
- •2. Диодный ключ. Работа в статическом и динамическом режимах.
- •3. Собственный и примесные проводники.
- •4.Типы полупроводниковых диодов. Параметры Диодов. Типы полупроводниковых диодов:
- •6. Параметрический стабилизатор напряжения.
- •7. Закон распределения носителей в зонах полупроводника. Функция Ферми – Дирака.
- •8. Туннельный диод.
- •9. Работа выхода.
- •10. Варикап.
- •11. Генерация и рекомбинация. Виды пробоев.
- •Vt может работать в 4 режимах, в зависимости от напряжения на его
- •13. Контакты полупроводник – металл.
- •14. Технология изготовления транзисторов.
- •15. Емкости p-n перехода. Схемы замещения p-n перехода.
- •16. Энергетические диаграммы транзистора при включении с общей базой.
- •8. Чрезмерное большое выходное сопротивление затрудняет согласование с нагрузкой. 17. Лавинно-пролетный диод. Применение.
- •18. Схемы включения транзисторов. Схема замещения транзисторов.
- •Схемы замещения транзистора.
- •19. Принцип работы фотоприемников.
- •20. Входные и выходные характеристики транзисторов при различных схемах включения.
- •21. Фоторезисторы. Схемы включения.
- •22. Емкости транзистора. Частотные характеристики транзистора.
- •23. Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •24. Фотодиоды. Схемы включения фотодиодов.
- •25. Определение h-параметров по статическим характеристикам транзистора. Страница 66 методичка по фоэт.
- •26. Лавинные фотодиоды.
- •27. Фототранзисторы. Схемы включения.
- •28. Динамический режим работы транзистора.
- •29. Фототиристоры. Характеристики.
- •30. Транзисторный ключ. Основная схема, увеличение быстродействия.
- •31. Ненасыщенный транзисторный ключ.
- •32. Квантовая система. Энергетические уровни.
- •33. Спонтанное и индуцированное излучение. Трехуровневая квантовая система.
- •34. Высокочастотные транзисторы. Технология изготовления, свойства. 35. Полевые транзисторы. Разновидности. Схемы включения.
- •36. Основы работы полупроводниковых лазеров.
- •37. Схема действия полупроводникового инжекционного лазера. Инжекционный лазер представляет собой инжекционный p - n переход, в котором
- •38. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
- •40. Динисторы. Структура, схема замещения, вах.
- •Чем отличается динистор от полупроводникового диода?
- •Принцип работы динистора.
- •Вах динистора.
- •41. Разновидности мдп-транзисторов, статические характеристики.
- •42. Тиристоры и их классификация.
- •43. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, устройство, вах, основные особенности.
- •44. Характеристики переходных процессов включения тиристоров и их особенности.
- •45. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, устройство, семейство вах, основные особенности.
- •47. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt), их устройство и основные особенности.
- •Применение
- •48. Критическая скорость нарастания прямого напряжения на тиристоре. Эффект du/dt. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
- •49. Ненасыщенный транзисторный ключ с нелинейной обратной связью.
- •51. Транзисторный ключ с форсирующим конденсатором.
- •52. Включение тиристорной структуры сигналом управления. Параметры процесса включения тиристора.
- •53. Методы улучшения импульсных и частотных свойств биполярных транзисторов.
- •54. Оособенности процесса выключении тиристора. Области применения тиристора.
- •55. Распределение электрического потенциала в объеме полупроводника.
40. Динисторы. Структура, схема замещения, вах.
Динистор - полупроводниковый прибор с 3 п-р переходами. При некотором определенном значении напряжения пробиватся и начинает проводить ток до тех пор, пока ток не станет меньше определенного мин. значения. После этого он опять ток не проводит (восстанавливается). Приложишь напряжение - опять будет проводить.
Чем отличается динистор от полупроводникового диода?
Во-первых, стоит отметить, что у динистора три (!) p-n перехода. Напомним, что у полупроводникового диода p-n переход всего один. Наличие у динистора трёх p-n переходов придаёт динистору ряд особенных свойств.
Принцип работы динистора.
