4.3. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов.
При включении
ключа с элементами, формирующими
траектории переключения транзистора,
время включения определяется скоростью
нарастания коллекторного тока,
протекающего через дроссель L
, обратный диод VD1
и транзистор VT1
в режиме насыщения
,
где Iдоп-допустимое
значение броска коллекторного тока.
Считая, это время таким же, как в ключе
без формирующих элементов, найдем
требуемую индуктивность дросселя:
мГн.
Емкость С2 определим из условия, чтобы время отключения без цепей формирования траектории переключения :
мкФ.
Примем С2 =180 пФ.
Выбираем конденсатор типа КМ-6-50В-П33-180пФ ± 10%
Сопротивление разрядного резистора:
Ом.
Примем R8=620 Ом
Резистор С5-5Т-5Вт-620 Ом ± 5%
Диод VD3 выбираем по критериям:
Iср.max = Iдоп =0,21 А,
Uобр.max = Uп =36 В.
В качестве разрядного диода VD3 выбираем высокочастотный диод типа Д7А, имеющий следующие параметры:
Uобр.max =50 В
Iср.max =300 мА
Оценим время разряда дросселя и емкости С2 после включения или отключения ключа.
мкс;
мкс.
Как видим, отвод энергии накопленной в реактивных элементах ключа, требует достаточно большего времени. Если к очередному переключению эта энергия не израсходуется полностью, то цель введения формирующих элементов не будет достигнута. Поэтому полное время включения и отключения ключа следует считать равным.
мкс.
мкс
Примем с некоторым
запасом
мкс.
4.4 Расчет мощности резисторов
PR1=U2БЭ1max/R1=1,52/10=0,225 Вт
PR2=U2БЭ2max/R2=1,52/10=0,225 Вт
PR3=I2R3отп·R3=0,152·34=0,76 Вт
PR4=U2R4/R4=10,1782/636=0,16 Вт
PR5= U2R5/R5=0,682/226=0,002 Вт
PR6=U2БЭ5max/R6=0,822/256=0,002 Вт
PR7=I2пр.сд·R7=0,022·172,5=0,069 Вт
PR8=U2п/R8=362/620=2 Вт
ПЭВ– 40 –10 Ом5 –– ГОСТ 6513-66.
ПЭВ– 40 –10 Ом5 – ГОСТ 6513-66.
МЛТ – 2 – 3 Ом5 – А ГОСТ 2825-67
МЛТ – 0,25 – 900 Ом20 А- ГОСТ 2825-67
МЛТ – 0,125 – 170 Ом5 А- ГОСТ 2825-67
МЛТ – 0,125 – 170Ом5 А- ГОСТ 2825-67
МЛТ – 0,125 – 180 Ом5 А – ГОСТ 2825-60
ПЭВ – 100 – 160 Ом10 А – ГОСТ 6513-66.
