
- •Радиотехника и электроника
- •2.4. Связанные системы колебательных контуров
- •§ 1. Общие сведения - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 53
- •5.4. Распространение коротких волн - - - - - - - - - - - - 88
- •5.2.1. Релаксационный генератор с неоновой
- •2.1. Принцип работы - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 177
- •2.3. Параметры - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 180
- •§ 3. Тиристоры - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 186
- •§ 4. Полупроводниковые триоды
- •4.6.1. Общие сведения - - - - - - - - - - - - - - - - - - 197
- •§ 5. Общие сведения о микроэлектронике
- •Введение Задачи радиотехники и электроники. Области их применения
- •Раздел 1. Сигналы и информация Глава 1. Общие сведения об информации § 1. Разделы науки, изучающие вопросы информации
- •§ 2. Преобразование и передача информации
- •§ 3. Понятие о сигналах и сообщениях
- •§ 4. Кодирование и представление сообщений
- •§ 5. Количественная мера информации
- •§ 6. Параметры информационных систем
- •Глава 2. Свойства сигналов и воздействий § 1. Классификация сигналов
- •§ 2. Основные характеристики сигнала
- •Раздел 2. Системы связи Глава 1. Принцип построения систем связи
- •Глава 2. Каналы связи § 1. Общие сведения
- •§ 2. Классификация каналов связи
- •§ 3. Основные характеристики канала связи
- •Глава 3. Непрерывный радиоканал связи § 1. Принцип работы
- •§ 2. Параметры
- •§ 3. Структурная схема
- •Глава 1. Линейные радиотехнические цепи с активными и реактивными элементами § 1. Общие сведения о линейных радиотехнических цепях
- •1.1. Активное сопротивление в цепи переменного тока
- •1.2. Индуктивность в цепи переменного тока
- •1.3. Емкость в цепи переменного тока
- •§ 2. Электрические колебательные контуры
- •2.1. Последовательный колебательный контур
- •2.1.1. Схема последовательного колебательного конура
- •2.1.2. Векторные диаграммы
- •2.1.3. Ток в контуре
- •2.1.4. Резонансная кривая
- •2.1.5. Напряжение на реактивных элементах
- •2.2. Параллельный колебательный контур
- •2.2.1. Схема
- •2.2.2. Векторные диаграммы
- •2.2.3. Сопротивление контура при резонансе
- •2.2.4. Полоса пропускания
- •2.3. Собственные колебания в колебательном контуре
- •2.4. Связанные системы колебательных контуров
- •2.4.1. Общие сведения
- •2.4.2. Трансформаторная связь
- •2.4.3. Автотрансформаторная связь
- •2.4.4. Емкостная связь
- •2.4.5. Многоконтурные системы
- •2.4.6. Электромеханические фильтры
- •§ 3. Распространение электромагнитной энергии вдоль бесконечно длинной линии
- •§ 4. Длинная линия, разомкнутая на конце
- •§ 5. Длинная линия, короткозамкнутая на конце
- •§ 6. Длинная линия, нагруженная на активное сопротивление
- •§ 7. Понятие о коэффициентах бегущей и стоячей волн
- •Глава 3. Передача энергии свч
- •§ 1. Коаксиальные кабели
- •§ 2. Волноводы
- •§ 3. Объемные резонаторы
- •3.3.7. Распределение электрического и магнитного полей по диаметру объемного резонатора Глава 4. Антенны § 1. Назначение
- •§ 2. Классификация антенн
- •§ 3. Симметричный вибратор
- •§ 4. Вертикальная заземленная (штыревая) антенна
- •§ 5. Понятие о действующей высоте антенны
- •§ 6. Направленность действия антенн
- •§ 2. Ионосфера
- •§ 3. Формирование радиоволн с различными механизмами распространения
- •3.1. Формирование поверхностных волн
- •3.2. Формирование ионосферных волн
- •3.3. Формирование прямых волн
- •§ 4. Влияние частоты на распространение радиоволн с различными механизмами
- •4.1. Поверхностные волны
- •4.2. Ионосферные волны
- •4.3. Прямые волны
- •§ 5. Особенности распространения радиоволн различных диапазонов
- •5.1. Разделение спектра радиочастот на диапазоны
- •5.2. Распространение длинных и сверхдлинных волн (диапазоны низких (lf) и очень низких частот (vlf)
- •5.3. Распространение средних и промежуточных волн (диапазон средних частот (mf)
- •5.4. Распространение коротких волн (диапазон высоких частот (hf)
- •5.5. Распространение ультракоротких волн (диапазон очень высоких частот (vhf)
- •Глава 6. Свойства импульсных сигналов § 1. Основные виды импульсных сигналов
- •§ 2. Частотный спектр импульсного колебания
- •Глава 7. Дифференцирующие и интегрирующие цепи § 1. Дифференцирующая цепь
- •§ 2. Интегрирующая цепь
- •Глава 1. Преобразование сигналов и спектров § 1. Модуляция
- •1.1. Амплитудная модуляция
