуры: массу, объем, надежность и стоимость благодаря повышенной степени интеграции ИС, использованию групповых автоматизированных методов изготовления и контроля, машинных методов проектирования. Этот метод конструирования получил название микроминиатюризации. На современном этапе микромин-я - это системный подход на всех этапах разработки и производства РЭА. Характерные тенденции современного этапа развития сложных РЭС: расширение функциональных возможностей устройств, в том числе цифровых устройств обработки информации, широкое использование вычислительных устройств на ИС и микропроцессорах; внедрение принципов микроэлектроники в СВЧ и антенную технику. На современном этапе м-я включает комплекс мероприятий, успешная реализация которых требует целенаправленной работы специалистов различных направлений и оперативной связи между ними. Этот этап получил название комплексной микромин-ии - это метод создания аппаратуры, при котором все ее узлы, блоки и устройства выполнены на базе ИС, БИС, СБИС функциональных элементов и др. Основной задачей при всевозрастающей сложности аппаратуры является обеспечении ее высокой надежности, малых масс и объемов, улучшенных эксплуатационных характеристик, технологичности и серийнопригодности. Выполнение этих требований возможно в том случае, когда практически все узлы, блоки и устройства, входящие в более сложные комплексы, имеют соизмеримые значения основных конструктивно - технологических показателей (надежность, масса, объем, процент выхода годных, стоимость и т.д.).
К основным задачам комплексной мин-и относятся:
дальнейшее развитие и внедрение в практику проектирования, конструирования и технологию изготовления новых принципов схемотехники;
Разр-ка новых принципов компоновки РЭС;
развитие новых способов и методов коммутации;
повышение эффективности систем теплопередачи при одновременном уменьшении их массы и объема;
разработка и промышленное освоение новых видов прочных, жестких и теплопроводящих материалов несущих конструкций;
дальнейшая автоматизация проектных, конструкторских работ и технологии производства.
Миниатюризация
характеризуется показателем
уровня миниатюризации МЭА, кот.
определяется средним пропорциональным
значением
показателя качества функционирования
в единице
массы, объема и потребляемой мощности.
Показатель уровня миниатюризации МЭА
исчисляют в единицах миниатюризации
(ед.
мин.):
,
где
m
- общее число самостоятельных функций
МЭА; Кi
- показатель качества функционирования
МЭА по i
-ой самостоятельной функции,дв.ед. (бит);
V,
G,
W
- соответственно объем (м3),
масса (кг) и потребляемая мощность (Вт)
рассматриваемой
МЭА;
Показатель уровня миниатюризации (М) считают положительным, если его значение равно или больше заданного.
Зная показатель уровня миниатюризации, можно определить коэффициент миниатюризации по формуле: КМ = М / Мср, где Мср - уровень миниатюризации заданного значения (Мт), сравниваемого отечественного (Мот) или зарубежного (Мзр) аналога. КМ считают положительным, если КМт>1; КМот>1; КМзр>1.
Под технико-экономическим показателем миниатюризации понимают интегральный показатель качества аппаратуры, характеризующий матер. затраты на аппаратуру, отнесенные к единице показателей уровня миниатюризации. Этот показатель определяют в ед. мин./руб. по формуле: C = M/S, где S - материальные затраты, связанные с изготовлением МЭА. ТЭП считается положительным, если его значение больше значения С отечественных аналогов и удовлетворяет требованиям, предусмотренным ТЗ.
Показатель технико-экономической эффективности миниатюризации определяется отношением технико-экономического показателя аппаратуры в данном ее исполнении к технико-экономическому показателю, принятому за исходный при сравнительном анализе: Э = С / Сср, где Сер - технико-экономический показатель эффективности миниатюризации заданного значения (Сет), сравниваемого отечественного (Сот) и зарубежного (Сзр) аналога. ТЭЭ считают положительным, если Эт>1; Эот>1; Эзр>1. Существуют методы оценки по единичным характеристикам миниатюризации.