
- •1.1 Компоновка рэа. Классификация методов компоновки.
- •1.2. Производственный и тех процессы, их структура и элементы. Виды техпроцессов.
- •1.3 Задача конструкторской подготовки производства. Система технической подготовки производства
- •1.4 Алгоритм проектирования модуля рэа. Конструктивные и технологические характеристики печатных плат в сапр модулей рэа.
- •2.1 Методы конструирования рэа. Классификация методов
- •2.2 Производительность техпроцессов. Структура технической нормы времени. Выбор…
- •2.3 Анализ вопросов точности при конструировании и разработке технологии рэс. Предельный и вероятностный методы
- •2.4 Многокритериальная оценка эффективности рэс. Основные ттх и ттт к рэс. Этапы их разработки...
- •3.1 Порядок проведения и стадии нир и окр
- •3.2 Технологичность конструкции, основные виды, структура, показатели, методика расчета.
- •3.3 Виды аппаратуры контроля и диагностики. Основы классификации, краткие характеристики видов.
- •3.4 Современные сапр печатного монтажа. Программные средства для решения вспомогательных задач при проектировании печатных плат.
- •4.1 Стадии разработки кд. Основные участники нир и окр и их функциональные обязанности
- •4.2 Технологическое оснащение, виды, методика выбора и проектирование автоматизированного…
- •4.3 Градиентные методы поиска экстремума целевой ф-и.
- •4.4 Решение задачи размещения компонентов на печатной структуре. Функциональные возможности и алгоритмы модулей размещения современных сапр конструкторского типа
- •5.1 Виды изделий и кд. Комплектность кд
- •5.2 Субстрактивные методы изготовления пп: структура, базовые технологические операции, режимы, оборудование.
- •5.3 Методы контроля состояния кип на этапе эксплуатации. Характеристики этапов производства и эксплуатации с позиции организации контроля.
- •5.4 Интегральные критерии эффективности рэс. Его состав, правила и способы разработки. Стоимостный критерий.
- •6.1 Основные законы теплообмена. Критериальные уравнения.
- •6.2 Технология механических соединений: виды, особенности выполнения, применяемое оборудование.
- •6.3 Эксплуатация и основные этапы эксплуатации. Определения и задачи, решаемые при разработке теоретических основ эксплуатации…
- •7.1 Герметизация рэа. Выбор способа герметизации
- •7.2 Организационное и техническое проектирование автоматизированных поточных линий сборки рэс.
- •7.3 Законы распределения случайных величин.
- •8.1 Герметизация узлов и блоков рэа с помощью пайки, сварки, уплотнительной прокладки
- •8.2 Конструктивно-технологические характеристики печатных плат, их классификация, материалы для производства пп.
- •Классификация плат
- •Коммутационные платы:
- •Материалы для изготовления плат
- •Материалы:
- •Электронная система.
- •Программируемая (она же универсальная) электронная система.
- •9.1 Защита рэа от атмосферных воздействий. Герметизация рэа. Способы герметизации
- •9.2 Методика проектирования единичных техпроцессов. Технологическая документация.
- •9.3 Резисторная, диодная, транзисторная оптопара: параметры, принцип действия, область применения. Свойства оптоэлектронных коммутаторов.
- •10.1 Защита рэа от механических воздействий с помощью демпфирующих материалов. Оценка их эффективности
- •10.2 Аддитивные методы изготовления пп: структура, базовые, технологические операции, режимы, оборудование.
- •10.3 Характеристики и причины отказов рэс.
- •10.4 Разработка микропроцессорной системы на основе мк. Основные этапы разработки. Выбор типа мк
- •11.1 Защита рэу с помощью покрытий. Виды, характеристики, обозначение покрытий.
- •11.2 Технологические процессы изготовления плат на керамическом, металлическом и полиамидном основаниях.
- •11.3 Методы случайного поиска экстремума целевой функции.
- •12.1 Испарительное охлаждение. Термосифонный теплоотвод. Метод тепловых труб.
- •12.2 Многослойные пп: методы изготовления, структура технологических процессов, базовые тех.Операции, режимы их выполнения, применяемое оборудование. Контроль качества. Визуализация дефектов.
- •12.3 Организация разработки и изготовления киа. Этапы проектирования киа.
- •12.4 Приборы с зарядовой связью, принцип действия, режимы работы, область применения, достоинства и недостатки
- •13.1 Влагозащита рэу. Классификация методов влагозащиты.
