• реальні перспективи подальшого розвитку цих факторів.

Інтегральна електроніка на сьогоднішній день є галуззю промисловості яка здатна дуже швидко впроваджувати у виробництво інноваційно-перспективні наукові розробки, які започатковуються схемотехнічною мікроелектронікою та іншими напрямами сучасної науки.

Формується новий комплекс наноелектронних технологій, здатних створювати надвеликі мікропроцесори — інтегральні структури з дуже великим ступенем інтеграції та функцій і надмалими габаритними розмірами та енергоспоживанням.

Мова йде про габарити, які будуть вимірюватись не мікрометрами, а нанометрами.

Нано (від грецьк. nonos — карлик) — приставка для створення назв дольних одиниць рівних одній міліардній частці вихідних одиниць. Наприклад, 1 нм = 10^-9 м.

Наноелектронні технології, інтегруючись з біотехнологіями, мікро- та наномеханікою, роботобудуванням та іншими технологіями, в найближчі десятиліття будуть спроможні ще в більшій мірі поставити досягнення сучасної науки на облаштування людського життя та навколишнього середовища.

2. Класифікація інтегральних мікросхем

Інтегральні мікросхеми поділяють на окремі класи за такими ознаками: технологією виготовлення, ступенем інтеграції, функціональним призначенням тощо.

І. За технологією виготовлення. Усі інтегральні мікросхеми поділяють на напівпровідникові, плівкові та гібридні.

Напівпровідникові ІМС виготовляють у приповерхневому шарі монокристалів (кремнію, арсеніду галію) особливої чистоти. В окремих місцях монокристалу його структуру перебудовують так, що ці місця стають елементами складної системи, якою є ІМС. У напівпровідникових ІМС усі елементи та з'єднання виготовлені в об'ємі та на поверхні напівпровідникового монокристалу. Частина монокристалу розміром 1 мм² перетворюється в складний електронний прилад, який замінює блок з 50—100 і більше звичайних радіотехнічних деталей.

Плівкові ІМС виготовляють нанесенням різних речовин у вигляді плівок на поверхню підкладки, виготовленої із скла або кераміки.