
- •Топологические параметры цепи
- •Эквивалентные преобразования электрических цепей
- •Метод эквивалентных преобразований
- •Пример применения
- •Последовательно соединенные реальная индуктивная катушка и конденсатор в цепи синусоидального тока
- •Резонансы в цепях синусоидального тока
- •Резонанс в цепи с последовательно соединенными элементами (резонанс напряжений)
- •Резонанс в цепи с параллельно соединенными элементами (резонанс токов)
- •Резонанс в сложной цепи
- •20. Емкостной характер цепи синусоидального тока с параллельным соединением rlc — элементов.
- •Комплексный метод расчета цепей синусоидального тока
- •Переменный однофазный ток
- •Мощность
- •Коэффициент мощности
- •Аварийные режимы в нагрузках соединенных звездой
- •Аварийные режимы в нагрузках соединенных треугольником
- •Соединение в звезду. Схема, определения
- •Соединение в треугольник. Схема, определения
- •Соотношение между линейными и фазными токами и напряжениями.
- •Соотношения между фазными и линейными напряжениями источников. Номинальные напряжения
- •Измерение активной мощности в трехфазных цепях
- •Измерение активной мощности двумя ваттметрами
- •4.2. Магнитные цепи
- •Закон полного тока
- •Ток смещения
- •Магнитные цепи
- •9.1. Основные определения
- •9.2. Свойства ферромагнитных материалов
- •9.3. Расчет магнитных цепей
- •Общая характеристика задач и методов расчета магнитных цепей
- •Регулярные методы расчета
- •1. Прямая” задача для неразветвленной магнитной цепи
- •2. “Прямая” задача для разветвленной магнитной цепи
- •Графические методы расчета
- •1. “Обратная” задача для неразветвленной магнитной цепи
- •2. “Обратная” задача для разветвленной магнитной цепи
- •Итерационные методы расчета
- •Статическая и дифференциальная индуктивности катушки с ферромагнитным сердечником
- •Магнитные характеристики атома
- •Устройство и принцип действия трансформатора
- •2. Механическая характеристика асинхронного двигателя
- •Работа трансформатора в режиме холостого хода
- •Опыт короткого замыкания трансформатора
- •[Править]Типы
- •[Править]Принцип действия
- •[Править]Электродвигатель
- •[Править]Генератор
- •11.2. Принцип действия машины постоянного тока
- •11.3. Работа электрической машины постоянного тока в режиме генератора
- •§ 2.2. Классификация полупроводниковых материалов
- •Варисторы
- •Терморезисторы
- •Тензорезисторы
- •[Править]Основные характеристики и параметры диодов
- •[Править]Классификация диодов [править]Типы диодов по назначению
- •[Править]Типы диодов по частотному диапазону
- •[Править]Типы диодов по размеру перехода
- •[Править]Типы диодов по конструкции
- •Транзисторы
- •1.5.1 Структура транзистора
- •История создания полевых транзисторов
- •Схемы включения полевых транзисторов
- •Классификация полевых транзисторов
- •Области применения полевых транзисторов
- •]Устройство и основные виды тиристоров
- •Режимы работы триодного тиристора Режим обратного запирания
- •Режим прямого запирания
- •Двухтранзисторная модель
- •Режим прямой проводимости
- •Классификация тиристоров[2][3][4]
- •Отличие динистора от тринистора
- •Отличие тиристора триодного от запираемого тиристора
- •Симистор
- •Характеристики тиристоров
- •Оптоэлектронные приборы
- •Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
- •3.1 Фоторезисторы
- •3.2 Фотодиод
- •3.3 Светоизлучательные диоды
- •Классификация усилителей на полупроводниковых триодах
- •Операционные усилители
- •Обозначения на схеме
- •Принцип действия
- •Операционный усилитель без отрицательной обратной связи (компаратор)
- •Операционный усилитель с отрицательной обратной связью (неинвертирующий усилитель)
- •Вторичные источники питания
- •Задачи вторичного источника питания
§ 2.2. Классификация полупроводниковых материалов
Полупроводниковые материалы по химическому составу можно разделить на две группы: простые и сложные.
К простым полупроводниковым материалам относятся германий и кремний. Практическое применение для изготовления интегральных схем нашел только кремний.
В группу сложных полупроводниковых материалов входят химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включающие в себя два, три элемента или более. В качестве примера таких соединений можно привести GaAs, Bi2Te3, ZnSiP2 и др. Полупроводниковые материалы этой группы, состоящие из двух элементов, называют бинарными соединениями. Такие соединения, как это принято в неорганической химии, имеют наименования того компонента, у которого металлические свойства выражены слабее. Так, бинарные соединения,, содержащие мышьяк, называют арсенидами, серу — сульфидами, теллур — теллуридами, углерод — карбидами.
Различные группы сложных полупроводниковых материалов объединяют по признаку номера группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева, к которым принадлежат компоненты соединения. Группы полупроводниковых соединений обозначают буквами латинского алфавита: А—-первый компонент соединения, В — второй, С — третий и т. д. Буквы, в свою очередь, имеют цифровые индексы. Римские цифры, проставляемые над буквами, обозначают группу элемента в таблице Менделеева. Арабские цифры, проставляемые под буквами, обозначают стехиометричеекий коэффициент. Например, бинарное соединение фосфид индия InP имеет обозначение ?????, теллурид висмута Bi2Te3—Aj B3vi соединение типа ZnSiPa —AHB^-Cj и т. д.
Твердые растворы полупроводниковых материалов обозначают символами входящих в них элементов и нижними индексами, которые определяют их атомную долю в твердом растворе. Например, твердый раствор германий-кремний обозначают в общем виде Sii^Ge*, а между соединениями InAs и InP — формулой InAsi-xPa;, где х—атомная доля компонента твердого раствора:
Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 104−10~10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т. п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
45 полупроводниковые резисторы.
Полупроводниковый резистор — полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры, освещенности, напряжения и других параметров. В полупроводниковых резисторах применяют полупроводник, равномерно легированный примесями. В зависимости от типа примесей удаётся получить различные зависимости сопротивления от внешнего воздействия.
Классификация и условные обозначения полупроводниковых резисторов. |
|
Тип резисторов |
Условное обозначение |
Линейные резисторы |
|
Варисторы |
|
Тензорезисторы |
|
Терморезисторы |
|
Фоторезисторы |
|
Первые две группы полупроводниковых резисторов в соответствии с этой классификацией — линейные резисторы и варисторы — имеют электрические характеристики, слабо зависящие от внешних факторов: температуры окружающей среды, вибрации, влажности, освещённости и др. Для остальных групп полупроводниковых резисторов, наоборот, характерна сильная зависимость их электрических характеристик от внешних факторов. Так, характеристики терморезисторов существенно зависят от температуры, характеристики фоторезисторов — от освещённости, характеристики тензорезисторов — от механических напряжений.