Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Книга азаряна.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
7.59 Mб
Скачать

Лекция №10 схемотехника транзисторно-транзисторнй логики (ттл)

Использование в качестве входной логики схемы И/ИЛИ на многоэмиттерном транзисторе (МЭТ), подсоединенный к сложному инвертору положило начало развития ТТЛ. Первые разработки ТТЛ появились в 1963 году и через 15 лет составило более 50% цифровых интегральных микросхем на биполярных транзисторах.

В качестве базового элемента ТТЛ серии интегральных микросхем используется микросхема И-НЕ. Принципиальная схема приведена ниже. Входной каскад выполнен на базе многоимиттерного транзистора Т1 и выполняет функцию конъюнктора. Входы Т1 защищены демфирующими диодами d1, d2, d3. Диоды запрещают подачу отрицательного сигнала на вход многоэмиттерного транзистора. Т2 выполняет функцию инвертора (фазоразделителя). В цепи эмиттера находится сопротивление R4 и R5, которое вместе с транзистором Т3 улучшают передаточную характеристику всей схемы и повышают помехозащищенность. Т4 вместе с Т5 выполняет функцию выходного усилителя. Выходной сигнал снимается с коллектора Т5.

Принципиальная схема базового элемента ТТЛ

Принцип работы заключается в следующем. В исходном положении когда на всех входах Т1 отсутствуют логические переменные (Х1=Х2=Х3=0), транзисторы Т12,Т3,Т5 заперты. В результате на выходе микросхемы формируется единичный сигнал. Если же на все входы микросхемы поступают единичные сигналы (Х1=Х2=Х3=1), то по цепи база-коллектор транзистора Т1 протекает ток, что является базовым током Т2. В результате транзисторы Т2, Т3, Т5, открываются, а Т4 – заперт и на выходе микросхемы формируется нулевой сигнал.

Таким образом, базовый элемент ТТЛ логики реализует логическую функцию И-НЕ.

Для формирования магистральных схем монтажных ИЛИ часто используют подключение дополнительных транзисторов в цепь коллектор-эмиттер транзистора Т2. Таким образом, можно создать функциональные схемы, реализующие И-ИЛИ-НЕ. При этом дополнительный инвертор собран на базе Т6.

В цепи эмиттера отсутствует Т4 и при помощи дополнительного инвертора можно управлять выходным сигналом.

Подобный прием дает возможность подключить к входу до 7 элементов и с 4-мя или с 8-мью входами.

Для расширения функциональных возможностей при разработке применяются ИС с открытым коллектором.

Магистральная схема монтажных ИЛИ

Для расширения логических возможностей, организации схем контроля и системных магистралей, работы в схемах индикации и при сопряжении с внешними устройствами в ТТЛ используются микросхемы с открытым коллекторным выходом, например, К155АЛ8, содержащая 4 схемы 2И-НЕ в корпусе, К155ЛА7-2, содержащая две схемы 4И-НЕ с повышенной нагрузочной способностью.

Ниже приведены варианты применения схем с открытым коллектором, работающие на:

  • общую коллекторную нагрузку для нескольких схем (реализуется для получения на выходе функций И-ИЛИ-НЕ/ИЛИ-И-НЕ);

  • электрическую лампочку накаливания;

  • обмотку реле;

  • светодиод;

  • импульсный трансформатор.

Варианты применения схем с открытым коллектором

Перечисленные выше логические схемы являются наиболее распространенными в сериях ТТЛ. Обычно они имеют коэффициент разветвления по выходу n=10, а коэффициент объединения по входу m8. Типовая серия ИС содержит триггеры, мультиплексоры, схемы контроля, схемы повышенной степени интеграции, представляющие собой отдельные узлы ЭВМ регистры, счетчики, сумматоры, схемы памяти, выполненные на одном кристалле с использованием рассмотренных базовых логических схем.

Особенностью ТТЛ является работа большинства транзисторов в режиме насыщения. Поэтому время задержки распространения при переключении схем по выходу с нижнего уровня на верхний оказывается большим, чем при переключении с верхнего уровня на нижний. Во время переходного процесса в короткий момент времени 10 мс оказываются открытыми два транзистора (см. схемы ДТЛ и ТТЛ) Т3 и Т4, что приводит к прохождению через схему импульсного тока.

Очевидно, что от чувствительности схемы зависит время задержки tзадр., а следовательно и мощность рассеяния Ррас:

tзадрот.10...18 мс,

Ррасmen20 мВт.

Работа переключений:

А=tзадрот.Ррасmen200*300 мДж.

За счет прохождения импульсного тока в схемах ТТЛ мощность рассеяния возрастает на максимальных частотах в несколько раз по сравнению с частотой работы 1мГц. Импульсы тока могут привести к помехам по цепи питания, поэтому для схем ТТЛ необходимы цепи питания с малыми индуктивностями и развязывающие емкости. Вблизи разъема печатных плат устанавливаются емкости с0,1 мкФ на одну ИС. По этой же причине в схемах ТТЛ (за исключением схем с открытым коллектором) ограничиваются передний фронт сигналов на входе (до 120 мс).