
- •Радиотехника и электроника
- •2.4. Связанные системы колебательных контуров
- •§ 1. Общие сведения - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 53
- •5.4. Распространение коротких волн - - - - - - - - - - - - 88
- •5.2.1. Релаксационный генератор с неоновой
- •2.1. Принцип работы - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 177
- •2.3. Параметры - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 180
- •§ 3. Тиристоры - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 186
- •§ 4. Полупроводниковые триоды
- •4.6.1. Общие сведения - - - - - - - - - - - - - - - - - - 197
- •§ 5. Общие сведения о микроэлектронике
- •Введение Задачи радиотехники и электроники. Области их применения
- •Раздел 1. Сигналы и информация Глава 1. Общие сведения об информации § 1. Разделы науки, изучающие вопросы информации
- •§ 2. Преобразование и передача информации
- •§ 3. Понятие о сигналах и сообщениях
- •§ 4. Кодирование и представление сообщений
- •§ 5. Количественная мера информации
- •§ 6. Параметры информационных систем
- •Глава 2. Свойства сигналов и воздействий § 1. Классификация сигналов
- •§ 2. Основные характеристики сигнала
- •Раздел 2. Системы связи Глава 1. Принцип построения систем связи
- •Глава 2. Каналы связи § 1. Общие сведения
- •§ 2. Классификация каналов связи
- •§ 3. Основные характеристики канала связи
- •Глава 3. Непрерывный радиоканал связи § 1. Принцип работы
- •§ 2. Параметры
- •§ 3. Структурная схема
- •Глава 1. Линейные радиотехнические цепи с активными и реактивными элементами § 1. Общие сведения о линейных радиотехнических цепях
- •1.1. Активное сопротивление в цепи переменного тока
- •1.2. Индуктивность в цепи переменного тока
- •1.3. Емкость в цепи переменного тока
- •§ 2. Электрические колебательные контуры
- •2.1. Последовательный колебательный контур
- •2.1.1. Схема последовательного колебательного конура
- •2.1.2. Векторные диаграммы
- •2.1.3. Ток в контуре
- •2.1.4. Резонансная кривая
- •2.1.5. Напряжение на реактивных элементах
- •2.2. Параллельный колебательный контур
- •2.2.1. Схема
- •2.2.2. Векторные диаграммы
- •2.2.3. Сопротивление контура при резонансе
- •2.2.4. Полоса пропускания
- •2.3. Собственные колебания в колебательном контуре
- •2.4. Связанные системы колебательных контуров
- •2.4.1. Общие сведения
- •2.4.2. Трансформаторная связь
- •2.4.3. Автотрансформаторная связь
- •2.4.4. Емкостная связь
- •2.4.5. Многоконтурные системы
- •2.4.6. Электромеханические фильтры
- •§ 3. Распространение электромагнитной энергии вдоль бесконечно длинной линии
- •§ 4. Длинная линия, разомкнутая на конце
- •§ 5. Длинная линия, короткозамкнутая на конце
- •§ 6. Длинная линия, нагруженная на активное сопротивление
- •§ 7. Понятие о коэффициентах бегущей и стоячей волн
- •Глава 3. Передача энергии свч
- •§ 1. Коаксиальные кабели
- •§ 2. Волноводы
- •§ 3. Объемные резонаторы
- •3.3.7. Распределение электрического и магнитного полей по диаметру объемного резонатора Глава 4. Антенны § 1. Назначение
- •§ 2. Классификация антенн
- •§ 3. Симметричный вибратор
- •§ 4. Вертикальная заземленная (штыревая) антенна
- •§ 5. Понятие о действующей высоте антенны
- •§ 6. Направленность действия антенн
- •§ 2. Ионосфера
- •§ 3. Формирование радиоволн с различными механизмами распространения
- •3.1. Формирование поверхностных волн
- •3.2. Формирование ионосферных волн
- •3.3. Формирование прямых волн
