
- •2. Диодный ключ. Работа в статическом и динамическом режимах.
- •3. Собственный и примесные проводники.
- •4.Типы полупроводниковых диодов. Параметры Диодов. Типы полупроводниковых диодов:
- •6. Параметрический стабилизатор напряжения.
- •7. Закон распределения носителей в зонах полупроводника. Функция Ферми – Дирака.
- •8. Туннельный диод.
- •9. Работа выхода.
- •10. Варикап.
- •11. Генерация и рекомбинация. Виды пробоев.
- •Vt может работать в 4 режимах, в зависимости от напряжения на его
- •13. Контакты полупроводник – металл.
- •14. Технология изготовления транзисторов.
- •15. Емкости p-n перехода. Схемы замещения p-n перехода.
- •16. Энергетические диаграммы транзистора при включении с общей базой.
- •8. Чрезмерное большое выходное сопротивление затрудняет согласование с нагрузкой. 17. Лавинно-пролетный диод. Применение.
- •18. Схемы включения транзисторов. Схема замещения транзисторов.
- •Схемы замещения транзистора.
- •19. Принцип работы фотоприемников.
- •20. Входные и выходные характеристики транзисторов при различных схемах включения.
- •21. Фоторезисторы. Схемы включения.
- •22. Емкости транзистора. Частотные характеристики транзистора.
- •23. Представление транзистора в виде четырехполюсника и системы статистических параметров.
- •24. Фотодиоды. Схемы включения фотодиодов.
- •25. Определение h-параметров по статическим характеристикам транзистора. Страница 66 методичка по фоэт.
- •26. Лавинные фотодиоды.
- •27. Фототранзисторы. Схемы включения.
- •28. Динамический режим работы транзистора.
- •29. Фототиристоры. Характеристики.
- •30. Транзисторный ключ. Основная схема, увеличение быстродействия.
- •31. Ненасыщенный транзисторный ключ.
- •32. Квантовая система. Энергетические уровни.
- •33. Спонтанное и индуцированное излучение. Трехуровневая квантовая система.
- •34. Высокочастотные транзисторы. Технология изготовления, свойства. 35. Полевые транзисторы. Разновидности. Схемы включения.
- •36. Основы работы полупроводниковых лазеров.
- •37. Схема действия полупроводникового инжекционного лазера. Инжекционный лазер представляет собой инжекционный p - n переход, в котором
- •38. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
- •40. Динисторы. Структура, схема замещения, вах.
- •Чем отличается динистор от полупроводникового диода?
- •Принцип работы динистора.
- •Вах динистора.
- •41. Разновидности мдп-транзисторов, статические характеристики.
- •42. Тиристоры и их классификация.
- •43. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, устройство, вах, основные особенности.
- •44. Характеристики переходных процессов включения тиристоров и их особенности.
- •45. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, устройство, семейство вах, основные особенности.
- •47. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt), их устройство и основные особенности.
- •Применение
- •48. Критическая скорость нарастания прямого напряжения на тиристоре. Эффект du/dt. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
- •49. Ненасыщенный транзисторный ключ с нелинейной обратной связью.
- •51. Транзисторный ключ с форсирующим конденсатором.
- •52. Включение тиристорной структуры сигналом управления. Параметры процесса включения тиристора.
- •53. Методы улучшения импульсных и частотных свойств биполярных транзисторов.
- •54. Оособенности процесса выключении тиристора. Области применения тиристора.
- •55. Распределение электрического потенциала в объеме полупроводника.
2. Диодный ключ. Работа в статическом и динамическом режимах.
Для переключения (коммутации) напряжений и токов служат т.н. диодные ключи
3. Собственный и примесные проводники.
Собственныйч полупроводник — это полупроводник без донорных и акцепторных примесей или с концентрацией примеси настолько малой, что она не оказывает существенного влияния на удельную проводимость полупроводника. В собственном полупроводнике при температуре абсолютного нуля отсутствуют носители заряда, так как валентная зона полностью занята электронами (там нет дырок), а в зоне проводимости нет электронов. примесных полупроводников, т. е. полупроводников, электрические характеристики которых определяются донорными или акцепторными примесями.
В полупроводнике Р –типа основные носители дырки, неосновные носители – электроны В n – типа основные носители электроны , неосновные – дырки.
4.Типы полупроводниковых диодов. Параметры Диодов. Типы полупроводниковых диодов:
Выпрямительные, универсальные, импульсные, сверхвысокочастотные, стабилитроны, варикапы ,туннельные, обращенные, фотодиоды, светоизлучающие диоды, генераторы шума, магнитодиоды. Они обладают параметрами: вх и вых ток, вх и вых напряжение , рассеивающая мощность, статич и динамическое сопротивление.
5. P-N переход при отсутствии внешнего поля. Распределение объемного заряда в области P-N перехода.
Допустим внешнее напряжение на переходе отсутствует. Так как носители заряда в каждом полупроводнике совершают беспорядочное тепловое движение, т. е. имеют собственные скорости, то происходит их диффузия из одного полупроводника в другой. Как и при любой другой диффузии носители перемещаются оттуда, где их концентрация больше, туда, где их концентрация меньше (про диффузию читать сюда). Таким образом, из полупроводника n-типа в полупроводник p-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении – дырки.
6. Параметрический стабилизатор напряжения.
В параметрических стабилизаторах напряжения режим стабилизации осуществляется за счет нелинейности ВАХ регулирующего элемента. От ВАХ зависит качество стабилизации. Степень нелинейности ВАХ на рабочем участке ВС оценивается отношением динамического и статического сопротивлений. Статическое сопротивление RС – это сопротивление, которое оказывает нелинейный элемент постоянному по величине току в выбранной рабочей точке А характеристики: RС = U0 / I0 = tg a . Динамическое сопротивление элемента RД равно отношению изменения падения напряжения на элементе DU к изменению величины тока, протекающего через элемент DI. Динамическое сопротивление является тем сопротивлением, которое оказывает элемент изменениям протекающего через него тока: RД = DU / DI = tg b .
В качестве нелинейных элементов в параметрических стабилизаторах напряжения используются газоразрядные и кремниевые стабилитроны. Схемы параметрических стабилизаторов с использованием стабилитронов применяются для стабилизации напряжения при мощности в нагрузке до нескольких ватт. Достоинство таких схем – простота исполнения и малое количество элементов, недостаток – отсутствие плавной регулировки и точной установки номинального значения выходного напряжения, кроме этого, у таких схем мал к.п.д..
С
хема
стабилизатора состоит из гасящего
сопротивления RГ , включенного
последовательно с нагрузкой, и
стабилитрона VD,
включенного параллельно нагрузке.
Для
определения основных показателей
качества параметрического стабилизатора
постоянного напряжения представим его
функциональной схемой для изменений
напряжения на входе. Считая, что
стабилизатор
нагружен на активное сопротивление RН , изменение DU1 является медленным и дифференциальное сопротивление стабилитрона неизменно в пределах рабочего участка характеристики стабилитрона. Тогда, передаточная функция, связывающая возмущение на входе DU1 с реакцией на выходе DU2 , представляется коэффициентом деления
(1)
Преобразуя (1), имеем
Отношение DU1/DU2 является дифференциальным коэффициентом стабилизации KСТ. Д. ,который связан с коэффициентом стабилизации KСТ. U выражением
(4)
где K0 = U2/U1– коэффициент передачи постоянной составляющей напряжения стабилизатора.