
- •2. Диодный ключ. Работа в статическом и динамическом режимах.
- •3. Собственный и примесные проводники.
- •4.Типы полупроводниковых диодов. Параметры Диодов. Типы полупроводниковых диодов:
- •6. Параметрический стабилизатор напряжения.
- •7. Закон распределения носителей в зонах полупроводника. Функция Ферми – Дирака.
- •8. Туннельный диод.
- •9. Работа выхода.
- •10. Варикап.
- •11. Генерация и рекомбинация. Виды пробоев.
- •Vt может работать в 4 режимах, в зависимости от напряжения на его
- •13. Контакты полупроводник – металл.
- •14. Технология изготовления транзисторов.
- •15. Емкости p-n перехода. Схемы замещения p-n перехода.
- •16. Энергетические диаграммы транзистора при включении с общей базой.
- •8. Чрезмерное большое выходное сопротивление затрудняет согласование с нагрузкой. 17. Лавинно-пролетный диод. Применение.
- •18. Схемы включения транзисторов. Схема замещения транзисторов.
- •Схемы замещения транзистора.
- •19. Принцип работы фотоприемников.
- •20. Входные и выходные характеристики транзисторов при различных схемах включения.
- •21. Фоторезисторы. Схемы включения.
- •22. Емкости транзистора. Частотные характеристики транзистора.
- •23. Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •24. Фотодиоды. Схемы включения фотодиодов.
- •25. Определение h-параметров по статическим характеристикам транзистора. Страница 66 методичка по фоэт.
- •26. Лавинные фотодиоды.
- •27. Фототранзисторы. Схемы включения.
- •28. Динамический режим работы транзистора.
- •29. Фототиристоры. Характеристики.
- •30. Транзисторный ключ. Основная схема, увеличение быстродействия.
- •31. Ненасыщенный транзисторный ключ.
- •32. Квантовая система. Энергетические уровни.
- •33. Спонтанное и индуцированное излучение. Трехуровневая квантовая система.
- •34. Высокочастотные транзисторы. Технология изготовления, свойства. 35. Полевые транзисторы. Разновидности. Схемы включения.
- •36. Основы работы полупроводниковых лазеров.
- •37. Схема действия полупроводникового инжекционного лазера. Инжекционный лазер представляет собой инжекционный p - n переход, в котором
- •38. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
- •40. Динисторы. Структура, схема замещения, вах.
- •Чем отличается динистор от полупроводникового диода?
- •Принцип работы динистора.
- •Вах динистора.
- •41. Разновидности мдп-транзисторов, статические характеристики.
- •42. Тиристоры и их классификация.
- •43. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, устройство, вах, основные особенности.
- •44. Характеристики переходных процессов включения тиристоров и их особенности.
- •45. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, устройство, семейство вах, основные особенности.
- •47. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt), их устройство и основные особенности.
- •Применение
- •48. Критическая скорость нарастания прямого напряжения на тиристоре. Эффект du/dt. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
- •49. Ненасыщенный транзисторный ключ с нелинейной обратной связью.
- •51. Транзисторный ключ с форсирующим конденсатором.
- •52. Включение тиристорной структуры сигналом управления. Параметры процесса включения тиристора.
- •53. Методы улучшения импульсных и частотных свойств биполярных транзисторов.
- •54. Оособенности процесса выключении тиристора. Области применения тиристора.
- •55. Распределение электрического потенциала в объеме полупроводника.
8. Чрезмерное большое выходное сопротивление затрудняет согласование с нагрузкой. 17. Лавинно-пролетный диод. Применение.
Лавинно-пролетный диод (ЛПД)
Лавинно-пролетный диод (ЛПД) предназначен для генерации СВЧ колебаний на основе эффекта динамического отрицательного дифференциального сопротивления, возникающего в результате ударной ионизации атомов полупроводника при лавинном пробое. Его работа основана на том, что в режиме лавинного пробоя в полупроводниковых диодах возникающие под влиянием переменного поля изменения потока носителей заряда через диод запаздывают на столько, что большая часть носителей движется во время действия тормозящей полуволны СВЧ поля и отдает ему часть энергии, полученной от постоянного поля. Впервые генерация наблюдалась на германиевых обратно смещенных диодах, имеющих резкий излом вольт-амперной характеристики. Далее были созданы кремниевые, арсенид-галлиевые и фосфид-индиевые лавинно-пролетные диоды.
Лавинно-пролетный диод может быть реализован в виде однопереходной p-
n-структуры. Его особенностью является достаточно широкий и плавный переход между p- и n-областями. Работа диода происходит в области обратных смещений. В лавинно-пролетных диодах с несимметричным p-
n-переходом чаще всего бывает одно
пространство дрейфа — для электронов. Этим пространством является либо часть легированного полупроводника n-типа, либо собственный полупроводник перед омическим
контактом — анодом, которые не охвачены лавинным пробоем. Генерируемые в слое умножения дырки почти сразу же захватываются p-областью и в энергообмене участия не
принимают. Поэтому частотный диапазон таких ЛПД достаточно узок и определяется областью пролетной частоты. Применение.
Лавинно-пролетные диоды по частоте спосбны перекрывать весь диапазон СВЧ (от 0,5 до 500 ГГц). Существенное повышение коэффициента полезного действия ЛПД до 20...30% в сантиметровом и 60...70% в дециметровом диапазонах привело к тому, что они смогли заменить лампы обратной волны и клистроны малой и средней мощности. При помощи ЛПД могут генерироваться колебания мощностью до 12 Вт от одного прибора в сантиметровом диапазоне и порядка 0,1...1 Вт в миллиметровом. В аномальном режиме от ЛПД могут быть получены еще большие мощности (до сотен ватт в импульсном режиме). Недостатком ЛПД является относительно высокий уровень фазовых шумов. Помимо генерации сигналов СВЧ лавинно-пролетные диоды могут использоваться для их усиления, в схемах умножения и преобразования частоты и т.д.
18. Схемы включения транзисторов. Схема замещения транзисторов.
1. Схема включения транзистора с общей базой:
2. Схема включения транзистора с общим эмиттером:
3. Схема включения транзистора с общим коллектором.
Схемы замещения транзистора.
С управляемым генератором тока при включении с ОБ.
С управляемым генератором ЭДС при включении с ОБ:
С управляемым генератором тока при включении с ОЭ.
19. Принцип работы фотоприемников.
Работа различных полупроводниковых приемников излучения (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры) основана на использовании внутреннего фотоэффекта, который состоит в том, что под действием излучения в полупроводниках происходит генерация пар носителей заряда – электронов и дырок. Эти дополнительные носители увеличивают электрическую проводимость. Такая добавочная проводимость,
обусловленная действием фотонов, получила название фотопроводимости.
У металлов явление фотопроводимости практически отсутствует, так как у них концентрация электронов проводимости огромна (примерно 1022 см-3) и не может заметно увеличится под действием излучения. В некоторых приборах за счет фотогенерации электронов и дырок возникает ЭДС, которую принято называть фото-ЭДС, и тогда эти приборы работают как источники тока. В результате рекомбинации электронов и дырок в полупроводниках образуются фотоны, и при некоторых условиях полупроводниковые приборы могут работать в качестве источников излучения.