- •§ 4. Влияние частоты на распространение радиоволн с различными механизмами
- •4.1. Поверхностные волны
- •4.2. Ионосферные волны
- •4.3. Прямые волны
- •§ 5. Особенности распространения радиоволн различных диапазонов
- •5.1. Разделение спектра радиочастот на диапазоны
- •5.2. Распространение длинных и сверхдлинных волн (диапазоны низких (lf) и очень низких частот (vlf)
- •5.3. Распространение средних и промежуточных волн (диапазон средних частот (mf)
- •5.4. Распространение коротких волн (диапазон высоких частот (hf)
- •5.5. Распространение ультракоротких волн (диапазон очень высоких частот (vhf)
- •Глава 6. Свойства импульсных сигналов § 1. Основные виды импульсных сигналов
- •§ 2. Частотный спектр импульсного колебания
- •Глава 7. Дифференцирующие и интегрирующие цепи § 1. Дифференцирующая цепь
- •§ 2. Интегрирующая цепь
- •Глава 1. Преобразование сигналов и спектров § 1. Модуляция
- •1.1. Амплитудная модуляция
- •1.1.1. Физические процессы, протекающие при амплитудной модуляции
- •1.1.2. Однополосная модуляция
- •1.2. Частотная и фазовая модуляция
- •§ 2 . Классы излучения
- •§ 3. Понятие несущей и присвоенной частоты
- •§ 4. Детектирование
- •4.1. Детектирование амплитудно-модулированных колебаний
- •4.2. Детектирование частотно-модулированных колебаний
- •4.2.1. Принцип действия частотного детектора с расстроенным колебательным контуром
- •4.2.2. Принцип действия балансного частотного детектора
- •§ 5. Генерирование колебаний
- •5.1. Генерирование синусоидальных колебаний
- •5.1.1. Автогенератор с трансформаторной обратной связью
- •5.1.2. Трехточечные схемы автогенераторов
- •5.2. Генерирование несинусоидальных колебаний
- •5.2.1. Релаксационный генератор с неоновой лампой
- •§ 6. Блокинг-генераторы
- •6.1. Классификация
- •6.2. Самовозбуждающийся (автоколебательный) блокинг-генератор
- •6.3. Ждущий блокинг-генератор
- •§ 7. Мультивибраторы
- •7.1. Автоколебательный мультивибратор
- •7.2. Ждущий мультивибратор
- •§ 8. Триггеры
- •8.1. Триггер с раздельным запуском
- •§ 9. Фантастронные генераторы
- •9.1. Самовозбуждающийся фантастронный генератор
- •Глава 1. Электронные лампы § 1. Двухэлектродная электронная лампа (диод)
- •1.1. Принцип работы
- •1.2. Схемные обозначения
- •1.3. Статические характеристики диода
- •1.4. Параметры
- •1.5. Применение
- •1.5.1. Однополупериодный выпрямитель
- •1.5.2. Двухполупериодный выпрямитель
- •1.5.3. Выпрямитель с удвоением напряжения
- •1.5.4. Сглаживающие фильтры
- •§ 2. Трехэлектродная электронная лампа (триод)
- •2.1. Принцип работы
- •2.2. Статические характеристики
- •2.3. Параметры
- •2.4. Применение
- •2.5. Недостатки триодов
- •§ 3. Четырехэлектродная электронная лампа (тетрод)
- •3.1. Принцип работы тетрода
- •3.2. Лучевой тетрод
- •§ 4. Пятиэлектродная электронная лампа (пентод)
- •4.1. Принцип работы пентода
- •4.2. Пентод с удлиненной сеточной характеристикой
- •§ 5. Многосеточные лампы
- •§ 6. Комбинированные лампы
- •§ 7. Система обозначений электронных ламп
- •Глава 2. Электронно - лучевые трубки
- •§ 1. Принцип действия
- •§ 2. Электронно-лучевые трубки с электростатическим управлением
- •§ 3. Электронно-лучевые трубки с магнитным управлением
- •§ 4. Характеристики экранов элт
- •§ 5. Условные обозначения
- •§ 6. Применение электронно-лучевых трубок
- •Глава 3. Ионные приборы § 1. Принцип действия
- •§ 2. Приборы с тлеющим разрядом
- •2.1. Неоновые лампы
- •2.2. Газонаполненные разрядники