- •13.2 Технологичность рэа. Показатели технологичности. Оценка технологичности изделия.
- •13.3 Классификация и регулярные методы поиска экстремума целевой функции.
- •13.4 Фильтр, фильтрация. Классификация и параметры фильтров. Маркировка и уго Принцип действия и недостатки аналоговых фильтров.. Дискретные фильтры: принцип действия, разновидности.
- •14.1 Классификация рэу по назначению, условиям эксплуатации.
- •14.2 Групповая монтажная пайка. Технологические основы процесса, методы и режимы выполнения, автоматизированное оборудование.
- •14.3 Место и роль технической подготовки в структуре предприятия. Организационное и техническое управление.
- •14.4 Типы акустических волн, преобразователи акустических волн. Характеристики и модели преобразователей.
- •15.1 Нормальный температурный режим эрэ изделия. Классификация систем охлаждения рэу
- •15.2 Монтажная сварка: технологические основы процесса, методы и режимы выполнения.
- •15.3 Критерии надежности
- •15.4 Кварцевые резонаторы и интегральные пьезокварцевые фильтры. Схема замещения кварцевого резонатора, применение кварцевых резонаторов.
- •16.1 Конструирование деталей, изготавливаемых гибкой, выдавкой, вытяжкой и отбортовкой.
- •16.2 Технологические основы накрутки: виды соединений, классификация методов, влияние режимов на характеристики соединений, оборудование, инструмент, автоматизация процесса.
- •16.3 Критерии проверки гипотез для принятия правильных решений при проектировании рэс
- •16.4 Принцип действия цифрового фильтра. Структурные схемы цф: сравнительные характеристики.
- •17.1 Конструирование деталей, изготавливаемых литьем, прессованием
- •17.3 Методы индивидуального статистического прогнозирования состояния.
- •17.4 Криогенная электроника: область применения, используемые эффекты, достоинства.
- •18.1 Конструирование печатных плат. Отверстия в печатных платах. Контактные площадки и проводники печатных плат.
- •18.2 Сборка типовых элементов на пп и мпп, классификация методов, технология выполнения, автоматизированное оборудование.
- •18.3 Показатели эффективности эксплуатации. Расчет эффективности эксплуатации
- •19.2 Проектирование производственных участков и цехов.
- •19.4 Хемотроника: определение, достоинсва, недостатки и разновидности хемотронных приборов.
- •20.1 Методы изготовления опп, дпп и мпп. Методы формирования рисунка.
- •20.2 Технология внутриблочного монтажа с помощью коммутационных плат (тканных, многопроводных).
- •20.3 Методы случайного поиска экстремума целевой функции.
- •20.4 Направления фукциональной электроники. Типы неоднородностей в уфэ, примеры.
- •21.1. Конструирование печатных узлов. Варианты установки навесных элементов.
- •21.2 Технология межблочного жгутового монтажа
- •21.3 Основные направления и способы прогнозирования
- •21.4 Фотоэлектрические преобразователи. Фоторезисторы. Материалы фоторезисторов. Кремниевые и германиевые фотодиоды. P–I–n, лавинный и гетерофотодиоды. Фототранзисторы.
- •22.1 Статический и динамический расчеты системы виброизоляции.
- •22.2 Технология монтажа на поверхности плат, основные варианты процессов. Особенности подготовки, сборки и монтажа.
- •Конструктивные:
- •22.3 Прогнозирование качества и состояния как метод повышения эксплуатационных показателей рэа
- •23.1 Общие требования к деталям, изготавливаемых сваркой. Виды сварки. Правила конструирования сварных соединений и выполнения чертежей сварных швов.
- •23.2 Технология защиты и герметизации рэс
- •23.3 Фильтры на пав: разновидности, области применения, особенности конструкции, аподизация, эквидистантность.
- •23.4 Волоконно-оптические датчики на основе микромеханических резонаторов, возбуждаемых светом.
- •24.1 Односторонние, двусторонние, многослойные, гибкие печатные платы. Особенности конструкций.
- •24.2 Контроль, диагностика неисправностей рэс, регулировка и технологическая тренировка.
- •24.3 Общие сведения о cad/cam/cae технологиях. Основные понятия и соответствие понятий сапр и cad/cam/cae-систем. Предмет и задачи сапр модулей рэа, назначение и области применения.