- •1.1.1. Физические процессы, протекающие при амплитудной модуляции
- •1.1.2. Однополосная модуляция
- •1.2. Частотная и фазовая модуляция
- •§ 2 . Классы излучения
- •§ 3. Понятие несущей и присвоенной частоты
- •§ 4. Детектирование
- •4.1. Детектирование амплитудно-модулированных колебаний
- •4.2. Детектирование частотно-модулированных колебаний
- •4.2.1. Принцип действия частотного детектора с расстроенным колебательным контуром
- •4.2.2. Принцип действия балансного частотного детектора
- •§ 5. Генерирование колебаний
- •5.1. Генерирование синусоидальных колебаний
- •5.1.1. Автогенератор с трансформаторной обратной связью
- •5.1.2. Трехточечные схемы автогенераторов
- •5.2. Генерирование несинусоидальных колебаний
- •5.2.1. Релаксационный генератор с неоновой лампой
- •§ 6. Блокинг-генераторы
- •6.1. Классификация
- •6.2. Самовозбуждающийся (автоколебательный) блокинг-генератор
- •6.3. Ждущий блокинг-генератор
- •§ 7. Мультивибраторы
- •7.1. Автоколебательный мультивибратор
- •7.2. Ждущий мультивибратор
- •§ 8. Триггеры
- •8.1. Триггер с раздельным запуском
- •§ 9. Фантастронные генераторы
- •9.1. Самовозбуждающийся фантастронный генератор
- •Глава 1. Электронные лампы § 1. Двухэлектродная электронная лампа (диод)
- •1.1. Принцип работы
- •1.2. Схемные обозначения
- •1.3. Статические характеристики диода
- •1.4. Параметры
- •1.5. Применение
- •1.5.1. Однополупериодный выпрямитель
- •1.5.2. Двухполупериодный выпрямитель
- •1.5.3. Выпрямитель с удвоением напряжения
- •1.5.4. Сглаживающие фильтры
- •§ 2. Трехэлектродная электронная лампа (триод)
- •2.1. Принцип работы
- •2.2. Статические характеристики
- •2.3. Параметры
- •2.4. Применение
- •2.5. Недостатки триодов
- •§ 3. Четырехэлектродная электронная лампа (тетрод)
- •3.1. Принцип работы тетрода
- •3.2. Лучевой тетрод
- •§ 4. Пятиэлектродная электронная лампа (пентод)
- •4.1. Принцип работы пентода
- •4.2. Пентод с удлиненной сеточной характеристикой
- •§ 5. Многосеточные лампы
- •§ 6. Комбинированные лампы
- •§ 7. Система обозначений электронных ламп
- •Глава 2. Электронно - лучевые трубки
- •§ 1. Принцип действия
- •§ 2. Электронно-лучевые трубки с электростатическим управлением
- •§ 3. Электронно-лучевые трубки с магнитным управлением
- •§ 4. Характеристики экранов элт
- •§ 5. Условные обозначения
- •§ 6. Применение электронно-лучевых трубок
- •Глава 3. Ионные приборы § 1. Принцип действия
- •§ 2. Приборы с тлеющим разрядом
- •2.1. Неоновые лампы
- •2.2. Газонаполненные разрядники
- •2.3. Стабилитроны (стабиловольты)
- •§ 3. Приборы с дуговым разрядом
- •3.1. Газотроны
- •3.2. Тиратроны
- •3.3. Тригатроны
- •3.4. Игнитроны
- •§ 4. Обозначения ионных приборов
- •Глава 4. Полупроводниковые приборы §1. Общие сведения о полупроводниковых приборах
- •§ 2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Принцип работы
- •2.2. Вольтамперная характеристика
- •2.3. Параметры
- •2.4. Классификация диодов
- •По исходному материалу:
- •По конструкции:
- •По диапазону частот:
- •2.5. Назначение и применение различных типов полупроводниковых диодов
- •2.5.1. Выпрямительные диоды
- •2.5.1.1. Полупроводниковые выпрямители
- •2.5.1.2. Двухполупериодный выпрямитель мостикового типа
- •2.5.2. Высокочастотные (универсальные) диоды
- •2.5.3. Импульсные диоды
- •2.5.4. Варикапы
- •2.5.5. Стабилитроны
- •2.5.7. Туннельные и обращенные диоды
- •§ 3. Тиристоры
- •§ 4. Полупроводниковые триоды
- •4.1. Назначение
- •4.2. Принцип действия биполярных транзисторов
- •4.3. Устройство и работа биполярных транзисторов
- •5.3.1. Транзисторы типа "р-n-р"
- •4.3.2. Транзисторы типа "n-р-n"
- •4.4. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.5. Особенности различных схем включения биполярных транзисторов
- •5.5.1. Схема с общей базой
- •4.5.2. Схема с общим эмиттером
- •4.5.3. Схема с общим коллектором
- •4.6. Устройство и работа униполярных (полевых) транзисторов
- •4.6.1. Общие сведения
- •4.6.2. Полевые транзисторы с "p-n"-переходом
- •4.6.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.6.4. Характеристики полевых транзисторов
- •4.7. Классификация транзисторов
- •4.8. Система обозначений транзисторов
- •§ 5. Общие сведения о микроэлектронике
- •5.1. Терминология
- •5.2. Основные логические элементы
- •6.3. Условные обозначения
- •Список использованной литераратуры
- •334509, Г. Керчь, ул. Орджоникидзе, 82.