Суть работы динистора заключается в том, что при прямом включении он не пропускает ток до тех пор, пока напряжение на его выводах не достигнет определённого значения. Значение этого напряжения имеет определённую величину и не может быть изменено. Это связано с тем, что динистор является неуправляемым тиристором – у него нет третьего, управляющего, вывода.
Известно, что и обычный полупроводниковый диод также имеет напряжение открытия, но оно составляет несколько сотен милливольт (500 милливольт у кремниевых и 150 у германиевых). При прямом включении полупроводникового диода он открывается при приложении к его выводам даже небольшого напряжения.
Чтобы подробно и наглядно разобраться в принципе работы динистора обратимся к его вольт-амперной характеристике (ВАХ). Вольт-амперная характеристика хороша тем, что позволяет наглядно увидеть то, как работает полупроводниковый прибор.
На рисунке ниже вольт-амперная характеристика (англ. Current-voltage characteristics) импортного динистора DB3. Отметим, что данный динистор является симметричным и его можно впаивать в схему без соблюдения цоколёвки. Работать он будет в любом случае, вот только напряжение включения (пробоя) может чуть отличаться (до 3 вольт).
Вах динистора.
Структура динистора:
41. Разновидности мдп-транзисторов, статические характеристики.
Смотри вопрос 39.
42. Тиристоры и их классификация.
Тиристором называется полупроводниковый прибор с двумя статическими состояниями (состояние высокой проводимости – тиристор открыт, и состояние низкой проводимости – тиристор закрыт). Тиристор может быстро переключаться из закрытого состояния в открытое, и наоборот.
Классификация тиристоров происходит по следующим признакам: по количеству их выводов, по способу выключения и управления, по виду вольтамперной характеристике и по ряду другим признакам. В зависимости от количества выводов подразделяют:
Тиристоры диодные или динисторы, которые имеют только два вывода (анод и катод).
Тиристоры триодные имеют три вывода (анод, катод и управляющий электрод). К ним относятся: тиристоры, запираемые тиристоры, тиристор-диод и симистор.
Тиристоры четырехэлектродные или тетродные имеют четыре вывода (пару входных и пару выходных электродов). К ним относят тиристорную оптопару.
По виду ВАХ подразделяют на:
тиристоры, которые не проводят в обратном направлении (динисторы, тиристоры и запираемые тиристоры);
тиристоры, которые проводят в обратном направлении (тиристор-диод);
симметричные тиристоры, которые переключаются в открытое состояние в любых направлениях (симисторы или триаки).
По виду выключения тиристоры классифицируют на незапираемые (выключение возможно только по выходной анодной цепи) и запираемые (выключение обеспечивается по входной управляющей цепи). В зависимости от того, каким сигналом осуществляется управление тиристором, они подразделяют на тиристоры, которые управляются внешним электрическим сигналом; фототиристоры, управляемые внешним оптическим сигналом; оптотиристоры – управляются внутренним оптическим сигналом, генерируемым излучателем.
Для обозначения отечественных тиристоров приняты следующие буквы русского алфавита:
Т – тиристор (общее обозначение) и как тиристор, не проводящий в обратном направлении;
ТП – тиристор, который проводит в обратном направлении;
ТД – тиристор –диод, который проводит в обратном направлении и его обратные параметры нормируются;
ТЛ – лавинный тиристор, работа которого допускается при лавинном пробое в обратном направлении;
ТС – симметричный тиристор (симистор);
ТФ – фототиристор;
ТО – оптотиристор или тиристорная оптопара;
По своим динамическим свойствам тиристоры также подразделяют на подклассы:
Ч – быстровыключающиеся, при которых нормируется время выключения;
И – быстровключающиеся, при которых нормируется время включения;
Б – быстродействующие тиристоры, в которых нормируется время включения и время выключения.
Условное обозначение тиристора состоит из буквы и цифры (рис. 2), которые обозначают его вид, класс по напряжению, группу по динамическим параметрам, куда входят скорость нарастания прямого напряжения, время включения и время выключения прибора.
Как пример ТБ-143-320 – это быстродействующий тиристор, обозначение которого расшифровывается следующим образом: не проводит в обратном направлении, рассчитанный на максимально допустимый ток 320 А; цифра 1 указывает на первую модификацию прибора.