- •24.4 Индуктивные и трансформаторные преобразователи
- •25.1 Миниатюризация. Этапы развития миниатюризации. Показатели миниатюризации.
- •25.2 Технологические возможности различных методов механической обработки при изготовлении конструкционных деталей рэс и их влияние на свойства материалов.
- •25.3 Численность подразделения для обслуживания и разработки киа. Одновременная разработка и ее преимущества. Группы киа по назначению и применению в производстве.
- •25.4 Эффект Зеебека. Термоэлектрические преобразователи. Типы и виды термопар
- •26.1 Оценка вибропрочности и ударной прочности печатных плат. Виды амортизаторов, применяемых в рэа
- •26.2 Методы и технология получения деталей рэс литьем, обоснование выбора процесса в различных условиях производства.
- •26.3 Основные способы построения алгоритмов поиска неисправностей, их краткая характеристика. Обоснование выбора алгоритма, задачи при разработке алгоритмов поиска
- •1.Способ половинного разбиения.
- •2.Способ «время – вероятность».
- •3.Способ на основе информационного критерия
- •4.Инженерный способ.
- •5.Способ ветвей и границ.
- •26.4 Струнные и стержневые преобразователи. Режимы работы механических резонаторов
- •27.1 Постоянный и переменный ток в печатных проводниках. Сопротивление, емкость и индуктивность печатных проводников.
- •27.2 Технология изготовления деталей из ферритов. Особенности формирования деталей из керамики, стеклокерамики и металлических порошков.
- •27.4 Преобразователи с устройствами пространственного кодирования
- •28.1 Правила нанесения на чертежах надписей, технических требований, таблиц и предельных отклонений.
- •28.2 Технологические характеристики электрофизических и электрохимических методов обработки.
- •28.3 Полный факторный эксперимент. Дробный факторный эксперимент
- •28.4 Основные гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла. Технология изготовления датчиков Холла
- •29.1 Влагозащита рэу монолитными оболочками.
- •29.2 Методы изготовления деталей из пластмасс, технология выполнения и оборудование.
- •29.3 Уровни и этапы проектирования рэс. Входящее и нисходящее проектирование
- •29.4 Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •30.1 Классификация воздушных систем охлаждения. Охлаждение стоек, шкафов, пультов с рэу.
- •30.2 Способы проведения двухстадийной диффузии
- •30.4 Технология изготовления интегральных тензопреобразователей (ит)
- •31.1 Способы охлаждения рэу. Выбор способа охлаждения на ранней стадии проектирования.
- •31.2 Ориентация полупроводниковых монокристаллических слитков. Механическая обработка полупроводниковых слитков и пластин.
- •31.3 Изучение закономерностей технологических процессов и конструкций на моделях. Основные требования к процессу моделирования. Виды моделей.
- •31.4 Классификация датчиков теплового потока. Физические модели «тепловых» датчиков теплового…
- •32.1 Структурные уровни конструкции рэа, как признак системности. Элементная база рэа.
- •32.2 Жидкостная и сухая обработка полупроводниковых пластин.
- •32.3 Теория игр и статистических решений. Правило игры, ход, стратегия. Оптимльная стратегия. Матрица игры. Принцип Минимакса.
- •32.4 Полевые транзисторы на основе арсенида галлия. Разновидности структур меп-транзисторов. Паразитная связь между элементами через полуизолирующую подложку.
- •33.1 Схема как кд. Правила выполнения схем электрических принципиальных и перечней элементов к ним
- •33.2 Технологическая подготовка производства рэа (тпп), ее основные задачи, положения и правила организации
- •33.4 Индукционные преобразователи. Эффект Фарадея
- •34.1 Конструкторская документация. Обозначение изделий и кд. Классификация кд.
- •34.2 Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев. Оборудование и оснастка для эпитаксии.
- •34.4 Воздействие влияющих факторов на датчики давления. Особенности эксплуатации и монтажа датчиков давления.
- •35.1 Требования к конструкции рэа по назначению, тактике использования и объекту установки
- •35.2 Фотолитографические процессы в технологии имс
- •5. Проявление
- •35.3 Связь надежности системы с надежностью составляющих ее элементов. Предупреждение надежности рэс. Резервирование.
- •35.4 Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга.
- •36.1 Особенности проектирования печатных плат для поверхностного монтажа.
