
- •1. Свойства материалов.
- •2. Кристаллическая решетка и основные параметры. Направления и кристаллографические плоскости.
- •3. Дефекты кристаллической решетки.
- •4. Механизм кристаллизации.
- •6. Деформация. Напряженность.
- •7.Прочность, твердость, пластичность и их характеристики.
- •8. Технологические свойства материалов.
- •9. Диаграмма состояния железо-углерод. Область точки эвтектики.
- •10. Диаграмма состояния железо-углерод. Область эвтектоидной точки.
- •11. Примеси в сталях и их влияние на свойства
- •12. Низкоуглеродистые стали.
- •13. Высокоуглеродистые стали.
- •14. Легированные стали.
- •15. Закалка, отжиг, нормализация.
- •16. Химико-термическая обработка: цементация, азотирование.
- •17. Чугуны
- •18. Медь и медные сплавы.
- •19. Алюминий и его сплавы
- •20. Титан и его сплавы.
- •21. Диэлектрические материалы. Виды поляризации.
- •22. Полимерные материалы. Термопластичные пластмассы
- •23. Полимерные материалы. Термореактивные пластмассы
- •24. Стекла. Состав и строение.
- •25. Керамика. Виды, состав и изготовление.
- •26. Полупроводниковые материалы и их свойства.
- •27. Получение полупроводниковых материалов
- •28.Магнитные материалы. Строение и свойства.
- •29. Магнитодиэлектрики и их свойства.
- •30 Припои и флюсы. Высокоомные провода.
- •31.Технология и ее характеристики
- •32 Производственные и технологические процессы.
- •33. Тип производства
- •34 Основные характеристики технологического процесса
- •35 Технологическая подготовка производства
- •36 Технологичность деталей. Показатели технологичности
- •37 Основные этапы проектирования технологического процесса.
- •38, Деформация. Влияние на структуру металла.
- •39, Прокатка. Волочение.
- •40 Горячая и холодная объемная штамповка.
- •Накатка резьб и мелкомодульных зубьев.
- •42. Штамповка: высадка, вырубка, гибка.
- •Штамповка: вытяжка, ударное выдавливание, зачистка.
- •44. Обработка резаньем и ее виды.
- •45. Точение. Основные параметры.
- •46. Шлифование. Область применения.
- •47. Методы создания поверхности с низкой шероховатостью.
- •48 Изготовление деталей из керамики.
- •49. Литье металлов в песчаные формы и по выплавляемым моделям.
- •50. Литье под давлением
- •51. Основные виды электрофизикохимической обработки.
- •52. Электроэрозионная обработка
- •53.Электрополировка. Электроразмерная обработка.
- •54 Ультразвуковая обработка: очистка деталей.
- •56 Плазменная обработка и ее возможности
- •57. Лазерная обработка и ее достоинства
- •58 Электроннолучевая обработка
- •59 Виды подложек и их характеристики
- •60.Технологический процесс получения кремневых подложек: резка, шлифовка.
- •61 Технологический процесс получения кремневых подложек: электрохимическаяполировка
- •62. Покрытия и виды покрытий
- •63. Металлические покрытия
- •64. Фотопечать. Фотохимическое изготовление изображений
- •65. Изготовление шкал и шильдиков: гравирование, сеткография
- •66. Элементы свч тракта и их изготовление
- •Свойства материалов.
- •Кристаллическая решетка и основные параметры. Направления и кристаллографические плоскости.
25. Керамика. Виды, состав и изготовление.
Основными этапами изготовления деталей из керамики являются:
– химический анализ и подготовка исходного керамического сырья;
– тонкий помол и смешивание компонентов;
– формование заготовки изделия;
– механическая обработка необожженных заготовок;
– сушка заготовок;
– обжиг (предварительный и окончательный);
– глазурование;
После обжига в ряде случаев приходится применять механическую обработку.При изготовлении ряда керамических деталей некоторый из этих этапов могутотсутствовать или находиться в другой последовательности.
Основными технологическими видами керамики являются майолика, терракота, шамот, фарфор, фаянс. Они различаются составом глин, режимом обжига, приемами художественного оформления.
В качестве основных сырьевых материалов для изготовления дешевыхкерамических изделий электронной техники, к электрофизическим параметрамкоторых предъявляются не высокие требования, используются традиционныематериалы (глина, каолин и др.). К ним применяют упрощенные способы очисткидля удаления загрязнений, попадающих в массу при технологической переработке(промывка раствором соляной кислоты, электромагнитная сепарация, воднаяпромывка, гидравлическая сепарация тяжелыми жидкостями, флотационноеобогащение).
Основные исходные компоненты, предназначенные для изготовленияответственных изделий ЭТ, представляют собой химические реактивы высокойчистоты (окись циркония, кварцу, окись титана, различные карбиды металлов IV иVI групп и т.д.). Основное требование к ним – стабильность химического состава истабильность физико-химического состояния. В большинстве случаев поставляемыематериалы не соответствуют требованиям керамического производства. Поэтому втехнологии керамического производства в этих случаях включают процессыпредварительной термообработки и сходных материалов (прокаливание доопределенных температур, иногда плавление) и эффективны методы точногоизмельчения. Затем сырье подвергают грубому дроблению вначале на гинековыхили валковых дробилках, а затем на бегунах с подвижным поддоном. При этомпроизводится обработка каждого отдельного компонента (каолин, кварц, тальк,окись циркония, глина, мрамор и т.д.).
26. Полупроводниковые материалы и их свойства.
К полупроводникам относится большое количество материалов, отличающихсядруг от друга внутренней структурой, химическим составом и электрическимисвойствами. Согласно химическому составу, кристаллические полупроводниковыематериалы делят на 4 группы:
-материалы,состоящие из атомов одного элемента: германий,кремний,селен,фосфор бор, индий, галлий и др.;
-материалы, состоящие из окислов металлов: закись меди,окись цинка,окись кадмия,двуокись титана и пр.;
-материалы на основе соединений атомов третьей и пятой групп системы элементовМенделеева, обозначаемые общей формулой и называемые антимонидами. К этойгруппе относятся соединения сурьмы с индием, с галлием и др., соединения атомоввторой и шестой групп, а также соединения атомов четвертой группы;
-полупроводниковые материалы органического происхождения, напримерполициклические ароматические соединения: антрацен, нафталин и др.
Свойство 1. С повышением температуры удельное сопротивление полупроводников уменьшается, в отличие от металлов, у которых удельное сопротивление с повышением температуры увеличивается.
2. Свойство односторонней проводимости контакта двух полупроводников. Именно это свойство используется при создании разнообразных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров и др.
3. Контакты различных полупроводников в определенных условиях при освещении или нагревании являются источниками фото - э. д. с. или, соответственно, термо - э. д. с.