
- •Радиотехника и электроника
- •2.4. Связанные системы колебательных контуров
- •§ 1. Общие сведения - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 53
- •5.4. Распространение коротких волн - - - - - - - - - - - - 88
- •5.2.1. Релаксационный генератор с неоновой
- •2.1. Принцип работы - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 177
- •2.3. Параметры - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 180
- •§ 3. Тиристоры - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 186
- •§ 4. Полупроводниковые триоды
- •4.6.1. Общие сведения - - - - - - - - - - - - - - - - - - 197
- •§ 5. Общие сведения о микроэлектронике
- •Введение Задачи радиотехники и электроники. Области их применения
- •Раздел 1. Сигналы и информация Глава 1. Общие сведения об информации § 1. Разделы науки, изучающие вопросы информации
- •§ 2. Преобразование и передача информации
- •§ 3. Понятие о сигналах и сообщениях
- •§ 4. Кодирование и представление сообщений
- •§ 5. Количественная мера информации
- •§ 6. Параметры информационных систем
- •Глава 2. Свойства сигналов и воздействий § 1. Классификация сигналов
- •§ 2. Основные характеристики сигнала
- •Раздел 2. Системы связи Глава 1. Принцип построения систем связи
- •Глава 2. Каналы связи § 1. Общие сведения
- •§ 2. Классификация каналов связи
- •§ 3. Основные характеристики канала связи
- •Глава 3. Непрерывный радиоканал связи § 1. Принцип работы
- •§ 2. Параметры
- •§ 3. Структурная схема
- •Глава 1. Линейные радиотехнические цепи с активными и реактивными элементами § 1. Общие сведения о линейных радиотехнических цепях
- •1.1. Активное сопротивление в цепи переменного тока
- •1.2. Индуктивность в цепи переменного тока
- •1.3. Емкость в цепи переменного тока
- •§ 2. Электрические колебательные контуры
- •2.1. Последовательный колебательный контур
- •2.1.1. Схема последовательного колебательного конура
- •2.1.2. Векторные диаграммы
- •2.1.3. Ток в контуре
- •2.1.4. Резонансная кривая
- •2.1.5. Напряжение на реактивных элементах
- •2.2. Параллельный колебательный контур
- •2.2.1. Схема
- •2.2.2. Векторные диаграммы
- •2.2.3. Сопротивление контура при резонансе
- •2.2.4. Полоса пропускания
- •2.3. Собственные колебания в колебательном контуре
- •2.4. Связанные системы колебательных контуров
- •2.4.1. Общие сведения
- •2.4.2. Трансформаторная связь
- •2.4.3. Автотрансформаторная связь
- •2.4.4. Емкостная связь
- •2.4.5. Многоконтурные системы
- •2.4.6. Электромеханические фильтры
- •§ 3. Распространение электромагнитной энергии вдоль бесконечно длинной линии
- •§ 4. Длинная линия, разомкнутая на конце
- •§ 5. Длинная линия, короткозамкнутая на конце
- •§ 6. Длинная линия, нагруженная на активное сопротивление
- •§ 7. Понятие о коэффициентах бегущей и стоячей волн
- •Глава 3. Передача энергии свч
- •§ 1. Коаксиальные кабели
- •§ 2. Волноводы
- •§ 3. Объемные резонаторы
- •3.3.7. Распределение электрического и магнитного полей по диаметру объемного резонатора Глава 4. Антенны § 1. Назначение
- •§ 2. Классификация антенн
- •§ 3. Симметричный вибратор
- •§ 4. Вертикальная заземленная (штыревая) антенна
- •§ 5. Понятие о действующей высоте антенны
- •§ 6. Направленность действия антенн
- •§ 2. Ионосфера
- •§ 3. Формирование радиоволн с различными механизмами распространения
- •3.1. Формирование поверхностных волн
- •3.2. Формирование ионосферных волн
- •3.3. Формирование прямых волн
- •§ 4. Влияние частоты на распространение радиоволн с различными механизмами
- •4.1. Поверхностные волны
- •4.2. Ионосферные волны
- •4.3. Прямые волны
- •§ 5. Особенности распространения радиоволн различных диапазонов
- •5.1. Разделение спектра радиочастот на диапазоны
- •5.2. Распространение длинных и сверхдлинных волн (диапазоны низких (lf) и очень низких частот (vlf)
- •5.3. Распространение средних и промежуточных волн (диапазон средних частот (mf)
- •5.4. Распространение коротких волн (диапазон высоких частот (hf)
- •5.5. Распространение ультракоротких волн (диапазон очень высоких частот (vhf)
- •Глава 6. Свойства импульсных сигналов § 1. Основные виды импульсных сигналов
- •§ 2. Частотный спектр импульсного колебания
- •Глава 7. Дифференцирующие и интегрирующие цепи § 1. Дифференцирующая цепь
- •§ 2. Интегрирующая цепь
- •Глава 1. Преобразование сигналов и спектров § 1. Модуляция
- •1.1. Амплитудная модуляция