- •2.3. Стабилитроны (стабиловольты)
- •§ 3. Приборы с дуговым разрядом
- •3.1. Газотроны
- •3.2. Тиратроны
- •3.3. Тригатроны
- •3.4. Игнитроны
- •§ 4. Обозначения ионных приборов
- •Глава 4. Полупроводниковые приборы §1. Общие сведения о полупроводниковых приборах
- •§ 2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Принцип работы
- •2.2. Вольтамперная характеристика
- •2.3. Параметры
- •2.4. Классификация диодов
- •По исходному материалу:
- •По конструкции:
- •По диапазону частот:
- •2.5. Назначение и применение различных типов полупроводниковых диодов
- •2.5.1. Выпрямительные диоды
- •2.5.1.1. Полупроводниковые выпрямители
- •2.5.1.2. Двухполупериодный выпрямитель мостикового типа
- •2.5.2. Высокочастотные (универсальные) диоды
- •2.5.3. Импульсные диоды
- •2.5.4. Варикапы
- •2.5.5. Стабилитроны
- •2.5.7. Туннельные и обращенные диоды
- •§ 3. Тиристоры
- •§ 4. Полупроводниковые триоды
- •4.1. Назначение
- •4.2. Принцип действия биполярных транзисторов
- •4.3. Устройство и работа биполярных транзисторов
- •5.3.1. Транзисторы типа "р-n-р"
- •4.3.2. Транзисторы типа "n-р-n"
- •4.4. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.5. Особенности различных схем включения биполярных транзисторов
- •5.5.1. Схема с общей базой
- •4.5.2. Схема с общим эмиттером
- •4.5.3. Схема с общим коллектором
- •4.6. Устройство и работа униполярных (полевых) транзисторов
- •4.6.1. Общие сведения
- •4.6.2. Полевые транзисторы с "p-n"-переходом
- •4.6.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.6.4. Характеристики полевых транзисторов
- •4.7. Классификация транзисторов
- •4.8. Система обозначений транзисторов
- •§ 5. Общие сведения о микроэлектронике
- •5.1. Терминология
- •5.2. Основные логические элементы
- •6.3. Условные обозначения
- •Список использованной литераратуры
- •334509, Г. Керчь, ул. Орджоникидзе, 82.
Глава 1. Преобразование сигналов и спектров § 1. Модуляция
Для передачи низкочастотного сигнала с помощью высокочастотных синусоидальных колебаний необходимо, чтобы один из основных параметров высокочастотных колебаний изменялся под воздействием низкочастотного сигнала. Указанный процесс изменения параметров называется модуляцией. В зависимости от того, на какой параметр высокочастотных колебаний воздействует низкочастотный модулирующий сигнал, модуляция бывает амплитудной, частотной или фазовой (рис. 4.1.1).
а) амплитудная модуляция
б) частотная модуляция
в) фазовая модуляция
Рис. 4.1.1. Модулированные колебания
1.1. Амплитудная модуляция
В
ысокочастотные
колебания, амплитуда которых изменяется
в соответствии с изменениями низкочастотного
управляющего сигнала, называются
амплитудно-модулированными колебаниями
(рис. 4.1.2).
Рис. 4.1.2. Амплитудно-модулированные колебания
Воображаемая кривая, соединяющая точки, соответствующие амплитудным значениям высокой частоты, называется огибающей.
При отсутствии модуляции амплитуда высокочастотных колебаний I 0 остается неизменной:
I 0 =
;
где I max и I min – максимальная и минимальная величины амплитуды высокочастотных колебаний.
При модуляции происходит изменение амплитуды высокочастотных колебаний Δ I в пределах от I min до I max :
Δ I
=
;
Отношение изменения амплитуды модулированных колебаний Δ I к амплитуде высокочастотных колебаний при отсутствии модуляции I 0 называется коэффициентом модуляции " m":
m =
=
;
Поскольку коэффициент модуляции всегда меньше единицы, то его обычно выражают в процентах.
