9. Работа выхода.

10. Варикап.

Варикапом – называется полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости барьерной емкости от Uобр. и который предназначен для применения в качестве электрически управляемой емкости. Варикапы широко применяются в схемах автоматической подстройки частоты, частотной модуляции, в параметрических усилителях. На рис.11 показана простейшая схема включения варикапа в колебательный контур. Изменяя с помощью потенциометра R Uобр. На варикапе, можно изменять резонансную частоту контура. Добавочный резистор R1 с большим сопротивлением включен для того, чтобы добротность контура не снижалась заметно от

шунтирующего влияния потенциометра R. Конденсатор Ср является разделительным. Без него варикап был бы для постоянного напряжения замкнут накоротко катушкой L. Варикап имеет Si p-n-переход, полученный сплавным или диффузионным методом, плоскостной.

Схемы замещения диодов:

11. Генерация и рекомбинация. Виды пробоев.

Уход электрона из ковалентной связи сопровождается появлением двух электрически связанных атомов единичного положительного заряда, получившего название дырки, и свободного электрона. Фактически дырку можно считать подвижным свободным носителем элементарного положительного заряда, а заполнение дырки электроном из соседней ковалентной связи можно представить как перемещение дырки. Процесс образования пар электрон-дырка называют генерацией свободных носителей заряда. Одновременно с процессом генерации протекает процесс рекомбинации носителей. Виды пробоев: В зависимости от причин, вызывающих появление дополнительных носителей заряда в р-n-переходе, различают электрический пробой и тепловой пробой.

Электрический пробой, в свою очередь, может быть лавинным или туннельным рассмотрим эти виды пробоя. Лавинный пробой обусловлен лавинным размножением носителей в р-n-переходе в результате ударной ионизации атомов быстрыми носителями заряда. Он происходит следующим образом. Неосновные носители заряда, поступающие в p-n-переход при действии обратного напряжения, ускоряются полем и при движении в нем сталкиваются с атомами кристаллической решетки. При соответствующей напряженности электрического поля носители заряда приобретают энергию, достаточную для отрыва валентных электронов. При этом образуются дополнительные пары носителей заряда - электроны и дырки, которые, ускоряясь полем, при столкновении с атомами также создают дополнительные носители заряда. Описанный процесс носит лавинный характер.

Лавинный пробой возникает в широких p-n-переходах, где при движении под действием электрического поля носители заряда, встречаясь _______с большим количеством атомов кристалла, в промежутке между столкновениями приобретают достаточную энергию для их ионизации.

В основе туннельного пробоя лежит непосредственный отрыв валентных

электронов от атомов кристаллической решетки под действием сильного электрического

поля. Образующися при этом дополнительные носители заряда (электроны и дырки)

увеличивают обратный ток через р-n-переход. Туннельный пробой развивается в узких р-

n-переходах, где при сравнительно небольшом обратном напряжении имеется высокая

напряженность поля. 12. Биполярные транзисторы.

Биполярный VT представляет собой п/п прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Слово «биполярный» означает, что работа VT зависит от носителей обеих полярностей: отрицательно заряженных свободных электронов и положительно заряженных дырок.