- •1.1.1. Физические процессы, протекающие при амплитудной модуляции
- •1.1.2. Однополосная модуляция
- •1.2. Частотная и фазовая модуляция
- •§ 2 . Классы излучения
- •§ 3. Понятие несущей и присвоенной частоты
- •§ 4. Детектирование
- •4.1. Детектирование амплитудно-модулированных колебаний
- •4.2. Детектирование частотно-модулированных колебаний
- •4.2.1. Принцип действия частотного детектора с расстроенным колебательным контуром
- •4.2.2. Принцип действия балансного частотного детектора
- •§ 5. Генерирование колебаний
- •5.1. Генерирование синусоидальных колебаний
- •5.1.1. Автогенератор с трансформаторной обратной связью
- •5.1.2. Трехточечные схемы автогенераторов
- •5.2. Генерирование несинусоидальных колебаний
- •5.2.1. Релаксационный генератор с неоновой лампой
- •§ 6. Блокинг-генераторы
- •6.1. Классификация
- •6.2. Самовозбуждающийся (автоколебательный) блокинг-генератор
- •6.3. Ждущий блокинг-генератор
- •§ 7. Мультивибраторы
- •7.1. Автоколебательный мультивибратор
- •7.2. Ждущий мультивибратор
- •§ 8. Триггеры
- •8.1. Триггер с раздельным запуском
- •§ 9. Фантастронные генераторы
- •9.1. Самовозбуждающийся фантастронный генератор
- •Глава 1. Электронные лампы § 1. Двухэлектродная электронная лампа (диод)
- •1.1. Принцип работы
- •1.2. Схемные обозначения
- •1.3. Статические характеристики диода
- •1.4. Параметры
- •1.5. Применение
- •1.5.1. Однополупериодный выпрямитель
- •1.5.2. Двухполупериодный выпрямитель
- •1.5.3. Выпрямитель с удвоением напряжения
- •1.5.4. Сглаживающие фильтры
- •§ 2. Трехэлектродная электронная лампа (триод)
- •2.1. Принцип работы
- •2.2. Статические характеристики
- •2.3. Параметры
- •2.4. Применение
- •2.5. Недостатки триодов
- •§ 3. Четырехэлектродная электронная лампа (тетрод)
- •3.1. Принцип работы тетрода
- •3.2. Лучевой тетрод
- •§ 4. Пятиэлектродная электронная лампа (пентод)
- •4.1. Принцип работы пентода
- •4.2. Пентод с удлиненной сеточной характеристикой
- •§ 5. Многосеточные лампы
- •§ 6. Комбинированные лампы
- •§ 7. Система обозначений электронных ламп
- •Глава 2. Электронно - лучевые трубки
- •§ 1. Принцип действия
- •§ 2. Электронно-лучевые трубки с электростатическим управлением
- •§ 3. Электронно-лучевые трубки с магнитным управлением
- •§ 4. Характеристики экранов элт
- •§ 5. Условные обозначения
- •§ 6. Применение электронно-лучевых трубок
- •Глава 3. Ионные приборы § 1. Принцип действия
- •§ 2. Приборы с тлеющим разрядом
- •2.1. Неоновые лампы
- •2.2. Газонаполненные разрядники
- •2.3. Стабилитроны (стабиловольты)
- •§ 3. Приборы с дуговым разрядом
- •3.1. Газотроны
- •3.2. Тиратроны
- •3.3. Тригатроны
- •3.4. Игнитроны
- •§ 4. Обозначения ионных приборов
- •Глава 4. Полупроводниковые приборы §1. Общие сведения о полупроводниковых приборах
- •§ 2. Полупроводниковые диоды
- •2.1. Принцип работы
- •2.2. Вольтамперная характеристика
- •2.3. Параметры
- •2.4. Классификация диодов
- •По исходному материалу:
- •По конструкции:
- •По диапазону частот:
- •2.5. Назначение и применение различных типов полупроводниковых диодов
- •2.5.1. Выпрямительные диоды
- •2.5.1.1. Полупроводниковые выпрямители
- •2.5.1.2. Двухполупериодный выпрямитель мостикового типа
- •2.5.2. Высокочастотные (универсальные) диоды
- •2.5.3. Импульсные диоды
- •2.5.4. Варикапы
- •2.5.5. Стабилитроны
- •2.5.7. Туннельные и обращенные диоды
- •§ 3. Тиристоры
- •§ 4. Полупроводниковые триоды
- •4.1. Назначение
- •4.2. Принцип действия биполярных транзисторов
- •4.3. Устройство и работа биполярных транзисторов
- •5.3.1. Транзисторы типа "р-n-р"
- •4.3.2. Транзисторы типа "n-р-n"
- •4.4. Характеристики биполярных транзисторов
- •4.5. Особенности различных схем включения биполярных транзисторов
- •5.5.1. Схема с общей базой
- •4.5.2. Схема с общим эмиттером
- •4.5.3. Схема с общим коллектором
- •4.6. Устройство и работа униполярных (полевых) транзисторов
- •4.6.1. Общие сведения
- •4.6.2. Полевые транзисторы с "p-n"-переходом
- •4.6.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.6.4. Характеристики полевых транзисторов
- •4.7. Классификация транзисторов
- •4.8. Система обозначений транзисторов
- •§ 5. Общие сведения о микроэлектронике
- •5.1. Терминология
- •5.2. Основные логические элементы
- •6.3. Условные обозначения
- •Список использованной литераратуры
- •334509, Г. Керчь, ул. Орджоникидзе, 82.