- •36.2 Методы получения пленок в технологии гибридных имс. Термовакуумное испарение. Магнетронное испарение
- •36.3 Методы проектирования рэс. Требования, предъявляемые к процессу проектирования.
- •36.4 Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга.
- •37.1 Особенности конструирования лицевых панелей, пультов.
- •37.2 Толстопленочная технология изготовления имс
- •37.3 Система массового обслуживания. Элементы систем. Потоки. Характеристика очередей.
- •37.4 Конструктивно-технологичекие разновидности мдп-транзисторов.
- •38.1 Чертежи печатных плат, функциональных узлов. Спецификация.
- •38.2 Сборочно-монтажные операции при производстве имс. Герметизация имс.
- •38.3 Критерии оценки экономической эффективности кип. Расчетные коэффиценты и соотношения
- •38.4 Интегральные резисторы, интегральные конденсаторы.
- •39.1 Электрическая коммутация в герметичных корпусах. Окошечные, дисковые, глазковые, плоские соединения.
- •39.2 Ионное легирование полупроводников. Принцип действия установки ионного легирования.
- •39.4 Интегральные диоды. Разновидности. Стабилитроны. Диоды Шоттки.
- •40.1 Этапы развития конструкции рэа, их характеристики. Основные задачи современного (пятого) этапа развития конструкции рэа.
- •40.2 Конструкция. Система. Системный подход. Свойства конструкции рэс.
- •40.3 Градиентные методы поиска экстремума целевой функции: общая схема градиентного спуска
- •40.4 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
23.3 Фильтры на пав: разновидности, области применения, особенности конструкции, аподизация, эквидистантность.
Фильтры на поверхностных акустических волнах имеют принципиальные, преимущества перед другими фильтрами, основанными на эффекте преобразования электрических колебаний в акустические. В устройствах на ПАВ объемные волны не применяются.
Для того чтобы использовать поверхностные волны для создания фильтров, необходимо с помощью электрических сигналов во входном преобразователе возбудить их, а затем в выходном преобразователе вновь превратить в электрические сигналы.
Поверхностные акустические волны формируют тонкий, соизмеримый с длиной волны, слой с динамическими неоднородностями в виде упругих деформаций, имеющих дискретный характер. Это позволяет преобразования электрических волн в акустические во входном преобразователе и обратно в выходном осуществлять путем использования тонких металлических штырей (электродов), напыленных на поверхности звукопровода (подложки), обладающего пьезоэлектрическим эффектом. Преобразователи акустических волн. Наиболее эффективными и широкополосными являются преобразователи встречно-штыревого типа(ВШП), или двухфазные. Двухфазный преобразователь поверхностных акустических волн (рис1) представляет собой решетку из электродов на поверхности пьезо-звукопровода. Две группы чередующихся электродов соединены шинами , которые в свою очередь соединяются с источником напряжения или с нагрузкой.
Данный тип преобразователей превосходно сочетается с технологическими методами микроэлектроники. Схематично такой преобразователь показан на рис1, где 1—вх преобразователь; 2—вых преобразователь; 3 — поглотитель; 4—звукопровод; 5—штыри.
Рис 7.1
Основными разновидностями ВШП являются:
эквидистантный преобразователь (с одинаковыми расстояниями между штырями);
неэквидистантный преобразователь (с различными расстояниями между штырями);
неаподизованный преобразователь (с одинаковыми перекрытиями штырей);
аподизованный (взвешенный) преобразователь (с различной степенью перекрытия штырей) и др.
Если шаг ВШП согласован с длиной волны, то деформации, вызванные каждым промежутком, суммируются, образуя суммарную поверхностную волну.
Шаг
электродов двухфазной решетки выбирается
равным половине длины поверхностной
волны, т. е.
где
λп—длина ПАВ.
Суммирование происходит за счет того, что локальная деформация, образовавшаяся под одним из промежутков, начинает перемещаться в противоположных направлениях и проходит расстояние λпов/2 следующего промежутка. Она оказывается там в тот момент, когда следующая полуволна внешнего напряжения достигнет максимума и создаст свою деформацию, которая, складываясь с пришедшей от соседнего промежутка, создаст суммарную деформацию. Обратное преобразование обусловлено тем, что деформации пьезоэлектрика, вызванные поверхностной волной, приводят к появлению электрического напряжения на штырях выходного преобразователя.