§ 2. Полупроводниковые диоды
2.1. Принцип работы
П
олупроводниковый
диод представляет собой контактное
соединение двух полупроводников с
различными типами проводимости (рис.
5.4.4). На этом рисунке электроны обозначены
знаком , а “дырки” – знаком .
Рис. 5.4.4. Структура полупроводникового диода
Если к полупроводниковому диоду подключить источник питания таким образом, что положительный потенциал будет приложен к "р"- области, а отрицательный потенциал – к "n"-области (рис. 5.4.5), то свободные электроны, отталкиваясь отрицательным потенциалом источника питания, будут перемещаться к границе соединения полупроводниковых материалов ("р-n"- переходу). "Дырки", отталкиваясь положительным потенциалом источника питания, тоже будут перемещаются к "р-n"- переходу. Таким образом, подключение диода к источнику питания в прямом направлении увеличивает концентрацию как электронов, так и "дырок" в районе "р-n"- перехода, где и происходит их рекомбинация. При этом появляется значительный ток через переход. В указанном случае сопротивление перехода минимально:
Рис. 5.4.5. Подключение диода к источнику питания в прямом направлении
Если изменить полярность подключения источника питания к полупроводниковому диоду, приложив положительный, потенциал к "n"- области, а отрицательный потенциал – к "р"- области, то свободные электроны будут перемещаться в направлении от "р-n"- перехода к положительному полюсу источника питания, а "дырки – к отрицательному (рис. 5.4.6). Таким образом, в районе "р-n"- перехода создается запорный барьер с минимальным количеством носителей электрических зарядов. В этом случае ток через переход будет минимальным, а сопротивление перехода максимально:
Рис. 5.4.6. Подключение диода к источнику питания в обратном направлении
2.2. Вольтамперная характеристика
В
ольтамперная
характеристика диода выражает зависимость
тока, протекающего через диод, от величины
и полярности приложенного к нему
напряжения. Вольтамперная характеристика
диода приведена на рис. 5.4.7.
Uпор
Рис. 5.4.7. Вольтамперная характеристика диода
В случае, если напряжение приложено в прямом направлении, через диод протекает значительный ток, величина которого зависит от приложенного напряжения. Однако, зависимость тока от приложенного напряжения нелинейна. Если приложенное напряжение меньше порогового напряжения Uпор (около 0,1 – 0,5 в), то ток через переход незначителен.
В случае, если напряжение приложено в обратном направлении, ток через диод, очень мал, особенно для кремниевых диодов (1 –10 мкА).
2.3. Параметры
К основным параметрам диодов относятся:
постоянный прямой ток Iпр – ток через диод в проводящем направлении;
постоянное прямое напряжение Uпр – постоянное напряжение на диоде при заданном прямом токе;
постоянное обратное напряжение U обр – постоянное напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении;
постоянный обратный ток Iобр – ток, протекающий через диод при подаче на него постоянного обратного напряжения определенной величины;
средний выпрямленный ток Iвыпр – среднее за период значение прямого тока;
дифференциальное сопротивление Rдиф – отношение приращения напряжения на диоде к малому приращению тока;
диапазон рабочих частот Δf , на верхней границе которого выпрямленный ток становится ниже заданного уровня по сравнению со значением выпрямленного тока на частоте нижнего предела диапазона.