
- •Статистический метод в физике
- •Термодинамический метод в физике
- •Термодинамическая характеристика состояния тел и термодинамические процессы
- •Основные уравнения модели идеального газа
- •Основное уравнение молекулярно-кинетической теории идеальных газов
- •Закон Маквелла о распределении молекул идеального газа по скоростям и энергиям теплового движения
- •Барометрическая формула. Распределение Больцмана
- •Среднее число столкновений и средняя длина свободного пробега молекул
- •Опытное обоснование молекулярно-кинетической теории
- •Явления переноса в термодинамически неравновесных системах
- •Вакуум и методы его получения. Свойства ультраразреженных газов
- •Закон равномерного распределения энергии по степеням свободы молекул
- •Первое начало термодинамики
- •Работа газа при изменении его объема
- •Теплоемкость. Уравнение Майера
- •Адиабатический процесс. Политропный процесс
- •Круговой процесс (цикл). Обратимые и необратимые процессы
- •Энтропия, ее статистическое толкование и связь с термодинамической вероятностью
- •Второе начало термодинамик
- •Цикл Карно
- •Реальные газы, жидкости и твердые тела
- •Уравнение Ван-дер-Ваальса
- •Изотермы Ван-дер-Ваальса и их анализ
- •Внутренняя энергия реального газа
- •Эффект Джоуля — Томсона
- •Сжижение газов
- •Свойства жидкостей. Поверхностное натяжение
- •Смачивание
- •Капиллярные явления
- •Твердые тела. Моно- и поликристаллы
- •§ 31. Типы кристаллических твердых тел
- •§ 32. Дефекты в кристаллах
- •§ 33. Теплоемкость твердых тел
- •§ 34. Испарение, сублимация, плавление и кристаллизация. Аморфные тела
- •§ 35. Фазовые переходы I и п рода
- •§ 36. Диаграмма состояния. Тройная точка
- •§ 37 Понятие о зонной теории твердых тел
- •§ 38. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •§ 39 Собственная проводимость полупроводников
- •§ 40. Примесная проводимость полупроводников
- •§ 41. Фотопроводимость полупроводников
- •§ 42. Люминесценция твердых тел
- •§ 43. Контакт двух металлов по зонной теории
- •§ 44. Термоэлектрические явления и их применение
- •§ 45. Выпрямление на контакте металл — полупроводник
- •§ 46. Размер, состав и заряд атомного ядра. Массовое и зарядовое числа
- •§ 47. Дефект массы и энергия связи ядра
- •§ 48. Спин ядра и его магнитный момент
- •§ 49 Ядерные силы. Модели ядра
- •§ 50. Радиоактивное излучение и его виды
- •§ 51. Закон радиоактивного распада. Правила смещения
- •§ 52. Закономерности -распада
- •§ 54. Гамма-излучение и его свойства
- •§ 55. Резонансное поглощение -излучения (эффект Мёссбауэра*)
- •§ 56. Методы наблюдения и регистрации радиоактивных излучений и частиц
- •§ 57. Ядерные реакции и их основные типы
- •§ 59. Открытие нейтрона. Ядерные реакции под действием нейтронов
- •§ 60. Реакция деления ядра
- •§ 61. Цепная реакция деления
- •§ 62. Понятие о ядерной энергетике
- •§ 63. Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •§ 64. Космическое излучение
- •§ 65. Мюоны и их свойства
- •§ 66. Мезоны и их свойства
- •§ 67. Типы взаимодействий элементарных частиц
- •§ 68. Частицы и античастицы
- •§ 69. Гипероны. Странность и четность элементарных частиц
- •§ 70. Классификация элементарных частиц. Кварки
Капиллярные явления
Если поместить узкую трубку (капилляр) одним концом в жидкость, налитую в широкий сосуд, то вследствие смачивания или несмачивания жидкостью стенок капилляра кривизна поверхности жидкости в капилляре становится значительной. Если жидкость смачивает материал трубки, то внутри ее поверхность жидкости — мениск — имеет вогнутую форму, если не смачивает — выпуклую (рис. 101).
