
- •Топологические параметры цепи
- •Эквивалентные преобразования электрических цепей
- •Метод эквивалентных преобразований
- •Пример применения
- •Последовательно соединенные реальная индуктивная катушка и конденсатор в цепи синусоидального тока
- •Резонансы в цепях синусоидального тока
- •Резонанс в цепи с последовательно соединенными элементами (резонанс напряжений)
- •Резонанс в цепи с параллельно соединенными элементами (резонанс токов)
- •Резонанс в сложной цепи
- •20. Емкостной характер цепи синусоидального тока с параллельным соединением rlc — элементов.
- •Комплексный метод расчета цепей синусоидального тока
- •Переменный однофазный ток
- •Мощность
- •Коэффициент мощности
- •Аварийные режимы в нагрузках соединенных звездой
- •Аварийные режимы в нагрузках соединенных треугольником
- •Соединение в звезду. Схема, определения
- •Соединение в треугольник. Схема, определения
- •Соотношение между линейными и фазными токами и напряжениями.
- •Соотношения между фазными и линейными напряжениями источников. Номинальные напряжения
- •Измерение активной мощности в трехфазных цепях
- •Измерение активной мощности двумя ваттметрами
- •4.2. Магнитные цепи
- •Закон полного тока
- •Ток смещения
- •Магнитные цепи
- •9.1. Основные определения
- •9.2. Свойства ферромагнитных материалов
- •9.3. Расчет магнитных цепей
- •Общая характеристика задач и методов расчета магнитных цепей
- •Регулярные методы расчета
- •1. Прямая” задача для неразветвленной магнитной цепи
- •2. “Прямая” задача для разветвленной магнитной цепи
- •Графические методы расчета
- •1. “Обратная” задача для неразветвленной магнитной цепи
- •2. “Обратная” задача для разветвленной магнитной цепи
- •Итерационные методы расчета
- •Статическая и дифференциальная индуктивности катушки с ферромагнитным сердечником
- •Магнитные характеристики атома
- •Устройство и принцип действия трансформатора
- •2. Механическая характеристика асинхронного двигателя
- •Работа трансформатора в режиме холостого хода
- •Опыт короткого замыкания трансформатора
- •[Править]Типы
- •[Править]Принцип действия
- •[Править]Электродвигатель
- •[Править]Генератор
- •11.2. Принцип действия машины постоянного тока
- •11.3. Работа электрической машины постоянного тока в режиме генератора
- •§ 2.2. Классификация полупроводниковых материалов
- •Варисторы
- •Терморезисторы
- •Тензорезисторы
- •[Править]Основные характеристики и параметры диодов
- •[Править]Классификация диодов [править]Типы диодов по назначению
- •[Править]Типы диодов по частотному диапазону
- •[Править]Типы диодов по размеру перехода
- •[Править]Типы диодов по конструкции
- •Транзисторы
- •1.5.1 Структура транзистора
- •История создания полевых транзисторов
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •Классификация полевых транзисторов
- •Области применения полевых транзисторов
- •]Устройство и основные виды тиристоров
- •Режимы работы триодного тиристора Режим обратного запирания
- •Режим прямого запирания
- •Двухтранзисторная модель
- •Режим прямой проводимости
- •Классификация тиристоров[2][3][4]
- •Отличие динистора от тринистора
- •Отличие тиристора триодного от запираемого тиристора
- •Симистор
- •Характеристики тиристоров
- •Оптоэлектронные приборы
- •Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
- •3.1 Фоторезисторы
- •3.2 Фотодиод
- •3.3 Светоизлучательные диоды
- •Классификация усилителей на полупроводниковых триодах
- •Операционные усилители
- •Обозначения на схеме
- •Принцип действия
- •Операционный усилитель без отрицательной обратной связи (компаратор)
- •Операционный усилитель с отрицательной обратной связью (неинвертирующий усилитель)
- •Вторичные источники питания
- •Задачи вторичного источника питания
]Устройство и основные виды тиристоров
Рис. 1. Схемы тиристора: a) Основная четырёхслойная p-n-p-n-структура b) Диодный тиристор с) Триодный тиристор.
Основная схема тиристорной структуры показана на рис. 1. Она представляет собой четырёхслойный полупроводник структуры p-n-p-n, содержащий три последовательно соединённых p-n-перехода J1, J2, J3. Контакт к внешнему p-слою называется анодом, к внешнему n-слою — катодом. В общем случае p-n-p-n-прибор может иметь до двух управляющих электродов (баз), присоединённых к внутренним слоям. Подачей сигнала на управляющий электрод производится управление тиристором (изменение его состояния). Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором[1] (иногда просто тиристором, хотя это не совсем правильно). В зависимости от того, к какому слою полупроводника подключён управляющий электрод, тринисторы бывают управляемыми по аноду и по катоду. Наиболее распространены последние.
Описанные выше приборы бывают двух разновидностей: пропускающие ток в одном направлении (от анода к катоду) и пропускающие ток в обоих направлениях. В последнем случае соответствующие приборы называются симметричными (так как ихВАХ симметрична) и обычно имеют пятислойную структуру полупроводника. Симметричный тринистор называется такжесимистором или триаком (от англ. triac). Следует заметить, что вместо симметричных динисторов, часто применяются их интегральные аналоги, обладающие лучшими параметрами.
Тиристоры, имеющие управляющий электрод, делятся на запираемые и незапираемые. Незапираемые тиристоры, как следует из названия, не могут быть переведены в закрытое состояние с помощью сигнала, подаваемого на управляющий электрод. Такие тиристоры закрываются, когда протекающий через них ток становится меньше тока удержания. На практике это обычно происходит в конце полуволны сетевого напряжения.
Вольтамперная характеристика тиристора
Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора
Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис 2. Она имеет несколько участков:
Между точками 0 и 1 находится участок, соответствующий высокому сопротивлению прибора — прямое запирание.
В точке 1 происходит включение тиристора.
Между точками 1 и 2 находится участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Участок между точками 2 и 3 соответствует открытому состоянию (прямой проводимости).
В точке 2 через прибор протекает минимальный удерживающий ток Ih.
Участок между 0 и 4 описывает режим обратного запирания прибора.
Участок между 4 и 5 — режим обратного пробоя.
Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. 2 тем, что кривая в третьей четверти графика повторяет участки 0—3 симметрично относительно начала координат.
По типу нелинейности ВАХ тиристор относят к S-приборам.