Чем больше штырей содержит преобразователь, тем он эффективнее и тем большая накапливается деформация. В настоящее время существуют устройства на ПАВ, работающие в диапазоне частот от мегагерц до единиц гигагерц. Ширина электродов встречно-штыревого преобразователя равна ширине зазора, т. е.
Конструктивно встречно-штыревые преобразователи выполняются в виде тонкопленочных металлических (золотых, алюминиевых) электродов.
Апертура электродов W (размер активной части преобразователя вдоль штырей) должна обеспечивать выполнение условия
где
— расстояние между входным и
выходным преобразователями.
Данное условие обеспечивает уменьшение дифракционных потерь. Обычно w = (10...200)ƛп.
Минимальное число преобразователей в фильтре два: входной, куда поступает фильтруемый сигнал, и выходной, который воспринимает отфильтрованный сигнал. Функции фильтрации могут быть распределены между ними по-разному. Наиболее часто основные функции по формированию частотной характеристики выполняет входной преобразователь, а выходной является широкополосным.
Суммарная АЧХ фильтра Kф(ω) определяется произведением частотных характеристик обоих преобразователей:
Kф(ω)= Kвх(ω) Kвых(ω),
поэтому детальное рассмотрение АЧХ можно проводить для каждого преобразователя в отдельности. Полосовые фильтры ПАВ являются наиболее распространенными и отработанными акустоэлектронными функциональными элементами. Узкополосные фильтры могут быть реализованы посредством встречно-штыревых преобразователей с большим числом электродов, поскольку относительная ширина полосы пропускания преобразователя обратно пропорциональна количеству пар электродов. Однако для получения высоких значений добротности Q = 103... 104 требуется большое число электродов, что создает ряд конструктивных трудностей. Один из путей, обеспечивающих возможность реализации узкополосных фильтров, состоит в исключении большей части штырей при сохранении общей протяженности преобразователя.
Значительного увеличения добротности фильтра (сужения полосы пропускания) можно добиться в устройствах, использующих непрерывное распространение акустической волны по замкнутой (например, цилиндрической) поверхности звукопровода.
Некоторые разновидности фильтров на ПАВ различного назначения. Фильтры для линейно-частотно-модулированных сигналов (ЛЧМ), используемых в радиолокации. Известно, что у согласованных фильтров для этих сигналов АЧХ приблизительно равномерна в широкой полосе частот сигнала, а фазовая имеет параболический характер. Для обеспечения такой формы частотной характеристики можно применять неэквидистантные преобразователи. Схематическое изображение такого фильтра дано на рис. 7.4 , где 1 и 2—преобразователи. Очевидно, что более высокие частоты спектра сигнала при прохождении через такой фильтр будут меньше задерживаться, так как расстояние между входными и выходными штырями, настроенными на высшие частоты, минимально. На более низких частотах, где эффективно действуют штыри с большими значениями (а+h), задержка получается большой. Если ЛЧМ сигнал сформирован так, что в его начале частота сигнала минимальна, а в конце—максимальна, то из-за разных задержек начало и конец сигнала на выходе фильтра будут действовать одновременно, суммируясь и давая короткий выброс с большой амплитудой.
Рис 7.4
Следовательно, сложные ЛЧМ сигналы при прохождении через такой фильтр «свертываются» и из сигнала длительностью Тs превращаются в короткий импульс Твыб, определяемый не длительностью сигнала, а интервалом частот ΔfM, в пределах которого модулируется сигнал по частоте.
Фильтры для фазоманипулированных сигналов. Выше было показано, что обеспечение высокой помехоустойчивости требует использования сложных сигналов, причем чем больше база сигнала, тем выше возможности таких сигналов. Широкое применение получили, например, фазоманипулированные (ФМН) сигналы состоящие из NЭ элементов сигнала длительностью Тэ с квазислучайными фазами, отличающимися на π.
Рис 7.5
Напомним, что для таких сигналов основные особенности согласованных фильтров заключаются в фазочастотной характеристике. Простейший фильтр для этих сигналов представляет собой совокупность элементов задержки с отводами и сумматора.
Например, для несущей частоты 1000 МГц общая ширина штырей отвода будет около 0,07 мм. Принцип действия таких фильтров пояснен рис. 7.5 на примере приема сигнала, сформированного по коду Баркера из 13 элементов сигнала.
Расположив на звукопроводе Nэ преобразователей-отводов и скомпоновав их так, чтобы знак при суммировании определялся фазой каждого сигнала, получим согласованный фильтр для ФМН сигнала.