§ 3. Формирование радиоволн с различными механизмами распространения
3.1. Формирование поверхностных волн
Поверхностные волны формируются вблизи земной поверхности и распространяются вдоль нее, повторяя кривизну Земли.
Причиной возникновения поверхностных волн является физическое явление, называемое дифракцией радиоволн. Явление дифракции заключается в том, что при определенных условиях радиоволны огибают препятствия, находящиеся на пути их распространения. Огибание препятствий радиоволнами происходит только в тех случаях, когда длина волны электромагнитных колебаний, используемых для связи, соизмерима с геометрическими размерами этих препятствий. Чем больше длина волны, тем выше ее способность к огибанию препятствий (в том числе и Земли).
Поскольку поверхностные волны образуются вблизи земной поверхности, то на дальность распространения энергии радиоволн оказывает влияние состав почвы и рельеф местности, над которой происходит распространение радиоволн. Земля является плохим проводником и одновременно плохим диэлектриком, поэтому в ней происходит значительное поглощение энергии радиоволн.
При распространении радиоволн над морской поверхностью потери электромагнитной энергии меньше, чем над поверхностью Земли, т. к. электропроводность морской воды значительно выше, чем электропроводность поверхностного слоя Земли.
3.2. Формирование ионосферных волн
Ионосферные волны формируются благодаря тому, что радиолучи, попадающие в ионосферу под углом к ее нижней границе, отклоняются от первоначального направления. В результате такого отклонения, эти лучи вновь пересекают нижнюю границу ионосферы и выходят из нее в сторону Земли. Изменение направления распространения радиоволн в ионосфере происходит за счет рефракции.
Рефракция радиоволн представляет собой физическое явление, заключающееся в изменении направления распространения электромагнитной энергии при прохождении участков среды с различной электропроводностью. Поскольку степень ионизации ионосферы изменяется с изменением высоты, то по отношению к распространяющимся в ней радиоволнам ионосфера ведет себя как неоднородная среда. Радиолучи, попадающие в такую среду под углом к ее границе, отклоняются от первоначального направления в сторону уменьшения электропроводности среды. При этом наблюдается преломление радиолучей, и при определенных условиях происходит их полное внутреннее отражение. Чем выше степень ионизации конкретного ионосферного слоя, тем большее преломление испытывают радиолучи, распространяющиеся в этом слое.
При распространении радиоволн в ионосфере происходит поглощение энергии радиоволн (затухание). Затухание происходит из-за того, что заряженные частицы ионосферы под действием радиоволн приходят в колебательное движение и сталкиваются между собой. При этом энергия электромагнитного поля превращается в тепловую энергию, выделяющуюся при столкновении частиц. Чем выше плотность атмосферы, и чем ниже степень ионизации, тем больше затухание радиоволн.
3.3. Формирование прямых волн
При распространении радиоволн вблизи земной поверхности явление дифракции имеет место только тогда, когда длина волны электромагнитных колебаний сравнима с геометрическими размерами препятствий, вблизи которых распространяются радиоволны. Если длина волны значительно меньше, чем размеры препятствий, то дифракция отсутствует. В этих случаях энергия распространяется в виде прямых волн.
Прямые волны не огибают ни Землю, ни крупные препятствия, поэтому при осуществлении наземной радиосвязи прямые волны можно использовать только в пределах прямой видимости.
Дальность прямой видимости определяется высотой установки передающей и приемной антенн (рис. 3.5.6).
Р
ис.
3.5.6. Дальность прямой видимости
Дальность прямой видимости D (км) при отсутствии дифракции вычисляется по формуле:
D = 3,57 ∙ (
+
)
где: h1 и h2 – высота установки передающей и приемной антенн (м).
При распространении радиоволн в ионосфере прямые волны могут существовать только тогда, когда степень ионизации оказывается недостаточной для того, чтобы изменить направление распространения радиоволн. В этих случаях радиоволны проходят сквозь ионосферу без изменения направления и уходят в космическое пространство.
Отсутствие влияния ионосферы на распространение прямых волн позволяет использовать их для осуществления космической радиосвязи.