
- •1. Свойства материалов.
- •2. Кристаллическая решетка и основные параметры. Направления и кристаллографические плоскости.
- •3. Дефекты кристаллической решетки.
- •4. Механизм кристаллизации.
- •6. Деформация. Напряженность.
- •7.Прочность, твердость, пластичность и их характеристики.
- •8. Технологические свойства материалов.
- •9. Диаграмма состояния железо-углерод. Область точки эвтектики.
- •10. Диаграмма состояния железо-углерод. Область эвтектоидной точки.
- •11. Примеси в сталях и их влияние на свойства
- •12. Низкоуглеродистые стали.
- •13. Высокоуглеродистые стали.
- •14. Легированные стали.
- •15. Закалка, отжиг, нормализация.
- •16. Химико-термическая обработка: цементация, азотирование.
- •17. Чугуны
- •18. Медь и медные сплавы.
- •19. Алюминий и его сплавы
- •20. Титан и его сплавы.
- •21. Диэлектрические материалы. Виды поляризации.
- •22. Полимерные материалы. Термопластичные пластмассы
- •23. Полимерные материалы. Термореактивные пластмассы
- •24. Стекла. Состав и строение.
- •25. Керамика. Виды, состав и изготовление.
- •26. Полупроводниковые материалы и их свойства.
- •27. Получение полупроводниковых материалов
- •28.Магнитные материалы. Строение и свойства.
- •29. Магнитодиэлектрики и их свойства.
- •30 Припои и флюсы. Высокоомные провода.
- •31.Технология и ее характеристики
- •32 Производственные и технологические процессы.
- •33. Тип производства
- •34 Основные характеристики технологического процесса
- •35 Технологическая подготовка производства
- •36 Технологичность деталей. Показатели технологичности
- •37 Основные этапы проектирования технологического процесса.
- •38, Деформация. Влияние на структуру металла.
- •39, Прокатка. Волочение.
- •40 Горячая и холодная объемная штамповка.
- •Накатка резьб и мелкомодульных зубьев.
- •42. Штамповка: высадка, вырубка, гибка.
- •Штамповка: вытяжка, ударное выдавливание, зачистка.
- •44. Обработка резаньем и ее виды.
- •45. Точение. Основные параметры.
- •46. Шлифование. Область применения.
- •47. Методы создания поверхности с низкой шероховатостью.
- •48 Изготовление деталей из керамики.
- •49. Литье металлов в песчаные формы и по выплавляемым моделям.
- •50. Литье под давлением
- •51. Основные виды электрофизикохимической обработки.
- •52. Электроэрозионная обработка
- •53.Электрополировка. Электроразмерная обработка.
- •54 Ультразвуковая обработка: очистка деталей.
- •56 Плазменная обработка и ее возможности
- •57. Лазерная обработка и ее достоинства
- •58 Электроннолучевая обработка
- •59 Виды подложек и их характеристики
- •60.Технологический процесс получения кремневых подложек: резка, шлифовка.
- •61 Технологический процесс получения кремневых подложек: электрохимическаяполировка
- •62. Покрытия и виды покрытий
- •63. Металлические покрытия
- •64. Фотопечать. Фотохимическое изготовление изображений
- •65. Изготовление шкал и шильдиков: гравирование, сеткография
- •66. Элементы свч тракта и их изготовление
- •Свойства материалов.
- •Кристаллическая решетка и основные параметры. Направления и кристаллографические плоскости.
1. Свойства материалов.
Основными механическими свойствами являются прочность,упругость, вязкость,твердость.Знаямеханическиесвойства,конструкторобоснованно выбираетсоответствующийматериал,обеспечивающийнадежностьи долговечность конструкций при их минимальной массе.
Механические свойства определяют поведение материала при деформации и разрушении от действия внешних нагрузок.
В зависимостиотусловийнагружениямеханическиесвойствамогутопределяться при:
-статическомнагружении – нагрузканаобразецвозрастаетмедленнои плавно.
-динамическомнагружении – нагрузка возрастает с большой скоростью, имеет ударный характер.
-повторно,переменномилициклическимнагружении–нагрузка в процессеиспытаниямногократноизменяетсяповеличинеилиповеличинеи направлению.
Прочность–способностьматериаласопротивлятьсядеформациями разрушению.Предел прочности – напряжение, соответствующее максимальной нагрузке, которую выдерживает образец до разрушения (временное сопротивление разрыву).
Пластичность –– способностьматериалакпластическойдеформации,т.е. способностьполучатьостаточноеизменениеформыиразмеровбез нарушения сплошности.
Твердость – это сопротивление материала проникновению в его поверхность стандартного тела (индентора), не деформирующегося при испытании.
2. Кристаллическая решетка и основные параметры. Направления и кристаллографические плоскости.
Все металлы, затвердевающие в нормальных условиях, представляют собой кристаллические вещества, то есть укладка атомов в них характеризуется определённым порядком – периодичностью, как по различным направлениям, так и по различным плоскостям. Этот порядок определяется понятием кристаллическая решётка.
Элементарная ячейка – элемент объёма из минимального числа атомов, многократным переносом которого в пространстве можно построить весь кристалл. Элементарная ячейка характеризует особенности строения кристалла.
Основными параметрами кристалла являются:размеры рёбер элементарной ячейки. a, b, c; периоды решётки; расстояния между центрами ближайших атомов; координационное число (К) указывает на число атомов, расположенных на ближайшем одинаковом расстоянии от любого атома в решетке; базис решетки - количество атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку решетки;· плотность упаковки атомов в кристаллической решетке – объем, занятый атомами, которые условно рассматриваются как жесткие шары. Ее определяют как отношение объема, занятого атомами к объему ячейки (для объемно-центрированной кубической решетки – 0,68, для гранецентрированной кубической решетки – 0,74) .
Всего для кристаллических тел существует четырнадцать видов решеток, разбитых на четыре типа: примитивный – узлы решетки совпадают с вершинами элементарных ячеек; базоцентрированный – атомы занимают вершины ячеек и два места в противоположных гранях; объемно-центрированный – атомы занимают вершины ячеек и ее центр; гранецентрированный – атомы занимают вершины ячейки и центры всех шести граней.
Основными типами кристаллических решёток являются:
1. Объемно - центрированная кубическая (ОЦК), атомы располагаются в вершинах куба и в его центре (V, W, Ti, )
2. Гранецентрированная кубическая (ГЦК).атомы рассполагаются в вершинах куба и по центру каждой из 6 граней (Ag, Au, )
3. Гексагональная, в основании которой лежит шестиугольник:
· простая – атомы располагаются в вершинах ячейки и по центру 2 оснований (углерод в виде графита);
· плотноупакованная (ГПУ) – имеется 3 дополнительных атома в средней плоскости (цинк).
Плоскость, проходящая через узлы кристаллической решетки, называется кристаллографической плоскостью.
Прямая, проходящая через узлы кристаллической решетки, называется кристаллографическим направлением.
Для обозначения кристаллографических плоскостей и направлений пользуются индексами Миллера. Чтобы установить индексы Миллера, элементарную ячейку вписывают в пространственную систему координат (оси X,Y, Z – кристаллографические оси). За единицу измерения принимается период решетки.