
- •1. Элементы зонной теории. Металлы, диэлектрики, полупроводники. Ковалентная связь между атомами полупроводниковых материалов.
- •2. Образование свободных носителей заряда в беспримесных полупроводниках.
- •3. Образование свободных носителей заряда в примесных полупроводниках.
- •4. Вырожденные и невырожденные полупроводники. Компенсированные полупроводники. Предельная растворимость примеси.
- •5. Законы распределения носителей в зонах полупроводника.
- •6. Концентрация носителей в полупроводнике. Концентрация носителей и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике.
- •7. Концентрация носителей и положение уровня Ферми в примесных полупроводниках.
- •8. Связь между концентрациями основных и неосновных носителей. Закон действующих масс.
- •9. Зависимость положения уровня Ферми от температуры.
- •10. Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках от температуры.
- •11. Электронные процессы в полупроводниках. Дрейф и диффузия носителей заряда в полупроводниках.
- •12. Факторы, определяющие подвижность носителей.
- •13. Температурная зависимость удельной проводимости полупроводников.
- •14. Однородные и неоднородные полупроводники. Встроенное электрическое поле.
- •15. Неравновесные носители заряда в полупроводниках.
- •16. Генерация и рекомбинация носителей.
- •17. Время жизни неравновесных носителей.
- •18. Уравнение непрерывности. Время диэлектрической релаксации.
- •19. Электронно-дырочный переход. Равновесное состояние p-n перехода.
- •20. Напряженность электрического поля и распределение потенциалов в резком p-n переходе.
5. Законы распределения носителей в зонах полупроводника.
Для определения концентрации свободных носителей в зонах полупроводника необходимо знать число мест, на которых могут находиться свободные носители, т. е. плотность квантовых состояний и вероятность заполнения этих мест — квантовых состояний — носителями. Плотность квантовых состояний — это число квантовых состояний, приходящихся на единичный интервал энергии в единичном объеме полупроводника. При нормальных условиях концентрация свободных носителей в зонах обычно много меньше плотности квантовых состояний в них. Поэтому свободные носители занимают квантовые состояния лишь в узком энергетическом интервале около краев зон. Для краев зон плотность квантовых состояний определяется уравнением:
(1.1)
где Е — энергия носителя; Eгр — энергия, соответствующая границе зоны; А — некоторая постоянная. В дальнейшем будем считать AC=AV. Зависимость N(E) для краев зон показана на рис. 1.12.Вероятность заполнения квантовых состояний носителями определяется функцией распределения носителей по энергиям. Для электронов - частиц, подчиняющихся принципу Паули, вероятность нахождения электрона на энергетическом уровне, соответствующем энергии EF при некоторой температуре Т определяется функцией распределения Ферми — Дирака, имеющей вид:
(1.2)
где EF — уровень Ферми. Формально из уравнения (1.2) следует, что уровень Ферми соответствует энергетическому уровню, вероятность заполнения которого при Т0 К равна 1/2, так как при Т>0 и E=EF, fn(E,T)=1/2. По физическому смыслу энергия, соответствующая уровню Ферми, является средней свободной энергией, приходящейся на один электрон при постоянной температуре. Отсюда следует важное свойство уровня Ферми: в любой единой системе в состоянии термодинамического равновесия положение уровня Ферми постоянно. Ещё одно определение: положение уровня Ферми соответствует работе, которую необходимо затратить для изменения числа частиц на единицу. Уровень Ферми называют также химическим потенциалом.
Рис. 1.12. Зависимость плотности квантовых состояний от энергии
|
Рис. Рис. 1.13. График функции распределения Ферми — Дирака при различных температурах |
Рассмотрим основные свойства функции Ферми—Дирака. При Т=0К для E>EF fn(E, T)=0, т.е. все квантовые состояния с энергией, лежащей выше уровня Ферми, при Т=0 К будут свободны. При Т=0К для E<EF fn(E, T) =1, т.е. все квантовые состояния с энергией, лежащей ниже уровня Ферми, будут заняты электронами. Следовательно, для температур абсолютного нуля график функции распределения Ферми—Дирака имеет ступенчатый вид (рис. 1.13).При Т>0 и E<EF fn(E, T)<1, а при Т>0 и Е>ЕF fn(E, T)>0, т. е. при Т выше абсолютного нуля появляется вероятность нахождения электронов на энергетических уровнях, расположенных выше уровня Ферми, и вероятность их отсутствия на уровнях, расположенных ниже уровня Ферми. Причем эти вероятности тем больше, чем выше температура (рис. 1.13). Вероятность того, что энергетический уровень в валентной зоне не занят электроном, есть вероятность нахождения на этом уровне дырки. Так как сумма этих вероятностей есть событие достоверное, то для энергетических уровней в валентной зоне:
(1.3)
Отсюда следует, что вероятность нахождения дырки в валентной зоне на уровне с энергией Е при данной температуре Т равна:
(1.4)
На
графике функции Ферми—Дирака для
электронов и дырок
совпадают, но имеют противоположные
начала отсчета значений
функций (рис. 1.13). Следует отметить, что
функция
распределения Ферми—Дирака симметрична
относительно уровня Ферми. В
полупроводниковой электронике наиболее
часто применяются полупроводники,
для которых выполняется условие
.
В
этом случае экспоненциальный член в
знаменателе функции Ферми—Дирака
оказывается намного
больше единицы и эту функцию можно
представить в виде:
(1.5,а)
(1.5,б)
При этом функция Ферми—Дираки переходит в функцию Максвелла—Больцмана, которая описывает распределение по энергиям классических частиц. Такая замена справедлива вследствие того, что при концентрация свободных носителей в зонах полупроводника оказывается намного меньше плотности квантовых состояний в них. В этом случае принцип Паули теряет силу, так как вероятность попадания на один и тот же энергетический уровень более двух электронов при этих условиях становится очень малой. Замена функции Ферми—Дирака функцией Максвелла— Больцмана, когда это возможно, значительно упрощает расчеты концентрации свободных носителей и анализ ее зависимости от различных факторов.