1.1.1. Физические процессы, протекающие при амплитудной модуляции
Н
аиболее
простым методом получения
амплитудно-модулированных колебаний
является метод, который ранее использовался
в маломощных телефонных передатчиках
(рис. 4.1.3):
Рис.
4.1.3. Элементарная схема модулятора
Звуковые колебания, воздействующие на угольный микрофон, вызывают колебания его мембраны, которая изменяет сопротивление угольного порошка.
Звуковое давление Р, воздействующее на микрофон, является произвольной функцией времени Р = f (t). Для упрощения рассмотрения процессов, протекающих при амплитудной модуляции, сделаем следующие допущения:
а) звуковое давление, воздействующее на микрофон, изменяется по синусоидальному закону:
P = Pm · sin Ω t,
b) проводимость микрофона Ym является линейной функцией звукового давления:
Ym = a · P;
Проводимость антенной цепи определяется следующим выражением:
YА = Y0 + Ym ;
где Y0 – начальная проводимость антенной цепи (при P = 0).
Тогда YА
= Y0 · ( 1 +
· sin Ω t
);
Напряжение высокочастотных синусоидальных колебаний несущей частоты ω0, вырабатываемых генератором, равно:
U = Um · sin ω0 t;
Ток в антенне равен: IA = U · YА;
IA = U m · Y0 · (1 + · sin Ω t ) · sin ω0 t;
Ток в антенне при отсутствии модуляции равен:
I 0 = U m · Y0 ;
Тогда IA = I 0 · (1 + · sin Ω t) · sin ω0 t ;
Таким образом, процесс модуляции заключается в перемножении двух функций времени:
1 + · sin Ω t и I 0 · sin ω0 t ;
Результат этого перемножения может быть представлен следующим образом:
IA = I 0 · sin ω0 t + I 0 · · sin Ω t · sin ω0 t ;
После преобразования получаем:
IA
= I 0
· sin ω0
t +
· [cos (ω0
– Ω) t
– cos (ω0
+ Ω) t];
Здесь первый член является колебанием несущей частоты ω0, а второй – включает частоты, отличающиеся от несущей частоты на величину, равную частоте модуляции Ω. Эти частоты называются боковыми частотами.
Частотный спектр амплитудно-модулированных колебаний при модуляции тональным сигналом приведен на рис. 1.1.4.
Рис. 4.1.4. Частотный спектр амплитудно-модулированных
колебаний при модуляции тональным сигналом с частотой Ω
Если модулирующее напряжение не является синусоидальным сигналом, а описывается произвольной функцией F(t), то в этом случае получаются две боковые полосы частот модулированного сигнала (рис. 4.1.5).
Рис. 4.1.5. Частотный
спектр амплитудно-модулированных
колебаний
при
модуляции сложным сигналом
Следовательно, при амплитудной модуляции частотный спектр модулированного сигнала состоит из несущей частоты и двух боковых полос, ширина каждой из которых равна ширине спектра модулирующего сигнала. Таким образом, спектр амплитудно-модулированного колебания вдвое шире, чем спектр модулирующего сигнала.
В результате приведенного анализа выражения для тока, протекающего в антенне, можно сделать следующие выводы:
1. При передаче амплитудно-модулированных колебаний электромагнитная энергия излучается:
– на несущей частоте;
– в нижней боковой полосе частот;
– в верхней боковой полосе частот.
2. Значения тока несущей частоты является функцией времени и не зависит от амплитуды модулирующих низкочастотных колебаний. Это означает, что несущая частота не содержит информации о модулирующем сигнале.
3. Значения токов боковых полос является не только функцией времени, но и функцией звукового давления, воздействующего на микрофон. Таким образом, вся информация о модулирующем сигнале передается в нижней и верхней боковых полосах.
4. Значения токов обоих боковых полос определяются одним и тем же коэффициентом, содержащим величину звукового давления. Это означает, что в нижней и верхней боковых полосах передается совершенно одинаковая информация, т. е. происходит дублирование передаваемой информации.