
- •Полупроводниковые материалы. Структура, связь атомов в кристаллической решеткою. Образование носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках. Зонная структура полупроводников.
- •Виды генерации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. Использование этих явлений при создании полупроводниковых приборов. Подвижность носителей заряда.
- •Движение носителей заряда в полупроводнике. Диффузионные и дрейфовые токи. Электропроводность в собственных и примесных полупроводниках.
- •Емкостные свойства р-п-перехода. Явления электрического пробоя в р-п-переходе.
- •Оптические свойства р-п-перехода. Использование в полупроводниковых приборах.
- •Импульсные свойства диодов. Пояснить на характеристиках и объяснить, какими физическими явлениями эти свойства обусловлены.
- •Полевые транзисторы. Мдп - транзистор. Комплиментарные моп - транзисторы. Полевой транзистор с управляющим р-п-переходом. Принцип действия, структура, характеристики, режим работы, параметры.
- •У силители электрических сигналов. Классификация. Принципы работы, характеристики, параметры, области применения, обратные связи в усилителях.
- •Многокаскадные усилители. Принципы работы, характеристики, параметры, области применения.
- •Дифференциальные усилители. Принцип работы. Назначение элементов электрической схемы. Расчет параметров по постоянному и переменному току. Особенности параметров.
- •Операционные усилители. Идеальные и реальные характеристики и параметры оу. Структурная схема. Назначение каждого блока структурной схемы.
- •Электрическая схема оу. Принцип работы. Назначение элементов электрической схемы. Особенности параметров схемы усилителя.
- •Импульсный режим работы электронных схем. Ключевой режим работы биполярного и полевого транзисторов.
- •Мультивибратор на операционном усилителе. Электрическая схема, принцип действия, назначение элементов схемы. Временный диаграммы напряжений.
- •Одновибраторы на операционном усилителе. Электрическая схема, принцип действия, назначение элементов схемы. Временный диаграммы напряжений.
- •Генераторы линейно-изменяющихся напряжений. Электрическая схема, принцип действия, назначение элементов схемы. Временные диаграммы напряжений.
- •Логические операции. Логические элементы. Законы алгебры логики. Законы оптимизации логических схем.
- •Примеры построения логических схем в различном элементном базисе. (дтл, ттл, моп, кмоп)
- •Интегральные триггеры. Принципы работы, временные диаграммы, применение r-s, j-k, т, d триггеров.
- •Регистры. Классификация. Принцип работы, электрические схемы, применение.
- •Сумматоры на логических элементах. Принцип работы, электрические схемы, применение.
Полевые транзисторы. Мдп - транзистор. Комплиментарные моп - транзисторы. Полевой транзистор с управляющим р-п-переходом. Принцип действия, структура, характеристики, режим работы, параметры.
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители).
Принцип работы транзисторов со структурой металл - диэлектрик — полупроводник (МДП) основан на модуляции сопротивления проводящего канала на поверхности полупроводника под воздействием эффекта поля. МДП-транзисторы со структурой металл- оксид - полупроводник в настоящее время являются основными элементами сверхбольших интегральных схем (СБИС). Они находят широкое применение также в мощных ключевых схемах. МДП-транзисторы являются униполярными приборами, работа которых основана на использовании только основных носителей заряда. Процессы инжекции в МДП-транзисторах не используются.
Основными параметрами МДП-структуры являются длина канала l, ширина канала b, толщина слоя диэлектрика t, глубина переходов n+-областей Wn и уровень легирования подложки NA.
Управляющей цепью в МДП-транзисторах является цепь затвора, управляемой — цепь истока — стока. Управляющая цепь практически не потребляет тока, поскольку в нее входит участок с диэлектриком, поэтому в МДП-транзисторах получается значительное усиление мощности — намного больше, чем в биполярных транзисторах.
Электронные схемы, в которых используется сочетание п- и р-канальных транзисторов, называются комплементарными. МДП- транзисторы, у которых канал появляется только после приложения к затвору потенциала, большего порогового напряжения, называются транзисторами с индуцированным каналом.
Полевой транзистор с управляющим р-п-переходом.
Принцип работы полевых транзисторов основан на модуляции плошади поперечного сечения, следовательно, и сопротивления проводящего канала в объеме полупроводника под воздействием эффекта электрического поля. Полевые транзисторы являются униполярными приборами. Структура полевого транзистора с р-л-переходом в качестве затвора схематически показана на рис
У силители электрических сигналов. Классификация. Принципы работы, характеристики, параметры, области применения, обратные связи в усилителях.
Усилителями называют устройства, предназначенные для увеличения значений параметров электрических сигналов (напряжения, тока, мощности) за счет энергии источника питания. Усилитель имеет входную цепь, к которой подключается усиливаемый сигнал, и выходную цепь, с которой выходной сигнал снимается и подается в нагрузку.
Все усилители можно подразделить на два класса — с линейным и нелинейным режимами работы (рис. 3.1).
В усилителях с нелинейным режимом работы пропорциональность в передаче мгновенных значений входного сигнала отсутствует. При увеличении значения напряжения на входе больше некоторого граничного изменения напряжения на его выходе остаются без изменения. Такие усилители применяются в устройствах для преобразования синусоидального сигнала в импульсный сигнал (усилители-ограничители), для усиления импульсов.
Важную роль в работе усилителей играют обратные связи.
Обратная связь — это подача части или всего выходного сигнала на вход усилителя. (Подача всего сигнала — 100% ОС (обратная связь)).
Виды обратной связи в усилителях.
Положительная обратная связь – суммирование входного с выходным сигналом при =0 (разность фаз).
Отрицательная обратная связь – суммирование входного с выходным сигналом при = (разность фаз).
Усилители с отрицательной обратной связью, а генераторы с положительной.
Делят ОС: 1) по току и напряжению. 2) параллельная и последовательная.
Виды межкаскадной связи в усилителях.
Усилители бывают однокаскадные и много каскадные.
Принцип работы усилительного прибора основан на изменении его активного и реактивного сопротивления под воздействием сигнала малой мощности.
Усилители на биполярном транзисторе:
-с общим эмиттером
-с общим коллектором
-с общей базой
Усилители каскада на полевых транзисторах:
-с общим затвором
-с общим истоком
-с общим стоком
Многокаскадные усилители
Операционные усилители