Под вогнутой поверхностью жидкости появится отрицательное избыточное давление, определяемое по формуле (68.2). Наличие этого давления приводит к тому, что жидкость в капилляре поднимается, так как под плоской поверхностью жидкости в широком сосуде избыточного давления нет. Если же жидкость не смачивает стенки капилляра, то положительное избыточное давление приведет к опусканию жидкости в капилляре. Явление изменения высоты уровня жидкости в капиллярах называется капиллярностью. Жидкость в капилляре поднимается или опускается на такую высоту h, при которой давление столба жидкости (гидростатическое давление) gh уравновешивается избыточным давлением p, т. е.
где — плотность жидкости, g — ускорение свободного падения.
Если r — радиус капилляра, — краевой угол, то из рис. 101 следует, что (2 cos)/r = gh, откуда
(69.1)
В соответствии с тем, что смачивающая жидкость по капилляру поднимается, а несмачивающая—опускается, из формулы (69.1) при </2 (cos>0) получим положительные значения h, а при >/2 (cos<0) — отрицательные. Из выражения (69.1) видно также, что высота поднятия (опускания) жидкости в капилляре обратно пропорциональна его радиусу. В тонких капиллярах жидкость поднимается достаточно высоко. Так, при полном смачивании (=0) вода ( =1000 кг/м3, = 0,073 Н/м) в капилляре диаметром 10 мкм поднимается на высоту h 3 м.
Капиллярные явления играют большую роль в природа и технике. Например, влагообмен в почве и в растениях осуществляется за счет поднятия воды по тончайшим капиллярам. На капиллярности основано действие фитилей, впитывание влаги бетоном и т. д.
Твердые тела. Моно- и поликристаллы
Твердые тела (кристаллы) характеризуются наличием значительных сил межмолекулярного взаимодействия и сохраняют постоянными не только свой объем, но и форму. Кристаллы имеют правильную геометрическую форму, которая, как показали рентгенографические исследования немецкого физика-теоретика М. Лауэ (1879—1960), является результатом упорядоченного расположения частиц (атомов, молекул, ионов), составляющих кристалл. Структура, для которой характерно регулярное расположение частиц с периодической повторяемостью в трех измерениях, называется кристаллической решеткой. Точки, в которых расположены частицы, а точнее — средние равновесные положения, около которых частицы совершают колебания, называются узлами кристаллической решетки.
Кристаллические тела можно разделить на две группы: монокристаллы и поликристаллы. Монокристаллы — твердые тела, частицы которых образуют единую кристаллическую решетку. Кристаллическая структура монокристаллов обнаруживается по их внешней форме. Хотя внешняя форма монокристаллов одного типа может быть различной, но углы между соответствующими гранями у них остаются постоянными. Это закон постоянства углов, сформулированный М. В. Ломоносовым. Он сделал важный вывод, что правильная форма кристаллов связана с закономерным размещением частиц, образующих кристалл. Монокристаллами являются большинство минералов. Однако крупные природные монокристаллы встречаются довольно редко (например, лед, поваренная соль, исландский шпат). В настоящее время многие монокристаллы выращиваются искусственно. Условия роста крупных монокристаллов (чистый раствор, медленное охлаждение и т. д.) часто не выдерживаются, поэтому большинство твердых тел имеет мелкокристаллическую структуру, т. е. состоит из множества беспорядочно ориентированных мелких кристаллических зерен. Такие твердые тела называются поликристаллами (многие горные породы, металлы и сплавы).
Характерной особенностью монокристаллов является их анизотропность, т. е. зависимость физических свойств — упругих, механических, тепловых, электрических, магнитных, оптических — от направления. Анизотропия монокристаллов объясняется тем, что в кристаллической решетке различно число частиц, приходящихся на одинаковые по длине, но разные по направлению отрезки (рис. 102), т. е. плотность расположения частиц кристаллической решетки по разным направлениям неодинакова, что и приводит к различию свойств кристалла вдоль этих направлений. В поликристаллах анизотропия наблюдается только для отдельных мелких кристалликов, но их различная ориентация приводит к тому, что свойства поликристалла по всем направлениям в среднем одинаковы.