4. Изготовление
Изготовление многоэмиттерного транзистора ненамного сложнее изготовления обычного транзистора. Области базы и коллектора образуются для многоэмиттерного транзистора ( НО) аналогично обычному биполярному транзистору, и только на этапе последней (эмиттерной) диффузии создается не одна, а несколько областей эмиттера. Такой прибор компактнее, чем диодная сборка и два диода смещения, площадка кристалла уменьшается, что приводит к удешевлению •схемы.
Рисунок 4.1 Многоэмиттерный транзистор
МЭТ и МКТ могут изготавливаться в металлических, керамических или пластиковых корпусах. Их также изготавливают по методу диффузии донорных и акцепторных примесей в исходный полупроводник (планарная технология) (толщина транзистора менее 0.1 мкм, а линейные размеры эмиттера и коллектора 10-15 мкм).
Заключение
МЭТ и МКТ очень широко используются в интегральных схемах. Очень широкое применение МЭТ получили как входные элементы ТТЛ-логики, т. к. эмиттеры расположены таким образом, что прямое взаимодействие между ними исключается, благодаря чему эмиттерные переходы можно рассматривать как параллельно включенные диоды. Хоть ТТЛ-логика достаточно распространена и имеет неплохие показатели по дешевизне, помехоустойчивости и быстродействию, но она уже устарела. Многоэмиттерные транзисторы используются только в интегральных схемах. МКТ используют для создания логических схем с инжекционным питанием (интегральная инжекционная логика).
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Шило В. Л. «Популярные цифровые микросхемы.» 1989.
Мэндл. М. «200 избранных схем электроники»
Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника
Нахалов.В.А. «Электронные твердотельные приборы» 2007